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公开(公告)号：CN102364688B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201110351748.2
申请日：2011-11-09
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括金属化漏极1、N+衬底2、N-漂移区3、深P体区5、N型重掺杂源区6、P型重掺杂区7、N型埋层沟道8、P型外延层9、栅氧化层10、多晶硅栅电极11和金属化源极12。该垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管在导通时通过两个沟道的共同导电机制，大大减小器件的导通电阻；在阻断时通过P+N结势垒对沟道的电场屏蔽，实现较高的耐压水平，达到1000V以上。
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公开(公告)号：CN120049731A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510076193.7
申请日：2025-01-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于模拟集成电路电源管理技术领域，提供了一种用于半桥驱动拓扑的可调死区时间产生电路。具体包括电压转电流电路(V转I)，瞬态增强电路(TEC)和死区时间产生电路。通过调节片外电阻的大小，得到不同的充电电流，对比较器的输入端电容充电，当电容上的电压达到比较器的基准电压时，比较器输出反转从而得到一个短脉冲。将得到的短脉冲和输入信号相加即可得到包含死区时间的控制信号。与传统结构相比，本发明可以产生与片外电阻大小呈线性关系的死区时间，具有较高的精确度，可以使得半桥电路在不同的应用场景下具有灵活的死区时间，以便在满足性能需求的同时，确保系统的可靠性和效率。
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公开(公告)号：CN112039452B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202010926576.6
申请日：2020-09-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种宽带跨阻放大器，包括第一级差分放大器、第二级共基放大器、偏置模块、反馈电阻和滤波电容，偏置模块用于提供偏置；第二级共基放大器与第一级差分放大器直接耦合构成整体运放，利用共基级高频特性好的特点实现高开环增益，在不增加电路复杂度的同时实现了跨阻放大器更高的带宽范围；同时针对采用共基级耦合带来的等效输入阻抗小、拉低第一级负载电阻的问题，第一级差分放大器的输入管采用达林顿管结构，从而有效提高电流输入对管的电流增益，在一定程度上缓解了第一级运放开环增益不足的问题。反馈电阻接在跨阻放大器的输入端和输出端之间用于提供跨阻增益，滤波电容用于稳定基准电压，一些实施例中还设置了输入过流保护模块以保护整体电路。
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公开(公告)号：CN114284343A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111593228.2
申请日：2021-12-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及一种适用于高温环境的碳化硅结势垒肖特基二极管，属于半导体器件技术领域。本发明的器件在传统JBS器件结构基础上采用了新型的P+区注入版图结构，增加了肖特基接触区域面积和肖特基结电流的同时，通过P+注入区条形图形增加了耗尽区面积，降低了碳化硅结势垒肖特基二极管在高温时的电流衰退和功率损耗增加，也防止了二极管肖特基区域增加后反向击穿电压的降低，解决了JBS器件在大电流高温下工作环境下正向工作电流衰退严重、功率损耗明显增加的问题。
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公开(公告)号：CN113050743A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110318024.1
申请日：2021-03-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种输出多种温度系数的电流基准电路，属于模拟集成电路技术领域。包括正温度系数(PTAT：proportional to absolute temperature)电流产生电路、负反馈环路、负温度系数(CTAT：complementary to absolute temperature)电流产生电路、多种温度系数电流产生电路，以及启动电路。利用PTAT电流与CTAT电流的线性叠加，通过调节比例系数，便可以得到多种温度系数的电流基准源，可以满足各种不同电路的需求。PTAT电流产生电路中的负反馈环路直接用于三极管的电流镜结构，有效减小了电路中晶体管使用个数，适用于低电源电压供电；PTAT电流产生电路中的负反馈环路也直接用于CTAT电流产生支路上，而不是两个独立的结构，有效减少了电路中的电流支路，节省了面积，节约了功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112039452A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010926576.6
申请日：2020-09-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种宽带跨阻放大器，包括第一级差分放大器、第二级共基放大器、偏置模块、反馈电阻和滤波电容，偏置模块用于提供偏置；第二级共基放大器与第一级差分放大器直接耦合构成整体运放，利用共基级高频特性好的特点实现高开环增益，在不增加电路复杂度的同时实现了跨阻放大器更高的带宽范围；同时针对采用共基级耦合带来的等效输入阻抗小、拉低第一级负载电阻的问题，第一级差分放大器的输入管采用达林顿管结构，从而有效提高电流输入对管的电流增益，在一定程度上缓解了第一级运放开环增益不足的问题。反馈电阻接在跨阻放大器的输入端和输出端之间用于提供跨阻增益，滤波电容用于稳定基准电压，一些实施例中还设置了输入过流保护模块以保护整体电路。
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公开(公告)号：CN107994071A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711305388.6
申请日：2017-12-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/165 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种异质结沟槽绝缘栅型场效应管，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过将传统SiC UMOS器件的沟道体区与源区采用硅材料替换异质结UMOS器件，利用硅与二氧化硅之间良好的界面态以及硅材料的低禁带宽度，在保证反向耐压的同时，降低了导通电阻，提高了正向电流，并且在外加栅压使得沟道MOS电容迅速减小，栅压达到阈值电压后，反向传输电容减小，从而得到提高了器件的开关速度，降低了器件的开关损耗。并且通过合理设置保护区和JFET区，解决了由于SiC与Si界面势垒损害器件正向导通性能的问题以及由于沟槽栅结构底部电场集中效应、栅氧化层稳定性差以及硅低禁带宽度所导致耐压特性不足的问题，使得器件具有良好的反向耐压能力。
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公开(公告)号：CN107957299A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201711211023.7
申请日：2017-11-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01K7/01 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 一种碳化硅线性温度传感器及其测温方法和制造方法，属于半导体器件技术领域。本发明包括碳化硅N-外延层顶层的P阱，P阱顶层中央结深较浅的N阱，位于N阱中央的N型碳化硅欧姆接触区，位于N型碳化硅欧姆接触区上表面的欧姆接触电极，位于N阱两端的N型肖特基接触电极和位于器件表面的钝化层。本发明采用横向设计得到一种基于双肖特基二极管结构的碳化硅温度传感器，一方面可以消除反向饱和电流对传感器线性度的影响，提高其线性度，另一方面引入扩散电阻Rs与温度的线性依赖关系，提高器件的灵敏度；同时本发明提出的器件结构为横向结构，相比现有纵向结构易于集成，并且藉由P阱的隔离作用，能够降低传感器主器件之间的串扰，增加了其与N型外延功率器件集成的可行性。
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公开(公告)号：CN106531822A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611075272.3
申请日：2016-11-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/101 , H01L31/11
CPC classification number: H01L31/1013 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/11
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，特别是一种光电探测器，能完成可见光到红外光波段的探测。将硅光电二极管与锗光电二极管通过重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge PIN型光电二极管分别对短波和长波有较高响应的特点，实现可见光到红外光波段的探测；其中，钝化层既有钝化器件的作用，又有减少短波反射的作用；第一金属阳极接触同时作为电极和金属镜，起到加电压和反射长波光子的作用；而且，本发明涉及的光电二极管工作电压较低，可在5V及以下的电压工作，易与前置放大器混合集成。
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公开(公告)号：CN105424572A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510981536.0
申请日：2015-12-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N15/06
CPC classification number: G01N15/06
Abstract: 一种变压器油中颗粒杂质的在线检测器，属于电气工程应用技术领域，目的是针对现有技术的不足而提供一种变压器内部油中颗粒杂质的在线检测器，其特点是解决目前大型电力变压器内部油中颗粒杂质状态的在线检测问题，预警颗粒杂质引发油中局部放电故障，确保大型电力变压器的安全运行。其方案为包括顺序连接的发光源、入射多芯光纤、光纤耦合探头、折射多芯光纤、光电转换单元和颗粒杂质状态显示单元。
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