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公开(公告)号：CN110690328A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910982153.3
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件。包括μLED晶粒，波长下转换发光层，上、下驱动电极，绝缘体，光学微结构以及控制模块，所述上、下驱动电极和所述μLED晶粒无直接的电学接触，所述控制模块分别与所述上、下驱动电极电学连接，为所述上、下驱动电极提供交变驱动信号形成驱动电场，所述驱动电场控制所述μLED晶粒的电子和空穴复合并发出第一光源，经所述波长下转换发光层而转化为第二光源。本发明提出的一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件中的驱动电极与μLED晶粒中p型半导体层和n型半导体层没有电学接触，能避免μLED发光器件中的芯片复杂制作工艺、以及μLED芯片与驱动芯片的键合和巨量转移工艺，有效降低μLED器件制作周期和成本。
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公开(公告)号：CN110676250A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910982161.8
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种无电学接触无巨量转移的全彩化μLED显示器件。包括设置于下透明基板表面的下驱动电极，设置于上透明基板上、下表面的光学微结构和上驱动电极，连接所述上、下透明基板的障壁微结构，设置障壁微结构内的μLED晶粒、波长下转换发光层和绝缘层以及控制模块；障壁微结构沿上驱动电极的方向依次构成红光显示的R单元，绿光显示的G单元及蓝光显示的B单元。本发明上、下驱动电极与μLED晶粒没有电学接触，通过控制模块提供交变驱动信号和电学耦合实现对μLED晶粒点亮，激发波长下转换发光层而实现全彩化显示，可有效地避免全彩μLED器件中三基色μLED芯片复杂制作工艺，及发光芯片与驱动芯片复杂Bonding和巨量转移工艺，缩短μLED显示制作周期，降低制作成本。
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公开(公告)号：CN109085716A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201811104012.3
申请日：2018-09-21
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/1335
Abstract: 本发明涉及一种基于微流控和量子点技术的彩色滤光膜制备方法。所述制备方法包括设计微流控模板模板，制备进液孔和出液孔，配制具有不同发光波长的量子点墨水，采用微流控方法将量子点墨水注入PDMS沟道，并进行固化，在彩色滤光膜表面制备具有布拉格反射镜（DBR）结构的水氧阻隔膜。本发明制作方法工艺简单、操作简便、速度快、成本低，且能实现高色纯度、高显色指数、广色域，效果显著。
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公开(公告)号：CN106435483A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611137869.6
申请日：2016-12-12
Applicant: 福州大学
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/042 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种高精度OLED器件的制备装置及制备方法。包括蒸发源阵列、基板、传动装置以及配合蒸发源阵列的掩膜板；所述蒸发源阵列由若干个蒸发源排列而成，蒸发源中的材料垂直向上蒸发至基板上，通过传动装置带动基板或蒸发源阵列的移动，完成基板的蒸镀，进而形成OLED器件。本发明加大了基板与掩膜板的距离，减小掩膜板对蒸镀的影响；减小蒸发源与基板的距离，使得蒸发材料更少地扩散在蒸发环境里，节约了蒸发材料；另外，还减小蒸发源间距，减小掩膜板孔隙间距，实现点对点的蒸发，增加单位面积内子像素的个数，实现了高精度OLED器件的制备。
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公开(公告)号：CN118841360B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411334446.8
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种具备多层复合结构的平面转移印章及制备方法，平面转移印章包括基板和设置在基板上的吸附层，吸附层可吸附LED芯片，基板和吸附层之间设置有形变层，形变层在受力时可发生形变；基板和形变层之间还设置有粘附层，粘附层可粘附基板和形变层；形变层由硅油和高分子材料A组成，高分子材料A由聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、硅橡胶和环氧树脂中的一种或多种组成。本发明平面转移印章在受力时发生形变，保证印章与目标基板贴合。通过加热可以改变盖印章与芯片的黏性，避免粘力过小无法拾取芯片，粘力过大，无法将芯片留在目标基板上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113937126B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202111203147.7
申请日：2021-10-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Micro‑LED芯片键合技术的车载透明显示器件，其特征在于，包括透明基板，若干列电极，带镂空孔阵列的透明介质层，行电极、Micro‑LED芯片和控制模块；所述列电极平行设置于所述透明基板表面，所述透明介质层设置于所述列电极阵列表面，所示行电极平行设置于所述介质层表面，与所述列电极绝缘且垂直交错；所述镂空阵列设置在行电极与列电极之间；所述镂空孔中还设有金属Pad1和金属Pad2；所述Micro‑LED芯片的阴极键合在暴露镂空处的金属Pad1上，所述Micro‑LED芯片的阳极键合在暴露镂空处的金属Pad2上；所述控制模块与行电级和列电级分别连接。本发明Micro‑LED显示尺寸小，分辨率、对比度和亮度高，应用于车载显示可有效地提高驾驶的安全性和方便程度。
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公开(公告)号：CN117031854A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311055616.4
申请日：2023-08-22
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/29 , G02F1/1343 , G02F1/1345 , G02F1/1347 , G02F1/1362
Abstract: 本发明公开了一种透镜区域可调的液晶透镜，包括：第一基板；设置于第一基板上按照预设间隔的若干个第一导电电极；设置于第一导电电极两两之间的第二高阻栅条；设置于第一基板对向的第二基板，第二基板上设置有公共面电极；设置于第一基板和第二基板之间的液晶层，液晶层内填充有液晶分子；其中，液晶透镜被配置为：根据拟构建透镜的位置信息、直径信息，在第一导电电极中选取液晶透镜中的第一边缘电极、第二边缘电极以及中心电极，并分别向第一边缘电极、第二边缘电极施加第一电位，向中心电极施加第二电位，向公共面电极施加第三电位。本发明在提高液晶透镜光学特性的同时可以使得透镜区域可以调整以适应各种应用场景。
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公开(公告)号：CN111834388B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202010535463.3
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种带有单片集成驱动电路的μLED显示芯片，其外延结构从下至上包括衬底、未掺杂缓冲层、第一、第二、第三掺杂半导体层、未掺杂发光层、第四掺杂半导体层。所述芯片的器件结构包括在上述材料上通过半导体工艺制备的各种图形化结构，具体包括半导体台面、沉积的绝缘层和透明电极、沉积的金属接触电极。芯片工作时，其μLED是发光单元；多个双极型晶体管、多个电容组成的电路部分是驱动单元，它对发光单元进行一对一的控制。本发明的最大优点是将像素的发光单元和驱动单元直接集成，从而不需将发光单元一对一精准地转移至驱动衬底上并键合，规避了一大技术瓶颈。本发明降低μLED显示芯片的设计制造复杂度，提高了集成度、良率、可靠性。
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公开(公告)号：CN116344719A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310296474.4
申请日：2023-03-24
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种小出光角的Micro‑LED结构。所述Micro‑LED结构，包括Micro‑LED台面、光转向层、光聚集层；Micro‑LED台面结构主要包括N掺杂区、多量子阱层、P掺杂区等；光转向层结构包括：金属反射层、高折射率透明介质层、低折射率透明介质层；光聚集层结构包括：一维光子晶体、二维光子晶体。该结构主要优势在于，可减小Micro‑LED出光角度并增大出光面法向的光强，同时可抑制侧壁出光，使Micro‑LED更好地应用于近眼显示等领域。
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公开(公告)号：CN111128813B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202010063816.4
申请日：2020-01-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种µLED巨量转移方法，首先利用光学胶将蓝膜上待转移的µLED芯片转移到临时转移基板上，然后采用超高分辨率发光点阵选择照射区域，即筛选欲转移的µLED芯片位置，有被光照的µLED芯片将与临时转移基板脱离，转移到驱动背板，没有被光照过的µLED芯片将继续留在临时转移基板，等待下一次的转移，从而实现批量的、有选择性的µLED芯片转移。
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