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公开(公告)号：CN103441143B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310289169.9
申请日：2013-07-10
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 具有变组分混合晶体发射区的抗闩锁IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于常规IGBT结构，通过将发射区的纯硅材料变为组分渐变的混合晶体，形成禁带宽度缓变的发射区能带结构。该能带结构在不降低发射区与基区所形成PN结的内建电势的前提下，在发射区内形成发射区少子的加速电场，从而使发射区的少子扩散电流密度增加，基区向发射区的注入增强；而另一方面，发射区向基区的注入保持不变。因此，发射区、基区和漂移区构成的寄生晶体管的发射结注入效率降低，电流放大系数降低，使IGBT中的寄生晶闸管更难达到闩锁条件，这就提高了IGBT的临界闩锁电流，增加了IGBT的安全工作区，提高了IGBT的可靠性。
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公开(公告)号：CN103165657B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310078793.4
申请日：2013-03-13
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明针对专利文献CN102244092B提供的一种横向高压功率半导体器件的结终端结构中直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分的电荷平衡问题，在保持器件表面横向超结掺杂条宽度为最小光刻精度W情况下，对终端结构进行分析和优化，提出表面超结结构浓度的关系表达式，根据关系式优化器件结构，从而得到最优化的击穿电压。同时，N型漂移区表面所有的横向超结结构宽度都采用最小光刻精度W，可以减小芯片的版图面积。
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公开(公告)号：CN102832134B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210316793.9
申请日：2012-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L21/336
Abstract: 具有超薄源区的槽栅型VDMOS的制备方法，属于半导体器件与工艺制造领域。借助斜角度离子注入技术，仅利用2张光刻版即可实现具有超薄源区的VDMOS器件，节约了制造成本，且超薄源区的形成不受光刻精度的制约，可以做得极窄，从而能够有效防止槽栅VDMOS器件中寄生BJT晶体管的开启，提高器件的抗UIS失效能力。
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公开(公告)号：CN102790087B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210248776.6
申请日：2012-07-18
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种具有ESD保护功能的nLDMOS器件，属于电子技术领域。本发明在常规nLDMOS器件的漂移区和漏极接触区之间引入制作低压器件的P阱与N阱，迫使ESD电流流经器件更深区域，降低ESD应力下的尖峰功率密度，避免电流集中于器件表面，在大幅改善漏端鸟嘴处的可靠性基础上，改善了器件的散热均匀性，从而提高了器件ESD保护能力。本发明与Bipolar CMOS DMOS工艺兼容，不会不显著增加器件成本。
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公开(公告)号：CN102623492A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210098651.X
申请日：2012-04-06
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/745 , H01L29/749 , H01L29/06
Abstract: 一种MOS场控晶闸管(MCT)，属于功率半导体器件技术领域。本发明将普通MCT的P型体区向下延伸、延伸区插入N-型漂移区，以增大P型体区与N-漂移区的接触面积，增加少数载流子的抽取通道，进而加快少数载流子的抽取速度，缩短关断时间，减小关断损耗。当P型延展区与N-型漂移区恰好达到电荷平衡时，电荷平衡的P型延展区与N-型漂移区恰好形成超结结构(SuperJunction)，这种情况下的MOS场控晶闸管能进一步优化反向耐压特性，降低器件的导通压降。本发明快速关断的特性，可显著提高器件的工作频率，使器件比常规MCT有更广的应用范围，更适合应用于高压开关电路中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119171036A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411332764.0
申请日：2024-09-24
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01P1/207
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，具体涉及一种基于通孔微扰的单层多模SIW双通带滤波器，包括：一层介质基板和分别位于基板上下表面的两层金属层；所述介质基板四周均设置有第一金属通孔阵列，所述介质基板上的第一金属通孔阵列围成方形形状与上、下层金属层构成SIW方形谐振腔；所述上、下层金属层的左右对称处分别设置有输入、输出端口，并通过50欧姆微带线接入SIW方形谐振腔。本发明利用金属通孔扰动SIW方形谐振腔内的模式引入传输零点，使该滤波器具有高选择性，滤波性能更加良好；通过调节腔内金属通孔列和金属通孔到谐振腔中心的间距，可以得到理想的通带中心频率和通带带宽。
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公开(公告)号：CN115085704B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202210787494.7
申请日：2022-07-06
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H03K17/081 , H02H5/04
Abstract: 本发明属于功率集成电路技术领域，尤其涉及一种应用于智能功率开关的保护电路。本发明在片内增加一个靠近逻辑控制电路的温度传感器，在浪涌电流到来时，随着功率管结温的升高，两个温度传感器之间会产生一定的温度梯度，当温度梯度过大时，两个温度传感器给出功率限制的信号，将功率开关关断，待热量在整个芯片散开片内无较大温度梯度之后再重新开启。同时，在控制片内相对温度差的基础之上，在电流限制电路中引入多个档位，在功率管结温较低时限流值较高，在功率管结温较高时限流值变为低，从而保证功率管不被烧毁。既保证了温度较低时有较大的负载电流，又保证了芯片内相对温度差较低，使得芯片在经历多次功率循环之后仍具有较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN117673154A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311338150.9
申请日：2023-10-16
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种具有哑铃状体内埋层的新型LDMOS结构及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第二导电类型漂移区、第一导电类型阱区、第一导电类型埋层、第二导电类型埋层、位于器件表面的多晶硅栅电极、第一介质氧化层、第二介质氧化层。第一导电类型埋层和第二导电类型埋层位于漂移区体内；本发明通过新型工艺制造方法在漂移区引入哑铃状第一导电类型埋层与条形第二导电类型埋层，使器件漂移区内开态时形成更宽的导电路径，能够实现比导通电阻的降低；此外，该结构能够优化器件表面电场分布，解决器件可靠性的问题。
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公开(公告)号：CN114823873B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210460657.0
申请日：2022-04-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供一种能够增大设计窗口、提高工艺容差的超结功率器件终端结构，该结构在过渡区和器件边缘之间的终端区顶部设有新型多晶硅阻性场板，利用场板内电势均匀分布的特性在终端内顶部引入额外的电场来限制非耗尽区的扩展，优化电荷分布。本发明结构包括第一掺杂类型外延层、第二掺杂类型超结柱区、第二掺杂类型体区、第二掺杂类型横向连接层、第二掺杂类型体接触区、第一掺杂类型源接触区、栅氧化层、钝化层、场氧化层、栅电极、第二掺杂类型边缘接触区、多晶硅阻性场板、金属层等。本发明结构与无场板终端结构相比更容易维持高耐压，使脆弱的终端区达到与元胞区相同的击穿电压容差水平，增大设计窗口，提高设计灵活性，降低工艺控制难度。
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公开(公告)号：CN116362035A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310315631.1
申请日：2023-03-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G06F30/20 , G06F17/11 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种硅基GaN HEMT器件衬底偏置效应仿真建模方法。本发明基于薛定谔泊松方程为基础，考虑GaN HEMT器件在衬底偏置时由于场效应导致的阈值电压漂移以及动态导通电阻退化，将器件所受衬底偏压构建为与器件阈值漂移量一阶线性相关。基于陷阱中心对沟道载流子的捕获与释放效应以及GaN Buffer层的正电荷存储效应，利用SRH统计，构建出不同脉冲衬底偏压大小与GaN HEMT阈值电压和迁移率的非线性指数型关系，最终衬底偏压对模型参数的改变量输入GaN HEMT核心漏极电流解析模型，并应用GaN HEMT器件的大信号仿真与电路设计中，通过测试数据与电路仿真验证了该模型对衬底偏置效应模拟的有效性。
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