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公开(公告)号：CN103268886B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310174274.8
申请日：2013-05-13
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明针对专利文献CN102244092B提供的一种横向高压功率半导体器件的结终端结构中直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分的电荷平衡问题，在保持器件表面横向超结掺杂条宽度为最小光刻精度W的两倍的情况下，对终端结构进行分析和优化，提出表面超结结构浓度的关系表达式，根据关系式优化器件结构，从而得到最优化的击穿电压。同时，N型漂移区表面所有的横向超结结构宽度都采用最小光刻精度W，可以减小芯片的版图面积。
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公开(公告)号：CN103165657B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310078793.4
申请日：2013-03-13
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明针对专利文献CN102244092B提供的一种横向高压功率半导体器件的结终端结构中直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分的电荷平衡问题，在保持器件表面横向超结掺杂条宽度为最小光刻精度W情况下，对终端结构进行分析和优化，提出表面超结结构浓度的关系表达式，根据关系式优化器件结构，从而得到最优化的击穿电压。同时，N型漂移区表面所有的横向超结结构宽度都采用最小光刻精度W，可以减小芯片的版图面积。
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公开(公告)号：CN102810540B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210268627.6
申请日：2012-07-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有电流采样功能的LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。包括集成于同一半导体芯片的主功率LDMOS器件（100）和电流检测LDMOS器件（101）。本发明通过控制主功率器件和电流检测功率器件的沟道区宽度之比以实现电流采样。通过主功率器件和电流检测功率器件共用漏极结构以达到节省芯片面积的目的；同时通过短接主功率器件和电流采样功率器件各自的P+接触区和N+接触区（与各自的源极金属相连），并且将电流采样功率器件的P型体区做在一个N阱中、使得电流采样功率器件的P型体区与衬底完全隔离，实现了电流检测功率器件的源极电压浮动且消除了衬底去偏置效应，最终使得电流检测功率器件对主功率器件电流进行准确采样的目的。
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公开(公告)号：CN102832249A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210333289.X
申请日：2012-09-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 一种MOS型功率半导体器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明将常规MOS型功率半导体器件中并排位于P型阱区内沿器件宽度方向呈条状结构的P型杂质重掺杂区2和N型杂质重掺杂区1改变成沿器件宽度方向呈交替间隔分布。本发明能够大大减小寄生晶体管的开启几率，从而有效的防止器件二次击穿的发生，扩大器件安全工作区，提高器件的可靠性。同时，本发明寄生栅源电容相比传统结构减少约二分之一。最后，本发明在制造过程中只需改动P型杂质重掺杂区2和N型杂质重掺杂区1的注入掩膜版，即可赢得器件可靠性的巨大改善，简单易行。
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公开(公告)号：CN102361031A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110318010.6
申请日：2011-10-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种用于SOI高压集成电路的半导体器件，属于功率半导体器件领域。包括半导体衬底层、介质埋层、顶层硅；顶层硅中至少集成了高压LIGBT、NLDMOS和PLDMOS器件；介质埋层的厚度不超过5微米，顶层硅的厚度不超过20微米；高压器件底部、介质埋层表面上方的顶层硅中具有多个不连续的高浓度N+区(掺杂浓度不低于1e16cm-3)；高压器件之间采用介质隔离区隔离。器件还可集成低压MOS器件，高、低压器件之间采用介质隔离区隔离，不同的低压器件之间采用场氧化层隔离。本发明由于多个不连续高浓度N+区的引入，削弱了顶层硅电场同时增强了介质埋层电场，器件击穿电压大幅提高，可用在汽车电子、消费电子、绿色照明、工业控制、电源管理、显示驱动等众多领域的高压集成电路中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102779821B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210268621.9
申请日：2012-07-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种集成了采样电阻的电流检测LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。包括集成于同一半导体芯片的主功率LDMOS器件（100）、电流检测LDMOS器件（101）和采样电阻（102）。通过控制主功率LDMOS器件和电流检测LDMOS器件的沟道区宽度之比实现电流采样；主功率LDMOS器件和电流检测LDMOS器件共用漏极结构以节省芯片面积；短接主功率LDMOS器件和电流检测LDMOS器件各自的P+接触区和N+接触区，并且将电流检测LDMOS器件的P型体区做在一个N阱中、使得电流检测LDOMS器件的P型体区与衬底完全隔离，实现了电流检测LDMOS器件的源极电压浮动且消除了衬底去偏置效应；另外将采样电阻同时集成可避免外接采样电阻带来的噪声影响，使得电流检测LDMOS器件对主功率LDMOS器件电流进行准确采样。
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公开(公告)号：CN103268886A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310174274.8
申请日：2013-05-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明针对专利文献CN102244092B提供的一种横向高压功率半导体器件的结终端结构中直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分的电荷平衡问题，在保持器件表面横向超结掺杂条宽度为最小光刻精度W的两倍的情况下，对终端结构进行分析和优化，提出表面超结结构浓度的关系表达式，根据关系式优化器件结构，从而得到最优化的击穿电压。同时，N型漂移区表面所有的横向超结结构宽度都采用最小光刻精度W，可以减小芯片的版图面积。
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公开(公告)号：CN102244092A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110166312.6
申请日：2011-06-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于半导体功率器件技术领域。通过将横向高压功率半导体器件的曲率终端部分的N型漂移区长度缩短，使得N型漂移区与P-well区间隔一定距离，间隔部分以P型衬底代替，相当于引入P型衬底的附加电荷，使得原来的P-well区与N型漂移区构成的pn结处的电场峰值降低，同时在P型衬底与N型漂移区构成的pn结处引入新的电场峰值，而且增大了曲率终端的曲率半径，避免电力线的过于集中，提高器件的击穿电压。其中N型漂移区表面还可与表面RESURF结构或超结结构相结合。本发明可以减小器件曲率终端的宽度，节约器件版图面积，并且与CMOS工艺相兼容，利用本发明可制作性能优良的高压、高速、低导通损耗的横向高压功率器件。
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公开(公告)号：CN103165657A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310078793.4
申请日：2013-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明针对专利文献CN102244092B提供的一种横向高压功率半导体器件的结终端结构中直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分的电荷平衡问题，在保持器件表面横向超结掺杂条宽度为最小光刻精度W情况下，对终端结构进行分析和优化，提出表面超结结构浓度的关系表达式，根据关系式优化器件结构，从而得到最优化的击穿电压。同时，N型漂移区表面所有的横向超结结构宽度都采用最小光刻精度W，可以减小芯片的版图面积。
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公开(公告)号：CN102810540A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210268627.6
申请日：2012-07-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有电流采样功能的LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。包括集成于同一半导体芯片的主功率LDMOS器件（100）和电流检测LDMOS器件（101）。本发明通过控制主功率器件和电流检测功率器件的沟道区宽度之比以实现电流采样。通过主功率器件和电流检测功率器件共用漏极结构以达到节省芯片面积的目的；同时通过短接主功率器件和电流采样功率器件各自的P+接触区和N+接触区（与各自的源极金属相连），并且将电流采样功率器件的P型体区做在一个N阱中、使得电流采样功率器件的P型体区与衬底完全隔离，实现了电流检测功率器件的源极电压浮动且消除了衬底去偏置效应，最终使得电流检测功率器件对主功率器件电流进行准确采样的目的。
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