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公开(公告)号：CN106329036A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610752797.X
申请日：2016-08-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于LTCC的微带线铁氧体移相器，属于微波通信技术领域。包括微波输入端、输入端匹配微带线、铁氧体基板、位于铁氧体基板之上的蛇形微带线结构、磁化电流线圈、输出端、输出端匹配微带线，所述蛇形微带线结构包括输入蛇形微带线、过渡蛇形微带线和输出蛇形微带线，输入蛇形微带线与过渡蛇形微带线垂直，过渡蛇形微带线与输出蛇形微带线垂直，磁化电流线圈包括第一线圈、第二线圈、第三线圈，分别向输入蛇形微带线、过渡蛇形微带线、输出蛇形微带线施加直流偏置场。本发明微带线铁氧体移相器的蛇形微带线结构由三部分蛇形微带线组成，可实现在不改变直流偏置磁场大小的情况，通过改变各部分蛇形微带线上偏置场的方向实现不同大小的相移量。
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公开(公告)号：CN106219484A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610645785.7
申请日：2016-08-09
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: B82B3/0014 , B82Y40/00 , H01F1/0045
Abstract: 一种磁性各向异性可控的纳米颗粒自组装阵列的制备方法，属于纳米颗粒自组装领域。首先通过微细加工工艺在基片上形成阵列凹槽；然后将磁性纳米颗粒溶液滴加在凹槽内，盖上塑料片后，放入培养皿中；将装有基片的培养皿放入外磁场产生装置中，通过控制外磁场的方向和大小来控制纳米颗粒自组装阵列的磁晶各向异性；待溶剂蒸发完后，取出基片。本发明纳米颗粒自组装阵列是通过将磁性纳米颗粒溶液滴加于阵列凹槽内，并在外磁场产生装置中蒸发溶剂后得到的，通过控制外磁场产生装置形成的磁场的大小和方向可调控纳米颗粒自组装阵列的磁晶各向异性的大小和易磁化轴方向，从而得到磁性各向异性显著且可控的纳米颗粒自组装阵列。
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公开(公告)号：CN106158235A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610770315.3
申请日：2016-08-30
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01F10/14 , C23C14/14 , C23C14/35 , G01R33/09 , G01R33/093 , G01R33/098 , H01F41/18
Abstract: 一种微米级磁通聚集薄膜及其制备方法，属于磁传感器技术领域。本发明将等厚度的坡莫合金薄膜与掺铬的坡莫合金薄膜交替重复形成微米级的磁通聚集薄膜，由于掺铬的坡莫合金薄膜与未掺杂的坡莫合金薄膜之间存在磁化强度梯度差△M，该磁化强度梯度差△M会产生垂直于膜面的退磁场而使薄膜的磁矩平行于膜面，这样即使多层薄膜的厚度达到微米级，也不会出现磁矩向面外分布，即不会产生面外各向异性，使得薄膜具有良好的磁通聚集性能。本发明坡莫合金薄膜与掺铬的坡莫合金薄膜之间的晶格匹配，在形成多层薄膜时不会产生应力而恶化薄膜的软磁性能；本发明采用两种磁性层交替形成磁通聚集薄膜，保证了磁通聚集薄膜的饱和磁化强度不降低。
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公开(公告)号：CN104496448B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410705112.7
申请日：2014-11-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明提供了一种LiZnTi旋磁铁氧体材料及其制备方法，属于磁性材料制备领域。所述LiZnTi旋磁铁氧体材料由主料和玻璃相助烧剂构成，其中主料的重量百分比为98.8％～99.9％，玻璃相助烧剂的重量百分比为0.1％～1.2％，所述主料为Li0.43Zn0.27Ti0.12Fe2.18O4，所述玻璃相助烧剂由原料按照质量比BaO：Bi2O3：B2O3：Li2O：SiO2＝2:2:2:3:1配制。本发明实现了LiZnTi铁氧体在低温(900～940℃)下的烧结和制备，且得到的LiZnTi旋磁铁氧体材料具有低烧结温度、低铁磁共振线宽和高饱和磁化强度。
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公开(公告)号：CN104402427B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410705259.6
申请日：2014-11-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供了一种低矫顽力LiZnTi旋磁铁氧体材料及其制备方法，属于磁性材料技术领域。所述低矫顽力LiZnTi旋磁铁氧体材料由主料、玻璃相助烧剂和助熔剂构成，其中主料的重量百分比为99.5％～99.8％，玻璃相助烧剂的重量百分比为0.1％～0.4％，助熔剂重量百分比为0.1％，所述主料为Li0.42Zn0.28Ti0.13Fe2.17O4，所述玻璃相助烧剂由原料按照质量比ZnO：Bi2O3：SiO2：Li2CO3＝5:3:1:1配制，所述助熔剂为粒径小于100nm的Al2O3纳米粉。本发明实现了LiZnTi铁氧体在低温(900～940℃)下的烧结和制备，并得到矫顽力低的铁氧体材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105175010A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510587454.8
申请日：2015-09-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B41/50
Abstract: 一种溶胶凝胶法制备金红石二氧化钛纳米薄膜的方法，属于薄膜制备技术领域。首先以钛酸四丁酯(Ti(OBu)4)为溶质，单乙醇氨、乙二醇甲醚和丙酮的混合液为溶剂，配制钛酸四丁酯的浓度为0.1～1mol/L的前驱体溶液，其中，单乙醇氨、乙二醇甲醚和丙酮的体积比为1：1：0.5；然后加入乙酰丙酮作为螯合剂、丙三醇作为增粘剂，搅拌，得到透明均匀的溶胶；最后经过旋涂和高温烧结，在硅片上得到金红石二氧化钛纳米薄膜。本发明方法具有成本低廉、工艺简单、重复性好、可大规模制造的优点。
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公开(公告)号：CN104987056A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510387961.7
申请日：2015-06-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/495 , C04B35/475 , C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 一种新型的铁电-铁磁复合材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。包括铁磁相和铁电相，铁磁相的含量为30～99wt％，铁电相的含量为1～70wt％；铁磁相为改性的NiCuZn铁氧体，主要成分及含量为：氧化铁65～68wt％，氧化亚镍7～10wt％，氧化锌17～19wt％，氧化铜6～8wt％，碳酸锂0.5～1.5wt％，五氧化二钒2～4wt％；铁电相为铋系类钙钛矿铁电陶瓷，通式为An-1Bi2BnO3n+3，A为Bi、Nd、Sm、W中的一种或两种，B为Ti、V中的一种或两种，n＝1～5。本发明在无需添加烧结助剂的情况下实现材料在低温下的高致密化，既能很好地适应LTCC工艺，又能在一定程度上减少磁性能和介电性能的损失。
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公开(公告)号：CN100585811C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200810018341.6
申请日：2008-05-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法，主要解决欧姆接触的比接触电阻大的问题。其过程是：对SiC衬底进行预处理，并在SiC衬底上外延GaN重掺杂层或SiC:Ge过渡层；在GaN重掺杂层或SiC:Ge过渡层上确定欧姆接触区域，并对欧姆接触区域之间的GaN重掺杂或SiC:Ge过渡层区进行KOH刻蚀，使该沟道区的SiC衬底为Si面；在欧姆接触区域上和所述沟道区的Si面上，淀积一层高介电常数的SiN材料；刻蚀掉欧姆接触区域上的SiN材料，并在该区域淀积金属，引出电极。本发明具有比接触电阻和方块电阻低，使用寿命长的优点，可用于对半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作。
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公开(公告)号：CN101315887A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810018341.6
申请日：2008-05-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法，主要解决欧姆接触的比接触电阻大的问题。其过程是：对SiC衬底进行预处理，并在SiC衬底上外延GaN重掺杂层或SiC∶Ge过渡层；在GaN重掺杂层或SiC∶Ge过渡层上确定欧姆接触区域，并对欧姆接触区域之间的GaN重掺杂或SiC∶Ge过渡层区进行KOH刻蚀，使该沟道区的SiC衬底为Si面；在欧姆接触区域上和所述沟道区的Si面上，淀积一层高介电常数的SiN材料；刻蚀掉欧姆接触区域上的SiN材料，并在该区域淀积金属，引出电极。本发明具有比接触电阻和方块电阻低，使用寿命长的优点，可用于对半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作。
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公开(公告)号：CN117038240B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202311131862.3
申请日：2023-09-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于温度测量技术领域，涉及热敏电阻器中的新型热敏电阻材料，具体提供一种基于高熵概念的热敏电阻材料及其制备方法，用以提高热敏陶瓷材料的结构稳定性。本发明将“高熵合金”的成分设计思想应用于热敏电阻材料中，得到热敏电阻材料：(Co0.2Cr0.2Fe0.2Mg0.2Zn0.2)3O4，其中，基于Mg和Zn原子的特殊电子结构，使得该热敏电阻材料在0℃～100℃温度范围内具有明显的负温度系数特性，并且，该材料的熵值达到了2.08R，材料常数为B25℃/50℃＝4213K～4837K、温度25℃电阻率为4.23×105Ω.cm～5.45×105Ω.cm，非常适合作为热敏电阻器的敏感体。并且，该热敏电阻材料通过过渡金属氧化物热敏陶瓷的制备方法制备得到，制备工艺简单，制备得热敏电阻材料性能稳定、一致性好。
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