磁记录介质的制造装置

    公开(公告)号:CN102754153B

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201180009072.7

    申请日:2011-01-25

    IPC分类号: G11B5/84

    CPC分类号: G11B5/8408 B05D1/18

    摘要: 本发明提供一种能够在磁记录介质的表面以均一的膜厚形成润滑剂膜的磁记录介质的制造装置。这样的磁记录介质的制造装置具备:插入通过磁记录介质(100)的中心孔(100a),以悬吊的状态支持该磁记录介质(100)的吊架机构(2);和将吊架机构(2)和浸渍槽(1)的任一方相对于另一方进行升降操作的升降机构(3),吊架机构(2)具有:其上端部与磁记录介质(100)的内周部抵接的支持板(4a、4b);和防波板(7a、7b),该防波板(7a、7b)在其上端部与磁记录介质(100)的内周部之间设置间隙并与支持板(4a、4b)对向配置,所述上端部位于比支持板(4a、4b)的上端部靠下方的位置。

    用于制造磁记录介质及其保护膜的方法

    公开(公告)号:CN104246885A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201280072385.1

    申请日:2012-10-29

    发明人: 永田德久

    IPC分类号: G11B5/84

    摘要: 本发明提供用于产生保护膜的方法,该方法可用于制造磁记录介质,该方法包括步骤:(a)提供形成在所述衬底上的磁性层;以及(b)通过使用特定低饱和烃气和特定低不饱和烃气的混合气作为源气体的等离子体CVD方法在该磁性层上形成保护膜,其中步骤(b)包括在该磁性层上形成第一保护膜的步骤(b-1)以及在该第一保护膜上形成第二保护膜的步骤(b-2),步骤(b-1)是通过使用源气体的等离子体CVD方法执行的,在该源气体中,气体混合比被调节以使在源气体中相对每个碳原子氢原子的平均数变得大于2.5但小于3.0,并且步骤(b-2)是通过使用源气体的等离子体CVD方法执行的,在该源气体中,气体混合比被调节以使在源气体中相对每个碳原子氢原子的平均数变得大于2.0但小于2.5。

    磁记录介质的制造方法及装置

    公开(公告)号:CN103971705A

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201410028647.5

    申请日:2014-01-21

    IPC分类号: G11B5/725 G11B5/84

    CPC分类号: G11B5/8408

    摘要: 一种磁记录介质的制造方法及装置,其目的在于降低润滑层的摩擦系数、且提高由润滑层对保护层表面的覆盖率。在一种在被积层体上按顺序形成磁记录层、保护层、润滑层的磁记录介质的制造方法中,润滑层的形成是使形成了保护层后的被积层体不与大气接触而利用气相润滑成膜方法在被积层体上涂布第一润滑剂,在涂布了第一润滑剂后,使被积层体不与大气接触而利用气相润滑成膜方法在被积层体上涂布第二润滑剂。

    磁记录介质的制造方法及装置

    公开(公告)号:CN103928033A

    公开(公告)日:2014-07-16

    申请号:CN201410017329.9

    申请日:2014-01-15

    IPC分类号: G11B5/72 G11B5/66 G11B5/84

    CPC分类号: G11B5/8408

    摘要: 一种磁记录介质的制造方法,在被积层体上依次形成磁记录层、保护层、及润滑层,其特征在于:将由成膜装置形成了保护层后的被积层体不与大气接触地封入移送容器单元内;将移送容器单元搬送至汽相润滑成膜装置;及将被封入了移送容器单元内的被积层体不与大气接触地从移送容器单元内取出,在汽相润滑成膜装置内采用汽相润滑成膜方法在被积层体上形成润滑层。移送容器单元具有:对被积层体进行封入的移送容器、与成膜装置及汽相润滑成膜装置可装卸连接的预备室、对移送容器及预备室进行连接的闸阀、及可由闸阀的第1及第2阀体进行划分的分离室。在第1阀体打开了的状态下,分离室与预备室连通,在第2阀体打开了的状态下,分离室与容置室连通。

    磁性记录介质的制造方法及其装置

    公开(公告)号:CN103680526A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201310410975.7

    申请日:2013-09-11

    IPC分类号: G11B5/84 C23C14/22

    摘要: 本公开提供了一种磁性记录介质的制造方法和装置。在被层积体上按顺序形成磁性记录层、保护层、以及润滑层,在使形成了所述保护层后的所述被层积体不与大气接触的状态下,用气相润滑成膜方法形成所述润滑层,当所述保护层成膜时的工艺气体压力为P1,所述润滑层成膜时的工艺气体压力为P2时,在从形成所述保护层后到形成所述润滑层之间的所述被层积体的运送路线上,设置满足P3>P1、且P3>P2的关系的气体压力P3的区域。根据本发明方法和装置,可以防止所形成的层的质量的下降,同时提高生产率。

    磁记录介质的制造方法
    76.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101925954B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN200980102703.2

    申请日:2009-01-20

    申请人: DIC株式会社

    摘要: 一种磁记录介质的制造方法,其为用于制造在作为非磁性支撑体的基体上具有磁记录层和保护层的磁记录介质的制造方法,该方法可维持保护层的良好的耐擦伤性、与磁记录层的粘接性,且可维持磁记录介质的良好的记录再生特性,并且可大幅抑制润滑剂在磁记录介质制造时的热压工序中从该保护层向镜面状的金属压制板表面移动。(解决方法)一种磁记录介质的制造方法,其特征在于,该磁记录介质的制造方法包括以下工序:在作为非磁性支撑体的基体上,形成从接近该基体的一侧具有粘接剂层、磁记录层、保护层的层压体的工序;从保护层上方进行热压而使所述层压体埋入所述基体中,使所述基体表面与所述层压体的保护层表面形成同一平滑平面的工序;其中,所述保护层含有由具有聚乙烯和聚四氟乙烯的混合物构成的颗粒、以及粘结剂树脂。