公开(公告)号：CN1306475C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200410061756.3

申请日：2004-06-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 清水友晶 ,  岛泽幸司 ,  田中浩介 ,  照沼幸一

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/0016

Abstract: 作为本发明，在本发明中的磁阻效应膜的至少软磁性层的两个端部配置有一对偏移磁场施加层，该偏移磁场施加层用于通过磁性基底层来向软磁性层提供纵向偏移磁场，磁性基底层与偏移磁场施加层二者相重合的面上的彼此的晶格结点间距实质上相吻合，因此，可使偏移磁场施加层的面内方向(平行于膜面的方向)的顽磁力Hc维持高水平，即便是在以间隔更短、磁道更窄为目标的场合，也能够发挥施加有效偏移磁场的作用。即，发挥抑制巴克豪森噪声的产生的作用。

公开(公告)号：CN1312665C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200410069757.2

申请日：2004-07-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 田中浩介 ,  岛泽幸司 ,  照沼幸一 ,  清水友晶

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3932 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1121

Abstract: 以夹持MR膜(7)的方式在该MR膜(7)的磁道宽度方向的两侧，相互离开地配置一对磁区控制层(9)，对MR膜(7)(自由层(27))施加纵向偏移磁场。该磁区控制层(9)包括基底层(31)、强磁性层(33)和硬质磁性层(35)的层构造体，通过保护层为媒介设置在MR膜(7)的两肋。基底层(31)是使硬质磁性层(35)的磁化方向在平面内方向上一致、用于提高硬质磁性层(35)矫顽力的层，使用具有体心立方构造的材料。是提高作为整个磁区控制层(9)的饱和磁化的层，使用具有体心立方构造的强磁性材料，硬质磁性层(35)是由含Co的硬质磁性材料形成。

公开(公告)号：CN1577498A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410069757.2

申请日：2004-07-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 田中浩介 ,  岛泽幸司 ,  照沼幸一 ,  清水友晶

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3932 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1121

Abstract: 以夹持MR膜7的方式在该MR膜7的磁道宽度方向的两侧，相互离开地配置一对磁区控制层9，对MR膜7(自由层27)施加纵向偏移磁场。该磁区控制层9包括基底层31、强磁性层33和硬质磁性层35的层构造体，通过保护层为媒介设置在MR膜7的两肋。基底层31是使硬质磁性层35的磁化方向在平面内方向上一致、用于提高硬质磁性层35矫顽力的层，使用具有体心立方构造的材料。是提高作为整个磁区控制层9的饱和磁化的层，使用具有体心立方构造的强磁性材料，硬质磁性层35是由含Co的硬质磁性材料形成。

公开(公告)号：CN1577496A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410061756.3

申请日：2004-06-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 清水友晶 ,  岛泽幸司 ,  田中浩介 ,  照沼幸一

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/0016

Abstract: 作为本发明，在本发明中的磁阻效应膜的至少软磁性层的两个端部配置有一对偏移磁场施加层，该偏移磁场施加层用于通过磁性基底层来向软磁性层提供纵向偏移磁场，磁性基底层与偏移磁场施加层二者相重合的面上的彼此的晶格结点间距实质上相吻合，因此，可使偏移磁场施加层的面内方向(平行于膜面的方向)的顽磁力Hc维持高水平，即便是在以间隔更短、磁道更窄为目标的场合，也能够发挥施加有效偏移磁场的作用。即，发挥抑制巴克豪森噪声的产生的作用。