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公开(公告)号：CN103280457B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310177386.9
申请日：2013-05-14
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 一种超低比导通电阻的横向高压功率器件及制造方法，属于功率半导体器件技术领域。通过光刻和离子注入工艺在第二导电类型半导体漂移区（2）表面形成的第二导电类型半导体重掺杂层（5），开态时为器件提供低阻表面导电通道，与降场层（3）下方的第二导电类型半导体漂移区（2）一起，为器件提供两个导电通道。由于采用离子注入增加了低阻表面导电通道，减小了器件表面的电阻率，极大地降低了器件的导通电阻。与常规具有降场层的高压器件相比，本发明提供的横向高压功率器件在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻（或在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积）。本发明可应用于消费电子、显示驱动等多种产品中。
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公开(公告)号：CN103165678B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310077827.8
申请日：2013-03-12
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种超结LDMOS器件，属于半导体功率器件领域。本发明在传统超结LDMOS器件的P型衬底中嵌入均匀分布的N+岛，并在有源区和衬底之间加入一层P型电场屏蔽埋层。其中N+岛（2）能通过增强体内电场来提高器件的纵向耐压，同时产生额外的电荷来消除衬底辅助耗尽效应，从而提高器件的击穿电压；P型电场屏蔽埋层（3）可屏蔽源端附近N+岛（2）产生的高电场，降低源区附近电场峰值，并且与N型缓冲层形成超结，加上本身的超结漂移区，使得器件具有多重超结结构，从而有效改善体内的电场分布，提高器件的击穿电压，并同时通过提高漂移区的掺杂浓度来降低器件的比导通电阻，最终达到有效减小器件面积、降低器件成本的目的。
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公开(公告)号：CN103165657B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310078793.4
申请日：2013-03-13
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明针对专利文献CN102244092B提供的一种横向高压功率半导体器件的结终端结构中直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分的电荷平衡问题，在保持器件表面横向超结掺杂条宽度为最小光刻精度W情况下，对终端结构进行分析和优化，提出表面超结结构浓度的关系表达式，根据关系式优化器件结构，从而得到最优化的击穿电压。同时，N型漂移区表面所有的横向超结结构宽度都采用最小光刻精度W，可以减小芯片的版图面积。
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公开(公告)号：CN103426913B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310345306.6
申请日：2013-08-09
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种部分SOI超结高压功率半导体器件。本发明所述的一种部分SOI超结高压功率半导体器件，其特征在于，还包括多个N+岛和P型电场屏蔽层，所述多个N+岛均匀嵌入设置在P型衬底中，所述P型电场屏蔽层设置在P型衬底中，并且上表面与P型体区和靠近源端的N型缓冲区的下表面连接、下表面与埋氧层的上表面连接。本发明的有益效果为，通过改变电场分布，提高漂移区掺杂浓度，进而提高器件耐压和降低比导通电阻，减小器件面积，降低成本。本发明尤其适用于部分SOI超结高压功率半导体器件。
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公开(公告)号：CN103036550B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210529443.0
申请日：2012-12-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K17/78 , H03K17/567
Abstract: 一种快速放电的光电继电器，属于电子技术领域。包括输入端光控信号产生电路、光控信号接收及光电转换电路、控制电路和输出电路；输入端光控信号产生电路由一个发光二极管LED（11）构成，光控信号接收及光电转换电路由一个光电二极管阵列PDA构成，控制电路包括一个级联三极管、三个二极管，用于为输出电路的功率MOSFET器件提供充放电通道；输出电路包括一对功率MOSFET器件。本发明提供的快速放电的光电继电器，由于其控制电路采用了两个或多个三级管的级联，级联后的三极管电流放大倍数增大，抽取电荷的速度显著加快，因而比现有的光电继电器具有更快的放电速度，能够适应更高频率的继电场合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103312310A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310176323.1
申请日：2013-05-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K17/78 , H03K17/567
Abstract: 一种高速光电继电器，属于电子技术领域，涉及光电继电器。本发明针对现有内置光电控制电路的光电继电器由于放电速度慢导致继电器关断速度较慢的技术问题进行改进。采用双级或多级三极管级联构成达林顿管作为控制电路中的放电通道，级联后放大倍数增大，电路放电能力增强，在光伏输出消失后通过高速放电通道，使得功率MOSFET关断速度大大提高，从而达到快速关断继电器的目的。
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公开(公告)号：CN103474466B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310418088.4
申请日：2013-09-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7835 , H01L21/266 , H01L29/063 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/7816
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种高压器件及其制造方法。本发明的高压器件集成在第一种导电类型半导体衬底上，包括第二种导电类型半导体漂移区、第二种导电类型半导体源区、第二种导电类型半导体漏区、第二种导电类型半导体重掺杂层、第一种导电类型半导体体区、第一种导电类型半导体体接触区、第一种导电类型半导体降场层、栅氧化层、场氧化层、金属前介质、多晶硅栅电极、源极金属、漏极金属，第二种导电类型半导体重掺杂层设置在场氧化层和第一种导电类型半导体降场层之间。本发明的有益效果为，在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积，优化器件的表面电场，并且制备方法简单，工艺难度较低。本发明尤其适用于高压器件。
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公开(公告)号：CN102969358B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210516539.3
申请日：2012-12-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种横向高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比传统横向超结器件，纵向超结元胞结构减小了版图面积，进一步降低了导通电阻；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过终端结构将漏电极横向引出，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本。本发明具有导通电阻低、耐压高、版图面积小等诸多优点，采用本发明可获得各种性能优良的横向半导体功率器件，具有高速、高集成度、低导通损耗的特点。
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公开(公告)号：CN103474466A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310418088.4
申请日：2013-09-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7835 , H01L21/266 , H01L29/063 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/7816
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种高压器件及其制造方法。本发明的高压器件集成在第一种导电类型半导体衬底上，包括第二种导电类型半导体漂移区、第二种导电类型半导体源区、第二种导电类型半导体漏区、第二种导电类型半导体重掺杂层、第一种导电类型半导体体区、第一种导电类型半导体体接触区、第一种导电类型半导体降场层、栅氧化层、场氧化层、金属前介质、多晶硅栅电极、源极金属、漏极金属，第二种导电类型半导体重掺杂层设置在场氧化层和第一种导电类型半导体降场层之间。本发明的有益效果为，在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积，优化器件的表面电场，并且制备方法简单，工艺难度较低。本发明尤其适用于高压器件。
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公开(公告)号：CN103280457A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310177386.9
申请日：2013-05-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 一种超低比导通电阻的横向高压功率器件及制造方法，属于功率半导体器件技术领域。通过光刻和离子注入工艺在第二导电类型半导体漂移区（2）表面形成的第二导电类型半导体重掺杂层（5），开态时为器件提供低阻表面导电通道，与降场层（3）下方的第二导电类型半导体漂移区（2）一起，为器件提供两个导电通道。由于采用离子注入增加了低阻表面导电通道，减小了器件表面的电阻率，极大地降低了器件的导通电阻。与常规具有降场层的高压器件相比，本发明提供的横向高压功率器件在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻（或在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积）。本发明可应用于消费电子、显示驱动等多种产品中。
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