公开(公告)号：CN1983392B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200610128921.1

申请日：2006-09-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·G·比斯克博恩

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/008

CPC classification number: G11B5/3912 ,  G11B2005/0016

Abstract: 根据一个实施例的一种磁性数据系统，包括形成于基底上的至少一个读出器，该至少一个读出器进一步包含屏蔽和磁阻(MR)传感器。第一电路设置所述基底的电压值Vsub大致等于该至少一个读出器的所述屏蔽的电压值Vshield。

公开(公告)号：CN101807406A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010004484.9

申请日：2010-01-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 町田贵彦 ,  野口洁 ,  宫内大助

IPC: G11B5/455 ,  G11B5/39

CPC classification number: G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3912 ,  G11B5/455 ,  G11B2005/0016 ,  Y10T428/1121

Abstract: 本发明涉及具备两个自由层的CPP型磁阻效应元件的检查方法。本发明的检查方法以如下方式构成：将配置在磁阻效应部的后部的正交偏置功能部的磁化方向分别变更为由元件前方朝向后方的第一磁化形成方式以及由元件后方朝向前方的第二磁化形成方式，按照每个磁化形成方式分别测定元件针对外部磁场的输出波形，对照这二者的输出波形的状态，由此，检查发挥自由层功能的第一强磁性层和第二强磁性层的磁化方向是否在正交偏置功能部发挥作用前的状态下成为沿着磁道宽度方向的反平行状态。因此，能够在使正交偏置功能部发挥作用之前的状态下简便地检查两个自由层的磁化方向是否可靠地形成了反平行状态。

公开(公告)号：CN100385509C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200410095893.9

申请日：2004-11-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 青柳由果

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/02 ,  G11B5/012

CPC classification number: G11B5/82 ,  G11B5/012 ,  G11B5/1278 ,  G11B2005/0008 ,  G11B2005/001 ,  G11B2005/0016 ,  G11B2005/0029

Abstract: 一种垂直记录磁盘设备，该设备包括：包含钉扎层(12)、软衬层(13)和垂直记录层(14)的垂直双层介质(10)，以及包含主磁极(31)、回行轭铁(32)与励磁线圈(33)的写磁头。在该设备中，磁化可恢复磁场Hexf大于写磁头(30)施加到钉扎层(12)的磁场，通过所述磁化可恢复磁场，钉扎层(12)和软衬层(13)可确保磁化恢复率为1。

公开(公告)号：CN101154705A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710089024.9

申请日：2007-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤利江 ,  水岛公一 ,  工藤究

IPC: H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39

CPC classification number: G01R33/093 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/0016

Abstract: 本发明要解决的技术问题是作为磁传感器的磁性振荡元件细微化加工技术的困难及磁的热噪声引起的SN比下降。本发明的磁传感器具有：磁性振荡元件，该磁性振荡元件具有磁化方向被固定的第一磁化固定层、第一磁化振荡层、设置在第一磁化固定层与第一磁化振荡层之间的第一非磁性层、以及对第一磁化固定层和第一磁化振荡层以及第一非磁性层的膜面在垂直方向上进行通电的一对电极，并且其振荡频率根据外部磁场的大小的变化而变化；以及振荡元件，该振荡元件设置在该磁性振荡元件附近，其振荡频率与所述磁性振荡元件的振荡频率的差在预定范围之内；该磁传感器通过通电而获取在磁性振荡元件和振荡元件产生的高频振荡信号。

公开(公告)号：CN1983392A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610128921.1

申请日：2006-09-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·G·比斯克博恩

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/008

CPC classification number: G11B5/3912 ,  G11B2005/0016

Abstract: 根据一个实施例的一种磁性数据系统，包括形成于基底上的至少一个读出器，该至少一个读出器进一步包含屏蔽和磁阻(MR)传感器。第一电路设置所述基底的电压值Vsub大致等于该至少一个读出器的所述屏蔽的电压值Vshield。

公开(公告)号：CN1224958C

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN02801226.7

申请日：2002-04-12

Applicant: 索尼公司

Inventor： 近藤庸弘 ,  柳裕二

IPC: G11B5/02 ,  G11B20/10 ,  G11B5/027

CPC classification number: G11B20/22 ,  G11B5/0086 ,  G11B5/02 ,  G11B5/035 ,  G11B5/09 ,  G11B5/53 ,  G11B20/10009 ,  G11B2005/0016

Abstract: 本发明涉及使用磁阻头再现磁记录的数据的磁记录数据再现装置及方法。其中，记录数据被磁阻头(2)再现并提供给再现放大器(4)。来自再现放大器(4)的信号被提供给高通滤波器(5)，去除如1MHz或更低的低频分量。来自HPF 5的信号提供给积分均衡器(6)、相位均衡器(7)和模拟余弦均衡器(8)。来自均衡器(8)的信号通过低频分量校正电路(9)提供给AGC放大器(10)。来自AGC放大器(10)的信号提供给A/D转换器(11)。另外，来自AGC放大器(10)的信号提供给数字PLL电路(12)，提取的时钟信号提供给A/D转换器11。数字化的信号然后提供给如维特比解码器(13)，并在输出端(14)获得解码后的信号。由于热不平度(TA噪声)的影响被去除，从而防止了所述TA噪声的影响带来再现信号误码率的增加及防止设备发生问题。

公开(公告)号：CN1201290C

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN01811970.0

申请日：2001-05-25

Applicant: 西加特技术有限责任公司

Inventor： 齐尼-埃迪纳布塔古 ,  E·S·默多克

IPC: G11B5/187 ,  G11B5/31 ,  G11B5/39 ,  G11B5/455

CPC classification number: G11B5/3903 ,  G11B5/3169 ,  G11B5/3173 ,  G11B5/455 ,  G11B2005/0016 ,  Y10T29/49036

Abstract: 这里公开一种用来控制研磨加工、从而产生一读写头的方法和装置，该读写头包括一具有所需的带高度的初级磁阻读出元件。通过在一读写头里结合一次级磁阻元件获得一种改进的研磨导向件。由于其位置与初级磁阻元件(在磁盘驱动器工作过程中用来读出数据)在同一个读写头上，次级元件位于初级元件的附近，导致初级和次级元件的顶部边缘的对齐只有较小的公差。因此，次级磁阻元件能更可靠地作为初级元件的代替物。作为一种选择，次级磁阻元件可制成与初级元件具有相同的尺寸，从而使次级元件在磁性灵敏度方面等同于初级元件。在研磨过程中，次级磁阻元件的磁性灵敏度被监控，并被用来作为初级磁阻读出元件的磁性灵敏度的替代测量。

公开(公告)号：CN1581296A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410058826.X

申请日：2004-07-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 酒井裕儿 ,  下村和人

IPC: G11B5/00 ,  G11B20/12 ,  G11B27/28

CPC classification number: G11B27/3027 ,  G11B5/012 ,  G11B5/09 ,  G11B20/10009 ,  G11B2005/001 ,  G11B2005/0016 ,  G11B2005/0029 ,  G11B2220/20

Abstract: 在一个进行垂直磁记录的磁盘驱动器中，读/写通道(30)具有一个同步标记产生器(38)。该同步标记产生器(38)会在读/写通道(30)开始向盘(1)写入数据之前产生一个第一同步标记。第二同步标记所具有的比特模式包括一系列代表正极性的比特以及一系列代表负极性的比特。稍长的那一系列比特的比特长度与第二同步标记的总比特长度的比值至少为50％，但小于85％。

公开(公告)号：CN1577496A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410061756.3

申请日：2004-06-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 清水友晶 ,  岛泽幸司 ,  田中浩介 ,  照沼幸一

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/0016

Abstract: 作为本发明，在本发明中的磁阻效应膜的至少软磁性层的两个端部配置有一对偏移磁场施加层，该偏移磁场施加层用于通过磁性基底层来向软磁性层提供纵向偏移磁场，磁性基底层与偏移磁场施加层二者相重合的面上的彼此的晶格结点间距实质上相吻合，因此，可使偏移磁场施加层的面内方向(平行于膜面的方向)的顽磁力Hc维持高水平，即便是在以间隔更短、磁道更窄为目标的场合，也能够发挥施加有效偏移磁场的作用。即，发挥抑制巴克豪森噪声的产生的作用。

公开(公告)号：CN1548979A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN200410048958.4

申请日：1997-08-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·B·克拉森 ,  J·范佩彭

IPC: G01R33/06

CPC classification number: B82Y25/00 ,  G01R33/035 ,  G01R33/09 ,  G01R33/093 ,  G01R33/096 ,  G11B5/012 ,  G11B5/02 ,  G11B5/39 ,  G11B5/40 ,  G11B5/486 ,  G11B5/59683 ,  G11B33/122 ,  G11B2005/0016 ,  G11B2005/0018

Abstract: 一种磁致电阻传感器偏磁技术，它对一种产品提供一致的传感器偏磁。这种技术提供传感器恒定功率耗散偏磁、恒定传感器电流密度偏磁、恒定传感器偏磁电压、恒定传感器温升偏磁和传感器的恒定有效磁偏置。