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公开(公告)号：CN118137167A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410312159.0
申请日：2024-03-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于金属“十”字的超材料宽频太赫兹1/4波片，属于太赫兹波调制器件领域。由石英衬底，以及衬底上的超材料结构层组成，超材料结构层为周期性排列的金属“十”字，“十”字的两正交轴长度和宽度都不相同，从而使超材料呈现出各向异性。在工作频率范围内，通过旋转器件到合适的角度，可以使垂直该器件表面入射的线偏振太赫兹波转换为圆偏振太赫兹波。
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公开(公告)号：CN118040269A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410350834.9
申请日：2024-03-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明属于电子薄膜器件技术领域，具体为一种基于电流调控的量子自旋波移相器，包括自旋波波导和一对用于注入电流的导电条；所述自旋波波导由基片和形成于基片上的磁性导电薄膜构成，磁性导电薄膜用于传输自旋波；所述一对导电条设于自旋波波导的两侧，且与自旋波在磁性导电薄膜的传输方向呈90度角，导电条的一端与磁性导电薄膜相连，另一端远离导电磁膜。通过导电条向自旋波磁性导电薄膜施加沿X方向传输的直流电流，在传输过程中，该电流形成的固有磁场与磁波导材料中电子磁矩产生的磁场进行耦合，使磁波导中的磁矩产生局部偏移，从而影响自旋波在该处的传播，进而精确改变其相位。
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公开(公告)号：CN112397855B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202011200847.6
申请日：2020-11-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供的基于磁偶极作用的自旋波异或逻辑门结构，属于自旋波逻辑器件技术领域。具体包括Y字形自旋波波导，连接Y字形自旋波波导两个分叉端的相移自旋波波导，和位于相移自旋波波导的侧面的铁磁层；相移自旋波波导独立传播两个自旋波，铁磁层的长宽比为(1～5)：1，铁磁层的长度小于相移自旋波波导的长度，铁磁层与相移自旋波波导的间距为100～200nm，使得相移自旋波波导靠近铁磁层侧的自旋波与远离铁磁侧的自旋波产生大小为π的相位差，进而实现自旋波的异或逻辑门功能，无需电流、电压等外部手段调控。优选地相移自旋波波导包括自旋波以边缘模式传播的第一自旋波波导，可简化器件结构，利于器件的小型化。
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公开(公告)号：CN112851346A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110211647.9
申请日：2021-02-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供一种超低损耗铌酸锆镁体系微波介质陶瓷材料及制备方法，化学通式为Mg1‑xCuxZrNb2O8,0＜x≤0.1，其晶相为纯相MgZrNb2O8；微波介质陶瓷材料由MgO、CuO、ZrO2、Nb2O5按照化学通式Mg1‑xCuxZrNb2O8,其中0
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公开(公告)号：CN112661509A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011548592.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495
Abstract: 一种高Q值MgZrNb2O8基微波介质陶瓷材料，属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域。所述陶瓷材料的结构式为MgZr1‑xTixNb2O8，其中，0.1≤x≤0.4。本发明提供的高Q值微波介质陶瓷材料能够很好的满足当前移动通信技术领域高频化的发展趋势。本发明微波介质陶瓷材料的介电常数为20～28，品质因数为22355～130123GHz，谐振频率温度系数为‑29～‑46ppm/℃，适合用作微波谐振器、天线及相关电子线路基板材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111030637A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911289374.9
申请日：2019-12-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种5G通信用多频谱集成自旋纳米振荡器，属于高频通信电子设备技术领域。所述多频谱集成自旋纳米振荡器包括两层以上不同磁性的磁性薄膜组成的耦合薄膜和位于耦合薄膜之上的非磁性重金属薄膜；其中，所述耦合薄膜中的磁性薄膜具有两种以上的饱和磁化强度，或者具有两种以上的有效磁各向异性场；所述自旋纳米振荡器在任意一个偏置磁场下，均具有两个以上的振荡频谱，振荡器输出频率范围在1～50GHz可调，满足5G通信用小型化信号源的需求。本发明自旋纳米振荡器具有结构简单、功耗低、多频点输出、器件体积小、易于CMOS集成等优势。
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公开(公告)号：CN107403052B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201710656284.3
申请日：2017-08-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 适用于近阈值和亚阈值的低漏电标准单元的设计方法，属于数字集成电路技术领域。选取预定尺寸的标准器件搭建反相器并计算标准器件的N/P漏电比；搭建标准单元电路并将标准单元电路的漏电流和延时从其来源进行划分，计算得到标准单元电路的N/P漏电系数比和N/P延时系数比，从而得出标准单元电路漏电能耗最小的最优N/P漏电比；再根据标准器件的N/P漏电比和标准单元电路的最优N/P漏电比计算调节系数，根据调节系数进行尺寸设计，得到漏电能耗最小时构成标准单元电路的NMOS管和PMOS管的最优尺寸。根据本发明提出的方法所设计的标准单元具有低漏电的特点，基于此可以实现低功耗数字电路的设计。
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公开(公告)号：CN110029315A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910354441.4
申请日：2019-04-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及超晶格磁光材料技术领域，尤其涉及一种超晶格材料及其制备方法和应用。根据实施例的记载，本发明提供的超晶格材料同时具有亚铁石榴石材料较好的磁性能和石墨烯等二维半导体材料良好的光电吸收特性，测试得到的磁光克尔效应数据表明，本发明所述的超晶格材料在2500Oe磁场下的饱和磁光克尔角为13mdeg，相比较未插入二维材料的非超晶格亚铁磁性薄膜材料，其磁光克尔角提高了2.5倍，实现了磁光效应的增强。
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公开(公告)号：CN109814283A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910238081.1
申请日：2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种低电压驱动的常开型太赫兹超表面调制器及制备方法，包括高阻硅衬底、埋栅电极、二氧化钒薄膜以及超表面层微结构，高阻硅衬底表面上侧依次是二氧化钒薄膜、超表面层微结构；二氧化钒薄膜包括正方形二氧化钒薄膜块和隔离二氧化钒薄膜，超表面层微结构由若干个金属结构单元周期性排列构成，每个金属结构单元为一个正方形金属块，每个正方形金属块中部设有一个H型槽，H型槽中间的横向段下方设有一个正方形二氧化钒薄膜块，每个正方形金属块的底部通过金属条相连，并最终与漏电极相连接。本器件可广泛应用于太赫兹波通信系统、太赫兹波探测、太赫兹波成像等领域。
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公开(公告)号：CN109575886A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811579258.6
申请日：2018-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: C09K5/14
Abstract: 一种基于荷叶制备光热转换材料的方法，属于太阳能光热转换材料制备技术领域。包括：1)取新鲜的荷叶叶片，清洗，晾干；2)将上步处理后的荷叶叶片在﹣18～﹣24℃下冷冻12～24h，得到冷冻样品A；3)将冷冻样品A放入真空冷冻干燥箱中，在真空度为6～10Pa、温度为﹣30～﹣50℃的条件下干燥48～72h，得到干燥的样品B；4)将样品B在氮气气氛、温度为500～700℃条件下碳化4～6h，得到碳化荷叶。本发明基于荷叶制备光热转换材料的方法，具有制备成本低、重复性好、工艺简单和可实现大规模生产等优点，且得到的碳化荷叶具有亲水性、传输水通道、吸收光热强等性能，可应用于太阳能水蒸发领域。
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