公开(公告)号：CN105814668B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201480067424.8

申请日：2014-12-04

申请人： 嘉柏微电子材料股份公司

发明人： D.戴恩加 ,  S.谢卡 ,  贾仁合 ,  D.马特加

IPC分类号： H01L21/304

摘要： 本发明提供用于抛光包含二氧化硅及硅氮化物的基板的化学机械抛光组合物及方法，其在经图案化的晶片上提供相对于硅氧化物(例如，PETEOS)的对SiN的选择性移除。在一个实施方案中，CMP方法包括用CMP组合物研磨包含SiN及硅氧化物的基板表面以从其移除至少一些SiN。该CMP组合物包含以下物质、基本上由以下物质组成、或者由以下物质组成：悬浮于水性载体中的粒状研磨剂(例如，氧化铈)，且含有带有经季铵化的氮‑杂芳族悬垂部分的阳离子型聚合物，其中该组合物的pH大于3。

公开(公告)号：CN105814668A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201480067424.8

申请日：2014-12-04

申请人： 嘉柏微电子材料股份公司

发明人： D.戴恩加 ,  S.谢卡 ,  贾仁合 ,  D.马特加

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

摘要： 本发明提供用于抛光包含二氧化硅及硅氮化物的基板的化学机械抛光组合物及方法，其在经图案化的晶片上提供相对于硅氧化物(例如，PETEOS)的对SiN的选择性移除。在一个实施方案中，CMP方法包括用CMP组合物研磨包含SiN及硅氧化物的基板表面以从其移除至少一些SiN。该CMP组合物包含以下物质、基本上由以下物质组成、或者由以下物质组成：悬浮于水性载体中的粒状研磨剂(例如，氧化铈)，且含有带有经季铵化的氮?杂芳族悬垂部分的阳离子型聚合物，其中该组合物的pH大于3。