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公开(公告)号：CN106219484A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610645785.7
申请日：2016-08-09
申请人： 电子科技大学
CPC分类号： B82B3/0014 , B82Y40/00 , H01F1/0045
摘要： 一种磁性各向异性可控的纳米颗粒自组装阵列的制备方法，属于纳米颗粒自组装领域。首先通过微细加工工艺在基片上形成阵列凹槽；然后将磁性纳米颗粒溶液滴加在凹槽内，盖上塑料片后，放入培养皿中；将装有基片的培养皿放入外磁场产生装置中，通过控制外磁场的方向和大小来控制纳米颗粒自组装阵列的磁晶各向异性；待溶剂蒸发完后，取出基片。本发明纳米颗粒自组装阵列是通过将磁性纳米颗粒溶液滴加于阵列凹槽内，并在外磁场产生装置中蒸发溶剂后得到的，通过控制外磁场产生装置形成的磁场的大小和方向可调控纳米颗粒自组装阵列的磁晶各向异性的大小和易磁化轴方向，从而得到磁性各向异性显著且可控的纳米颗粒自组装阵列。
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公开(公告)号：CN1681077A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200410022261.X
申请日：2004-04-09
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/203 , C23C14/34 , B82B3/00
摘要： 本发明公开了一种制备纳米结的方法，它是通过RF(射频)溅射方法在硅基片上依次镀制两种异质薄膜，然后采用传统慢扩散热处理方法或快速循环热处理方法获得复合成分的纳米结；按照本发明方法可以制备出通过不同的激励源(如：电场、磁场、光场、超声、微波等场)来控制自旋向上、自旋向下电子输运浓度的纳米结，进而制备出高密度量子存储器，纳米二极管，纳米三极管等纳米结器件，这些纳米结器件可广泛用于电子技术领域。
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公开(公告)号：CN100373531C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200410022261.X
申请日：2004-04-09
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/203 , C23C14/34 , B82B3/00
摘要： 本发明公开了一种制备纳米结的方法，它是通过RF(射频)溅射方法在硅基片上依次镀制两种异质薄膜，然后采用传统慢扩散热处理方法或快速循环热处理方法获得复合成份的纳米结；按照本发明方法可以制备出通过不同的激励源(如：电场、磁场、光场、超声、微波等场)来控制自旋向上、自旋向下电子输运浓度的纳米结，进而制备出高密度量子存储器，纳米二极管，纳米三极管等纳米结器件，这些纳米结器件可广泛用于电子技术领域。
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公开(公告)号：CN118137167A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410312159.0
申请日：2024-03-19
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种基于金属“十”字的超材料宽频太赫兹1/4波片，属于太赫兹波调制器件领域。由石英衬底，以及衬底上的超材料结构层组成，超材料结构层为周期性排列的金属“十”字，“十”字的两正交轴长度和宽度都不相同，从而使超材料呈现出各向异性。在工作频率范围内，通过旋转器件到合适的角度，可以使垂直该器件表面入射的线偏振太赫兹波转换为圆偏振太赫兹波。
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