薄膜磁头及其制造方法、磁头万向架组件及硬盘装置

    公开(公告)号:CN100380449C

    公开(公告)日:2008-04-09

    申请号:CN200410043222.8

    申请日:2004-05-14

    CPC classification number: G11B5/3906

    Abstract: 下部磁极层,具有磁极部分层和磁轭部分层。上部磁极层,具有磁极部分层和磁轭部分层。下部磁极层的磁极部分层、记录间隙层及上部磁极层的磁极部分层的与基板的上表面平行的断面形状相同。两磁极部分层及记录间隙层的集合体,包含着具有限定磁道宽度的宽度的第1部分及宽度大于第1部分的宽度的第2部分。当设第1部分的宽度为W并设从媒体相对面ABS到第1部分和第2部分的交界位置的距离为L时,L/W在2以上、5以下。当设与基板的上表面平行的集合体的断面的面积为S时,S/(W×L)在5以上、40以下。

    具备两个自由层的CPP型磁阻效应元件的检查方法

    公开(公告)号:CN101807406B

    公开(公告)日:2012-04-04

    申请号:CN201010004484.9

    申请日:2010-01-21

    Abstract: 本发明涉及具备两个自由层的CPP型磁阻效应元件的检查方法。本发明的检查方法以如下方式构成:将配置在磁阻效应部的后部的正交偏置功能部的磁化方向分别变更为由元件前方朝向后方的第一磁化形成方式以及由元件后方朝向前方的第二磁化形成方式,按照每个磁化形成方式分别测定元件针对外部磁场的输出波形,对照这二者的输出波形的状态,由此,检查发挥自由层功能的第一强磁性层和第二强磁性层的磁化方向是否在正交偏置功能部发挥作用前的状态下成为沿着磁道宽度方向的反平行状态。因此,能够在使正交偏置功能部发挥作用之前的状态下简便地检查两个自由层的磁化方向是否可靠地形成了反平行状态。

    具备两个自由层的CPP型磁阻效应元件的检查方法

    公开(公告)号:CN101807406A

    公开(公告)日:2010-08-18

    申请号:CN201010004484.9

    申请日:2010-01-21

    Abstract: 本发明涉及具备两个自由层的CPP型磁阻效应元件的检查方法。本发明的检查方法以如下方式构成:将配置在磁阻效应部的后部的正交偏置功能部的磁化方向分别变更为由元件前方朝向后方的第一磁化形成方式以及由元件后方朝向前方的第二磁化形成方式,按照每个磁化形成方式分别测定元件针对外部磁场的输出波形,对照这二者的输出波形的状态,由此,检查发挥自由层功能的第一强磁性层和第二强磁性层的磁化方向是否在正交偏置功能部发挥作用前的状态下成为沿着磁道宽度方向的反平行状态。因此,能够在使正交偏置功能部发挥作用之前的状态下简便地检查两个自由层的磁化方向是否可靠地形成了反平行状态。

    薄膜磁头及其制造方法、磁头万向架组件及硬盘装置

    公开(公告)号:CN1551115A

    公开(公告)日:2004-12-01

    申请号:CN200410043222.8

    申请日:2004-05-14

    CPC classification number: G11B5/3906

    Abstract: 下部磁极层,具有磁极部分层和磁轭部分层。上部磁极层,具有磁极部分层和磁轭部分层。下部磁极层的磁极部分层、记录间隙层及上部磁极层的磁极部分层的与基板的上表面平行的断面形状相同。两磁极部分层及记录间隙层的集合体,包含着具有限定磁道宽度的宽度的第1部分及宽度大于第1部分的宽度的第2部分。当设第1部分的宽度为W并设从媒体相对面ABS到第1部分和第2部分的交界位置的距离为L时,L/W在2以上、5以下。当设与基板的上表面平行的集合体的断面的面积为S时,S/(W×L)在5以上、40以下。

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