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公开(公告)号：CN103885247B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410070500.2
申请日：2009-04-02
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/133788
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示装置的制造方法，其在对在TFT基板和相对电极基板之间以矩阵状形成多个像素并密封有液晶的液晶显示用基板的所述各像素施加了电场的状态，对所述液晶显示用基板照射规定波长的光，使得所述液晶的分子定向于规定方向，包括：将所述液晶显示用基板和灯体以相互相对的状态浸入到具有规定值以上的电阻率并对所述光具有充分的高透过率的透明液体中的步骤；和在对所述各像素施加了规定量的电场的状态下点亮所述灯体并对所述液晶显示用基板照射规定光量的所述光的步骤。
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公开(公告)号：CN103038862B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180026308.8
申请日：2011-05-11
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01L21/20 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268 , B23K26/0648 , B23K26/066 , H01L21/02532 , H01L21/02675
Abstract: 本发明提供一种激光退火方法及装置，该激光退火方法及装置能够对非晶硅膜进行激光退火，在形成低温多晶硅膜时，即使使用YAG激光器那样的低价的激光光源装置，也能够对非晶硅膜赋予充足的能量使其实现高效的相变。将来自YAG激光器光源（11）的基波用波长变换器（12、13）变换为2次谐波和3次谐波，对被照射体（18）照射3次谐波的激光，同时基波经由约3m的第3光学系统（21）及约6m的第4光学系统（22），延迟约10ns和约20ns后照射于被照射体（18）。借助于此，被3次谐波熔融的非晶硅膜的熔融部，被基波分割成的P波和S波照射，因此不被非晶硅膜吸收的YAG基波被熔融Si吸收，被有效地使用于其加热。
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公开(公告)号：CN104904198A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380069761.6
申请日：2013-12-10
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H04N9/07 , H01L27/146 , H01L31/10 , H04N5/33 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L27/14698
Abstract: 本发明提供一种摄像装置，其在以一个摄像传感器取得可见光图像及近红外以上的长波长域图像时，得到鲜明的近红外以上的长波长域图像。本发明的摄像装置的摄像传感器(1)在一个半导体基板(10)上形成有多个光电转换部(2(2A、2B))。多个光电转换部(2(2A、2B))中的一组光电转换部(2A)中的每一个显示在近红外以上的长波长域具有峰值的分光灵敏度特性。多个光电转换部(2(2A、2B))中具备显示在可见光区域具有峰值的分光灵敏度特性的光电转换部(2B)。
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公开(公告)号：CN104782004A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380047925.5
申请日：2013-09-04
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: H01S5/1071 , G01C19/661 , H01S3/07 , H01S3/083 , H01S5/021 , H01S5/0261 , H01S5/0425 , H01S5/0683 , H01S5/14 , H01S5/2031 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/4006
Abstract: 本发明提供一种半导体环形激光装置，其能够使环形激光器稳定振荡，且能够以较高的精确度进行角速度检测，并且能够满足超小型、超轻质化的要求。本发明的半导体环形激光装置具备：一个Si半导体基板(10)；环形谐振器(20)，由形成于Si半导体基板(10)的光波导(21)构成；半导体激光部(2)，在光波导(21)的至少一部分具备发光放大部(2A)，且产生相互朝相反方向环绕环形谐振器(20)的两个激光(L1、L2)；及光检测部(4)，形成于Si半导体基板(10)，且从环形谐振器(20)取出两个激光(L1、L2)来检测两个激光(L1、L2)的频率差，发光放大部(2A)具有pn接合部(13a)，所述pn接合部通过一边对在Si半导体基板(10)中的第1半导体层(10n)以高浓度掺杂B即硼而得到的第2半导体层(13)照射光，一边实施退火处理而得到。
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公开(公告)号：CN104769472A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201380058372.3
申请日：2013-10-03
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G02B6/42 , H01L31/0232
CPC classification number: G02B6/122 , G02B6/134 , G02B2006/12061 , G02B2006/12147 , G02B2006/12169 , H01L31/0232 , G02B6/42
Abstract: 本发明提供一种光互连装置。为了能够实现高效率的芯片内光互连，本发明的光互连装置(1)具备：Si半导体基板(10)；光波导(2)，形成于Si半导体基板(10)；及发光元件(3)，形成于光波导(2)的一端部，发光元件(3)具有pn结(10pn)，所述pn结(10pn)通过一边向第2半导体层(10p)照射光一边实施退火处理而得到，所述第2半导体层(10p)通过在Si半导体基板(10)中的第1半导体层(10n)高浓度掺杂杂质而得到。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104395832A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380034909.2
申请日：2013-03-29
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/133788 , G02F1/1303 , G02F1/133753 , G02F2001/133757 , G03F7/201 , G03F7/70275 , G03F7/70283 , G03F7/70308 , G03F7/70325 , G03F7/70358
Abstract: 本发明提供一种光取向曝光装置及光取向曝光方法。将取向曝光方式适用于多域法时，消除单位图像区域的分割区域中的边界附近的取向混乱。一种光取向曝光装置(100)，其将液晶显示元件的各单位图像区域分割为多个分割区域，并分别向不同方向对各分割区域的取向材料膜进行光取向，所述光取向曝光装置具备：第1掩模(M1)及第1曝光装置(11)，用于单独接近式曝光第1分割区域(Da1)；第2掩模(M2)及第2曝光装置(12)，用于单独接近式曝光与第1分割区域(Da1)相邻的第2分割区域(Da2)；及第3掩模(M3)及第3曝光装置(13)，用于曝光第1分割区域(Da1)与第2分割区域(Da2)的边界附近的第1分割区域(Da1)侧的区域，第3曝光装置(13)相对于被曝光面Bs具备与第1曝光装置(11)或第2曝光装置(12)相同的光照射角度，在第3掩模(M3)的掩模开口与被曝光面(Bs)之间具备聚光机构(20)，其使掩模透射光聚光于边界附近的第1分割区域(Da1)侧的区域。
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公开(公告)号：CN102246100B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN200980150397.X
申请日：2009-11-05
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02F1/1335 , G02F1/1339 , G03F1/68
CPC classification number: G02F1/133516 , G02F1/13394 , G02F2001/13396 , G03F7/203 , G03F7/70283
Abstract: 本发明是对涂敷了正性的感光材料的基板进行曝光的光掩模(3)，至少以规定的排列间距在透明基板上形成了如下掩模图案群：第1掩模图案群(16)，其以与基板上的高度不同的两种凸起状图案形成部对应的间隔具有与凸起状图案的横截面积大致相等的面积的第1遮光图案(20)；和第2掩模图案群(17)，其具有与两种凸起状图案形成部中高度较高的凸起状图案形成部对应的规定面积的第2遮光图案(22)、和与高度较低的凸起状图案形成部对应的开口图案(23)。由此，能够将高度不同的多种凸起状图案的顶部形成为大致半球面状。
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公开(公告)号：CN103636083A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201280030065.X
申请日：2012-07-09
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01S3/107
CPC classification number: H01S3/11 , H01S3/005 , H01S3/08054 , H01S3/092 , H01S3/10038 , H01S3/107 , H01S3/115 , H01S3/1611 , H01S3/1643 , H01S3/2308
Abstract: 本发明公开了一种脉冲激光振荡器，其具备：根据所施加的电压而使光产生偏振的第一电光元件、和向所述第一电光元件施加电压并对电压进行控制的电压控制装置，该脉冲激光振荡器通过所述电压控制装置使施加到所述第一电光元件的电压值时效地变化，从而控制激光的脉冲宽度。
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公开(公告)号：CN103140804A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201180048221.0
申请日：2011-09-12
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02B3/00 , H01L21/027
CPC classification number: G02B3/0037 , G02B3/0062 , G02B26/0875 , G03F7/70258 , G03F7/70275
Abstract: 扫描曝光装置通过多个微透镜阵列（2），将掩模（3）的曝光图案投影于衬底（1）上。此时，通过线性CCD相机检测衬底上的图像，将衬底上的第一层图案作为基准图案，检测掩模的曝光图案是否与该基准图案一致。不一致时，使微透镜阵列从平行于衬底的方向倾斜，调整由微透镜阵列形成的衬底上的曝光区域，使掩模的曝光图案与基准图案一致。由此，即使产生曝光图案与基准图案的偏移，也能在曝光中检测该偏移，防止曝光图案的错位，能够提高重叠曝光中的曝光图案的精度。
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公开(公告)号：CN103038862A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180026308.8
申请日：2011-05-11
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01L21/20 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268 , B23K26/0648 , B23K26/066 , H01L21/02532 , H01L21/02675
Abstract: 本发明提供一种激光退火方法及装置，该激光退火方法及装置能够对非晶硅膜进行激光退火，在形成低温多晶硅膜时，即使使用YAG激光器那样的低价的激光光源装置，也能够对非晶硅膜赋予充足的能量使其实现高效的相变。将来自YAG激光器光源（11）的基波用波长变换器（12、13）变换为2次谐波和3次谐波，对被照射体（18）照射3次谐波的激光，同时基波经由约3m的第3光学系统（21）及约6m的第4光学系统（22），延迟约10ns和约20ns后照射于被照射体（18）。借助于此，被3次谐波熔融的非晶硅膜的熔融部，被基波分割成的P波和S波照射，因此不被非晶硅膜吸收的YAG基波被熔融Si吸收，被有效地使用于其加热。
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