-
公开(公告)号：CN102969356B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210443873.0
申请日：2012-11-08
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种超结功率器件的终端结构，属于半导体功率器件技术领域。包括器件元胞和器件终端；器件元胞漂移区由交替相间的P柱区和N柱区构成超结结构；器件终端包括过渡终端区和耐压终端区；所述过渡终端区处于器件元胞和耐压终端区之间；过渡终端区具有与元胞相同的超结结构，耐压终端区的超结结构中P柱区和N柱区的掺杂浓度小于器件元胞的超结结构中P柱区和N柱区的掺杂浓度。本发明实际是元胞和终端采用不同的漂移区掺杂浓度。元胞区采用高掺杂漂移区获得低比导通电阻，终端区适当采用较低的掺杂浓度获得高耐压。采用该结构能够在和常规超结终端结构面积相同的情况下获得更高的耐压，或者在相同耐压的情况下具有比常规超结结构更小的面积。
-
公开(公告)号：CN102683402B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210123005.4
申请日：2012-04-24
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7395
Abstract: 一种平面栅电荷存储型IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统平面栅电荷存储型IGBT的基础上，在N型漂移区和N型电荷存储层之间引入一层P型埋层；通过P型埋层引入的附加PN结和电荷的电场调制作用，屏蔽了高掺杂N型电荷存储层对器件击穿电压的不利影响，从而使器件获得高的击穿电压；同时由于P型埋层对N型电荷存储层的电场屏蔽作用，本发明可采用较高的N型电荷存储层掺杂浓度，从而可增强器件N型漂移区内的电导调制并优化N型漂移区内的载流子分布，从而使器件获得更低的正向导通压降以及更好的正向导通压降和关断损耗的折中。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。
-
公开(公告)号：CN102709317B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210186331.X
申请日：2012-06-07
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/47 , H01L29/45 , H01L29/06 , H01L29/861
Abstract: 一种低开启电压二极管，属于半导体器件技术领域。本发明利用PN结二极管的耗尽区缩小与增大来控制二极管开启和关断，使得器件在很小的正向电压下就有电流通道。在小的正向电压下，阳极欧姆接触结构的引入就能使得器件在正向导通时产生正向电流；在阳极电压增加到能使得阳极肖特基结构打开时，又会增大正向电流；当所加阳极电压足以使得PN结也导通时，PN结的正向电流能使得二极管正向电流进一步增大。器件反向时，在很小的反向电压下夹断导电沟道，低掺杂的外延层可以承受增加的反向电压，阳极肖特基结构此时又能够帮助减小反向漏电流。采用本发明可以实现二极管低的开启电压，较大的正向电流，较小的反向漏电流和良好的反向恢复特性。
-
公开(公告)号：CN102832134B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210316793.9
申请日：2012-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L21/336
Abstract: 具有超薄源区的槽栅型VDMOS的制备方法，属于半导体器件与工艺制造领域。借助斜角度离子注入技术，仅利用2张光刻版即可实现具有超薄源区的VDMOS器件，节约了制造成本，且超薄源区的形成不受光刻精度的制约，可以做得极窄，从而能够有效防止槽栅VDMOS器件中寄生BJT晶体管的开启，提高器件的抗UIS失效能力。
-
公开(公告)号：CN102683403B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210123366.9
申请日：2012-04-24
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7397
Abstract: 一种沟槽栅电荷存储型IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统的沟槽栅电荷存储型IGBT的基础上，在器件N型漂移区的上部引入一层P型埋层，通过P型埋层引入的附加PN结和电荷的电场调制作用，屏蔽了高掺杂N型电荷存储层对器件击穿电压的不利影响，从而使器件获得高的击穿电压。同时由于P型埋层对N型电荷存储层的电场屏蔽作用，本发明可采用较高的N型电荷存储层掺杂浓度，从而可增强器件N型漂移区内的电导调制并优化N型漂移区内的载流子分布，从而使器件获得更低的正向导通压降以及更好的正向导通压降和关断损耗的折中。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102738214B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210187423.X
申请日：2012-06-08
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种能够有效防止电荷失衡的超结VDMOS器件，属功率半导体器件领域。本发明在常规超结VDMOS的超结结构中与外延区（3）导电类型相反的柱区（4）中掺入深能级杂质（对N沟道器件，掺入施主杂质S、Se或Te；对于P沟道器件，掺入受主杂质In、Ti或Zn）。这些深能级施主杂质在常温下电离率比较低，可以忽略其对柱区（4）掺杂浓度的贡献，不影响器件的静态电荷平衡。当器件正向导通并工作在大电流下时，随着器件温度升高，上述深能级杂质的电离率将得到大幅提高，相当于降低了柱区（4）的掺杂水平，有效缓解了由于载流子流过外延区（3）所造成的超结结构电荷失衡导致的器件雪崩击穿电压下降，提高了器件可工作的电流范围，扩大了器件的正向安全工作区。
-
公开(公告)号：CN102810567B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210187444.1
申请日：2012-06-08
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种动态电荷平衡的超结VDMOS器件，属于功率半导体器件领域。本发明在常规超结VDMOS器件超结结构的外延区（3）中掺入深能级杂质（对N沟道器件而言，掺入施主杂质S、Se或Te；对于P沟道器件而言，掺入受主杂质In、Ti或Zn）。这些深能级施主杂质在常温下电离率比较低，可以忽略其对超结中柱区（4）掺杂浓度的贡献，因此不影响器件的静态电荷平衡。当器件正向导通并工作在大电流下时，随着器件温度升高，上述深能级杂质的电离率将得到大幅提高，相当于提高了外延区（3）的掺杂水平，有效缓解了由于载流子流过外延区（3）所造成的超结结构电荷失衡导致的器件雪崩击穿电压下降，提高了器件可工作的电流范围，扩大了器件的正向安全工作区。
-
公开(公告)号：CN119293729A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411413493.1
申请日：2024-10-11
IPC: G06F18/25 , G06F18/21 , G06F18/243 , G06F18/2415 , G06F18/22 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明提出基于Transformer架构的分布式多源异构信息融合方法，所述方法提出多层级分布式特征融合框架，基于异构源信息一次特征，采用端到端自注意力机制编码器架构实现二次特征提取融合，降低了计算难度，实现了计算成本与时间效率平衡。
-
公开(公告)号：CN111477678B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202010255504.3
申请日：2020-04-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种基于叉指结构的横向肖特基二极管及其制备方法，二极管包括：衬底，依次位于衬底上的AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、SiN钝化层、介质层；第一凹槽，贯穿介质层、SiN钝化层、AlGaN势垒层；第二凹槽中第一部分贯穿介质层、SiN钝化层、部分AlGaN势垒层，第二部分贯穿另一部分AlGaN势垒层、AlN插入层和部分GaN缓冲层；阴极沉积有第一欧姆金属；阳极包括若干第二欧姆金属，以及第一凹槽和第二凹槽沉积的若干阳极金属，若干第二欧姆金属与第二凹槽内若干阳极金属交替分布呈叉指结构。本发明阳极采用欧姆加肖特基叉指结构，由于阳极的肖特基接触和欧姆接触处于同一列，反向偏压时将引入较多的肖特基耗尽区，从而提高了器件的反向击穿电压。
-
公开(公告)号：CN102779848A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210248801.0
申请日：2012-07-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有深能级掺杂元素漂移区的晶闸管件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统晶闸管的N-漂移区（6）中掺入深能级杂质元素（硫、硒、碲、金或铂），深能级杂质元素随着温度升高，电离度增加，导致杂质浓度增加，从而能有效减少PNP管高温下αPNP，一方面能减少温度对高温阳极漏电流的影响，减少高温漏电流，进一步减少晶闸管的功耗；器件关断时，栅电极关断触发电流能加速空穴的抽取，减少寄生NPN管αNPN，漂移区杂质浓度上升引起αPNP的减小，加速了αNPN+αPNP
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.087 seconds)
