公开(公告)号：CN106219484A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610645785.7

申请日：2016-08-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文天龙 ,  李远鹏 ,  张怀武 ,  文歧业 ,  廖宇龙 ,  钟智勇

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F1/00

CPC classification number: B82B3/0014 ,  B82Y40/00 ,  H01F1/0045

Abstract: 一种磁性各向异性可控的纳米颗粒自组装阵列的制备方法，属于纳米颗粒自组装领域。首先通过微细加工工艺在基片上形成阵列凹槽；然后将磁性纳米颗粒溶液滴加在凹槽内，盖上塑料片后，放入培养皿中；将装有基片的培养皿放入外磁场产生装置中，通过控制外磁场的方向和大小来控制纳米颗粒自组装阵列的磁晶各向异性；待溶剂蒸发完后，取出基片。本发明纳米颗粒自组装阵列是通过将磁性纳米颗粒溶液滴加于阵列凹槽内，并在外磁场产生装置中蒸发溶剂后得到的，通过控制外磁场产生装置形成的磁场的大小和方向可调控纳米颗粒自组装阵列的磁晶各向异性的大小和易磁化轴方向，从而得到磁性各向异性显著且可控的纳米颗粒自组装阵列。

公开(公告)号：CN1681077A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200410022261.X

申请日：2004-04-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张怀武 ,  石玉 ,  刘颖力 ,  钟智勇 ,  贾利军 ,  苏桦 ,  杨清慧 ,  荆玉兰 ,  蒋向东 ,  文歧业

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种制备纳米结的方法，它是通过RF(射频)溅射方法在硅基片上依次镀制两种异质薄膜，然后采用传统慢扩散热处理方法或快速循环热处理方法获得复合成分的纳米结；按照本发明方法可以制备出通过不同的激励源(如：电场、磁场、光场、超声、微波等场)来控制自旋向上、自旋向下电子输运浓度的纳米结，进而制备出高密度量子存储器，纳米二极管，纳米三极管等纳米结器件，这些纳米结器件可广泛用于电子技术领域。

公开(公告)号：CN116338828A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310244813.4

申请日：2023-03-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文天龙 ,  赵大任 ,  文歧业 ,  钟智勇 ,  张岱南

IPC: G02B1/00

Abstract: 一种基于单元阵列可调的太赫兹超材料，可以通过外加力使得弹性衬底发生形变带动非弹性衬底上超材料结构层的位置变化从而改变器件对太赫兹波的调制性能。在为施加力之前超材料对太赫兹波电场的方向不敏感，任意电场方向入射下其透射率都相同；将结构层拉伸后超材料对太赫兹波电场的方向具有敏感性，故可通过旋转超材料来实现太赫兹波透射特性的调制。

公开(公告)号：CN100373531C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200410022261.X

申请日：2004-04-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张怀武 ,  石玉 ,  刘颖力 ,  钟智勇 ,  贾利军 ,  苏桦 ,  杨清慧 ,  荆玉兰 ,  蒋向东 ,  文歧业

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种制备纳米结的方法，它是通过RF(射频)溅射方法在硅基片上依次镀制两种异质薄膜，然后采用传统慢扩散热处理方法或快速循环热处理方法获得复合成份的纳米结；按照本发明方法可以制备出通过不同的激励源(如：电场、磁场、光场、超声、微波等场)来控制自旋向上、自旋向下电子输运浓度的纳米结，进而制备出高密度量子存储器，纳米二极管，纳米三极管等纳米结器件，这些纳米结器件可广泛用于电子技术领域。

公开(公告)号：CN118137167A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410312159.0

申请日：2024-03-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文天龙 ,  贺海涛 ,  文歧业 ,  钟智勇 ,  张岱南

IPC: H01Q15/24 ,  G02B5/30

Abstract: 一种基于金属“十”字的超材料宽频太赫兹1/4波片，属于太赫兹波调制器件领域。由石英衬底，以及衬底上的超材料结构层组成，超材料结构层为周期性排列的金属“十”字，“十”字的两正交轴长度和宽度都不相同，从而使超材料呈现出各向异性。在工作频率范围内，通过旋转器件到合适的角度，可以使垂直该器件表面入射的线偏振太赫兹波转换为圆偏振太赫兹波。

公开(公告)号：CN105044930A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510498153.8

申请日：2015-08-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文天龙 ,  张怀武 ,  文歧业

IPC: G02F1/01

CPC classification number: G02F1/01

Abstract: 半导体太赫兹波光调制器，涉及光电技术，以及太赫兹波调制和成像技术。本发明包括半导体，其特征在于，在所述半导体的受光面上分散设置有金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒的粒径为1～100nm，相邻颗粒间距1～5nm。本发明的有益效果是，本发明通过小功率的激光就能让光生载流子浓度达到饱和值，适用于小功率激光获得大调制深度的应用。