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公开(公告)号：CN106104764A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013518.1
申请日：2015-03-05
申请人： 嘉柏微电子材料股份公司
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 本发明提供用于抛光含钨基材的化学机械抛光(CMP)方法。随本发明方法一起使用的抛光组合物包含水性载剂、研磨剂、多氨基化合物、金属离子、螯合剂、氧化剂及任选的氨基酸。本发明方法有效地移除钨，同时减少表面缺陷，例如，典型地与钨CMP相关的凹坑。
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公开(公告)号：CN106103639A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013519.6
申请日：2015-03-09
申请人： 嘉柏微电子材料股份公司
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 用于抛光具有钨层的基板的化学机械抛光组合物，其包括基于水的液体载剂、分散于该液体载剂中且具有至少6mV永久性正电荷的胶态二氧化硅研磨剂、以及在该液体载剂中呈溶液形式的多阳离子型胺化合物。用于化学机械抛光包括钨层的基板的方法，其包括：使该基板与上述抛光组合物接触，相对于该基板移动该抛光组合物，及研磨该基板以自该基板移除该钨的一部分并由此抛光该基板。
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公开(公告)号：CN106103638A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013513.9
申请日：2015-03-09
申请人： 嘉柏微电子材料股份公司
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , C23F1/40 , H01L21/3212
摘要： 用于抛光具有钨层的基板的化学机械抛光组合物，其包括基于水的液体载剂、分散于该液体载剂中且具有至少6mV永久性正电荷的胶态二氧化硅研磨剂、在该液体载剂中呈溶液形式的胺化合物、以及含铁的促进剂。用于化学机械抛光包括钨层的基板的方法，其包括：使该基板与上述抛光组合物接触，相对于该基板移动该抛光组合物，及研磨该基板以自该基板移除该钨的一部分并由此抛光该基板。
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公开(公告)号：CN104284960B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201380024465.4
申请日：2013-03-14
申请人： 嘉柏微电子材料股份公司
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/306
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： 本发明提供化学-机械抛光组合物，其含有：氧化铈研磨剂、一种或多种非离子型聚合物、任选的一种或多种膦酸、任选的一种或多种含氮两性离子化合物、任选的一种或多种磺酸共聚物、任选的一种或多种阴离子共聚物、任选的一种或多种包含季胺的聚合物、任选的一种或多种调节所述抛光组合物的pH的化合物、水、以及任选的一种或多种添加剂。本发明进一步提供利用本发明化学-机械抛光组合物化学-机械抛光基材的方法。典型地，所述基材含有氧化硅、氮化硅和/或多晶硅。
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公开(公告)号：CN105814668A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480067424.8
申请日：2014-12-04
申请人： 嘉柏微电子材料股份公司
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/31053
摘要： 本发明提供用于抛光包含二氧化硅及硅氮化物的基板的化学机械抛光组合物及方法，其在经图案化的晶片上提供相对于硅氧化物(例如，PETEOS)的对SiN的选择性移除。在一个实施方案中，CMP方法包括用CMP组合物研磨包含SiN及硅氧化物的基板表面以从其移除至少一些SiN。该CMP组合物包含以下物质、基本上由以下物质组成、或者由以下物质组成：悬浮于水性载体中的粒状研磨剂(例如，氧化铈)，且含有带有经季铵化的氮?杂芳族悬垂部分的阳离子型聚合物，其中该组合物的pH大于3。
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公开(公告)号：CN105814163A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480067701.5
申请日：2014-09-30
申请人： 嘉柏微电子材料股份公司
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/02013 , H01L21/30625 , H01L21/31053
摘要： 本发明提供化学机械抛光组合物以及使用所述化学机械抛光组合物来化学机械抛光基材的方法。所述抛光组合物包含：第一研磨剂颗粒，其中该第一研磨剂颗粒为铈土颗粒；第二研磨剂颗粒，其中该第二研磨剂颗粒为铈土颗粒、经表面改性的硅石颗粒、或有机颗粒；pH调节剂；以及水性载体。此外，该抛光组合物呈现多峰粒径分布。
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公开(公告)号：CN105408063A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480042621.4
申请日：2014-07-17
申请人： 内克斯普拉纳公司
IPC分类号： B24B37/24
CPC分类号： B24D11/04 , B24B37/205 , B24B37/24 , B24D11/006
摘要： 描述了低密度抛光垫和制造低密度抛光垫的方法。在一个实例中，用于将基质抛光的抛光垫包含具有小于0.5g/cc的密度且包含热固性聚氨酯材料(220)的抛光体(222)。多个闭孔(214,218)分散于热固性聚氨酯材料(220)中。
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公开(公告)号：CN103328599B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201280006116.5
申请日：2012-01-17
申请人： 嘉柏微电子材料股份公司
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02024 , C09G1/02
摘要： 本发明涉及化学机械抛光组合物，其包括二氧化硅、一种或多种四烷基铵盐、一种或多种碳酸氢盐、一种或多种碱金属氢氧化物、一种或多种氨基膦酸、一种或多种速率加速剂化合物、一种或多种多糖、以及水。该抛光组合物使经抛光的基材的表面粗糙度和PSD减小。本发明进一步涉及使用本文中所述的抛光组合物对基材、尤其是硅基材进行化学机械抛光的方法。
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公开(公告)号：CN105229110A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480029245.5
申请日：2014-05-08
申请人： 嘉柏微电子材料股份公司
IPC分类号： C09K3/14 , C09K11/06 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/044 , C09G1/16
摘要： 本发明提供化学-机械抛光组合物，其含有：氧化铈研磨剂、式I的离子聚合物、和水，其中X1和X2、Z1和Z2、R2、R3和R4、以及n如本文中所定义的，其中该抛光组合物具有1至4.5的pH。本发明进一步提供用本发明化学机械抛光组合物对基材进行化学-机械抛光的方法。典型地，该基材含有氧化硅、氮化硅、和/或多晶硅。
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