公开(公告)号：CN101236955B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200810008603.0

申请日：2008-01-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/66 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：布线(10)和虚拟导体图形(20)。所述布线(10)为具有5GHZ或更高频率的电流流经的布线。在布线(10)附近，形成了虚拟导体图形(20)。每一虚拟导体图形(20)的平面形状等同于具有大于180°的内角的形状。

公开(公告)号：CN102790031A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210251313.5

申请日：2009-02-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/64

CPC classification number: H01L28/10 ,  G01R31/2886 ,  G01R31/3025 ,  G01R31/303 ,  H01L23/48 ,  H01L23/645 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括：基板；键合焊盘，提供在所述基板上方；第一信号传送/接收部，提供在所述基板上方并且在所述键合焊盘下方；内部电路，提供在所述基板上；其中所述内部电路连接到所述第一信号传送/接收部。

公开(公告)号：CN117895978A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311150845.4

申请日：2023-09-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  宫木博 ,  五十岚孝行

IPC: H04B5/26 ,  H04B5/48 ,  H04B5/70

Abstract: 一种半导体器件包括：绝缘衬底和上部电感器，上部电感器形成在绝缘衬底上并且是在不同电位之间执行非接触式通信的变压器的组件。此处，上部电感器被配置为施加有第一电位。上部电感器形成为使其与下部电感器磁耦合，下部电感器被配置为施加有与第一电位不同的第二电位。

公开(公告)号：CN117747589A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202310951346.9

申请日：2023-07-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 五十岚孝行 ,  笠冈龙雄 ,  中柴康隆

IPC: H01L23/522

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置。半导体芯片包括下布线层、形成在下布线层上的多层布线层，以及形成在多层布线层上的上布线层。这里，下布线层中所设置的布线的厚度大于多层布线层中所设置的多个布线中的每个布线的厚度，并且上布线层中所设置的布线的厚度大于多层布线层中所设置的多个布线中的每个布线的厚度。作为变压器的组件的下电感器被设置在下布线层中，并且作为变压器的组件的上电感器被设置在上布线层中。

公开(公告)号：CN116916739A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310259674.2

申请日：2023-03-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  五十岚孝行

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/64 ,  H01L23/522

Abstract: 本公开涉及半导体器件。施加有第一电位的电感器被与电感器连接的第一布线围绕，并且与施加有与第一电位不同的第二电位的第二布线连接的焊盘被设置在第二布线外部，使得第一布线被第二布线围绕。

公开(公告)号：CN115377210A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210472083.9

申请日：2022-04-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小清水亮 ,  中柴康隆

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括半导体衬底、形成在半导体衬底上的栅极电介质膜、形成在栅极电介质膜上的栅极电极、与栅极电极一体形成的场板部、与场板部接触的阶梯电介质膜、以及高电介质常数膜，该高电介质常数膜与阶梯电介质膜接触并且具有高于硅的电介质常数。

公开(公告)号：CN106373975B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201610423517.0

申请日：2016-06-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 绵贯真一 ,  中柴康隆

IPC: H01L27/15

Abstract: 本发明提供一种具有硅波导的光的传播特性不会发生劣化的中介层的半导体器件。中介层(IP1)具有例如沿着x方向配置的多个相同的功能块(MD)，该功能块(MD)具有搭载有半导体芯片的第一区域(R1)、搭载有发光元件芯片的第二区域(R2)、搭载有受光元件芯片的第三区域(R3)以及多个硅波导(PC)。而且，第二区域(R2)以及第三区域(R3)配置于第一区域(R1)与中介层(IP1)的沿着x方向的第一边之间。另外，多个硅波导(PC)配置于第二区域(R2)以及第三区域(R3)与上述第一边之间，并从第二区域(R2)以及第三区域(R3)向上述第一边延伸，没有形成于在x方向上彼此相邻的功能块(MD)之间。

公开(公告)号：CN105388560B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201510520035.2

申请日：2015-08-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 国岛浩之 ,  中柴康隆 ,  若林胜 ,  绵贯真一 ,  小泽健 ,  宇佐美达矢 ,  山本悦章 ,  坂本圭司

IPC: G02B6/12

Abstract: 本发明涉及一种光学半导体器件。提供了可防止在光学半导体器件中电信号的质量降低的技术。在与电信号传输线的延伸方向垂直的横截面中，电信号传输线被包括第一噪声截止布线、第二插塞、第一层布线、第一插塞、屏蔽半导体层、第一插塞、第一层布线、第二插塞和第二噪声截止布线的屏蔽部包围，屏蔽部被固定到参考电位。由此，屏蔽部阻挡由于源自半导体衬底的磁场或电场的作用而导致的影响电信号传输线的噪声。

公开(公告)号：CN109975925A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811612795.6

申请日：2018-12-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  绵贯真一

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/13

Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。一体形成了与微型光学器件形成在同一层上的光波导和尺寸大不相同的光斑尺寸转换器。半导体器件具有用作光斑尺寸转换器的光波导部分。光波导部分包括在厚度方向上穿透层间绝缘层的多个光波导本体。

公开(公告)号：CN109959988A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811553671.5

申请日：2018-12-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 绵贯真一 ,  中柴康隆

IPC: G02B6/122 ,  G02F1/025

Abstract: 本公开涉及半导体器件。在绝缘层之上形成两个光波导以及被设置为覆盖光波导的绝缘膜。经由与上述绝缘膜不同的绝缘膜，在绝缘膜上方形成两个布线和加热器金属线。后一个绝缘膜薄于前一个绝缘膜，并且具有的折射率高于前一个绝缘膜的折射率。来自两个光波导中任一个的泄露光可以被抑制或防止被两个布线、加热器金属线等中的任一个反射，以通过利用两个绝缘膜的折射率之间的差再次朝向两个光波导行进。