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公开(公告)号：CN110459599B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910819950.X
申请日：2019-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种具有深埋层的纵向浮空场板器件及制造方法，包括：深埋层，第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区、第一介质氧化层、第二介质氧化层、第三介质氧化层、浮空场板多晶硅电极、控制栅多晶硅电极，金属条；第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，本发明根据纵向浮空场板的结构与工艺特点，在器件的第二导电类型漂移区或第一导电类型半导体衬底中引入深度达到3‑20μm的深埋层，且该深埋层RESURF技术能够与现有RESURF技术充分兼容，进一步调制漂移区电场，降低器件的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN110518059B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910819934.0
申请日：2019-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种具有电荷平衡耐压层的纵向浮空场板器件及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第一导电类型电荷平衡耐压层，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区、第二导电类型电荷平衡耐压层，第一介质氧化层、第二介质氧化层、第三介质氧化层，浮空场板多晶硅电极、控制栅多晶硅电极，金属条；第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，本发明在器件的第二导电类型漂移区中引入由第一导电类型电荷平衡耐压层和第二导电类型电荷平衡耐压层构成的超结结构，调制漂移区电场，并提供低阻电流通路，从而提高器件耐压并降低器件的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN108462642B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810218086.3
申请日：2018-03-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L12/747 , H04L29/06
Abstract: 本发明是一种基于FPGA的UDP/IP硬件协议栈及实现方法，包括捕获模块、拆帧模块、UDP校验模块、执行模块、数据缓存模块、IP首部生成模块、UDP首部生成模块、组帧模块以及插入模块。同时，根据系统的整体设计方案，制定采用硬件FPGA方式实现通信控制协议的策略，通信控制协议通过UDP报文和以太网帧实现对交换机的远程配置及管理。本发明为了保证交换容量与数据转发速率，采用FPGA实现，而FPGA不适合运行复杂的路由协议，为了实现三层查找、远程配置管理以及保证远程配置管理的有效性和可靠性，需要设计专用通信控制协议，从而提高发送数据的效率，使整个系统得以优化，节省大量存储资源。
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公开(公告)号：CN107948094B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201710983144.7
申请日：2017-10-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L12/863
Abstract: 本发明公开一种数据帧无冲突入队处理的装置及方法，其装置包括CPU模块、入队调度模块、冲突检测模块、队列信息管理模块、缓存管理模块、接收总线模块和缓存区模块。方法包括：读取申请入队帧请求，进行门限仲裁，为满足要求的数据帧分配空闲缓存地址，由接收总线将数据帧搬移到缓存区对应地址中；根据冲突检测队首信息更新冲突情况，确定是否提前更新队首信息，以及根据队列长度信息更新冲突情况，修正队列长度更新值，完成数据帧的入队处理。本发明支持数据帧并行入队出队处理情况下，解决了队列信息更新冲突问题，提高了数据帧入队处理速度。
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公开(公告)号：CN110459609A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910805725.0
申请日：2019-08-29
Applicant: 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/08
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种短路阳极薄层高压功率器件。本发明主要特征在于：采用两个凹形槽及隔离槽的结构正向导通时，阳极侧的凹形槽和隔离槽因为压缩了电子电流的流动通道，仅留有极为狭窄的导电通道可以增大阳极侧的分布电阻，从而消除短路阳极结构正向导通时存在的Snapback(电压折回)效应；阴极侧的凹形槽通过物理阻挡空穴的抽取，并且由于正向导通时正栅压的作用，在凹形槽的正下隔离成的电子积累层也构成了载流子存储层，阻止空穴被阴极抽取，由于电中性的要求，更多的电子被注入漂移区，极大地提高了漂移区中的载流子浓度，降低器件的正向导通压降。关断时，短路阳极N+的存在会加快电子的抽取速度，提高器件关断速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110459599A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910819950.X
申请日：2019-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种具有深埋层的纵向浮空场板器件及制造方法，包括：深埋层，第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区、第一介质氧化层、第二介质氧化层、第三介质氧化层、浮空场板多晶硅电极、控制栅多晶硅电极，金属条；第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，本发明根据纵向浮空场板的结构与工艺特点，在器件的第二导电类型漂移区或第一导电类型半导体衬底中引入深度达到3-20μm的深埋层，且该深埋层RESURF技术能够与现有RESURF技术充分兼容，进一步调制漂移区电场，降低器件的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN110444590A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910836726.1
申请日：2019-09-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种超结LIGBT功率器件，属于半导体功率器件技术领域。通过在横向IGBT的阳极电阻区内引入第二导电类型掺杂层，来控制电流在阳极电阻区的流动路径，进而控制阳极电阻区的压降，这样就能抑制LIGBT的snapback现象，这种通过精准控制阳极电阻区电阻阻值的结构并未增加工艺的制造难度，因而可以在不改变工艺的基础上，实现精准抑制LIGBT的snapback现象。
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公开(公告)号：CN108763121A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810398739.0
申请日：2018-04-28
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: G06F13/4221 , G06F13/24
Abstract: 本发明公开了一种TTE端系统适配卡PCIe控制器的中断操作方法，用于解决现有技术因主机发起读中断造成数据因适配卡缓存空间不足而溢出丢失的问题。其技术方案是：1)请求读、写数据；2)周期性地向PCIe总线控制器请求读、写数据；3)PCIe总线控制器产生中断时序并配置读、写缓存寄存器；4)PCIe驱动识别中断类型并决定搬移数据量；5)PCIe驱动配置读、写相关寄存器并启动直接内存访问操作完成数据搬移，结束直接内存访问操作。本发明通过适配卡发起直接内存访问读、写操作，实现流量控制，本发明利用适配卡主动发出中断，提高了端系统时间精度，可用于时间触发以太网TTE端系统适配卡中的中断模块设计。
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公开(公告)号：CN108462642A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810218086.3
申请日：2018-03-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L12/747 , H04L29/06
Abstract: 本发明是一种基于FPGA的UDP/IP硬件协议栈及实现方法，包括捕获模块、拆帧模块、UDP校验模块、执行模块、数据缓存模块、IP首部生成模块、UDP首部生成模块、组帧模块以及插入模块。同时，根据系统的整体设计方案，制定采用硬件FPGA方式实现通信控制协议的策略，通信控制协议通过UDP报文和以太网帧实现对交换机的远程配置及管理。本发明为了保证交换容量与数据转发速率，采用FPGA实现，而FPGA不适合运行复杂的路由协议，为了实现三层查找、远程配置管理以及保证远程配置管理的有效性和可靠性，需要设计专用通信控制协议，从而提高发送数据的效率，使整个系统得以优化，节省大量存储资源。
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公开(公告)号：CN106410167A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611112238.9
申请日：2016-12-06
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/364 , H01M10/0525
Abstract: 本发明属于材料技术，具体涉及一种多层石墨烯纳米碳管三维碳材料填充纳米硅复合材料及其制备方法，其中，方法包括如下步骤：制备纳米硅乙醇溶液；制备多层石墨烯-多壁纳米碳管三维碳材料；机械搅拌，使纳米硅与多层石墨烯-多壁纳米碳管三维碳材料均匀混合，并使部分纳米硅进入多层石墨烯-多壁纳米碳管三维碳材料的纳米孔内；离心，使纳米硅被溅射入多层石墨烯-多壁纳米碳管三维碳材料的纳米孔内，生成多层石墨烯-多壁纳米碳管三维碳材料填充纳米硅复合材料；磁分离，使多层石墨烯-多壁纳米碳管三维碳材料与多余的纳米硅乙醇溶液分离。本发明制备的复合材料在电极材料、储能材料上具有良好的使用价值。
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