电子部件
    71.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107045913A

    公开(公告)日:2017-08-15

    申请号:CN201611112679.9

    申请日:2016-12-06

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制线圈的性能的降低的电子部件。电子部件具有:基板;电容器用下部电极,被设置在基板上;无机电介质层,被设置在基板上以便覆盖下部电极;电容器用上部电极,被直接设置在无机电介质层上并隔着无机电介质层与下部电极对置;以及线圈,被设置在无机电介质层上并与下部电极或者上部电极电连接。

    电子部件
    73.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105513746A

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201510608942.2

    申请日:2015-09-22

    Inventor: 西山健次

    CPC classification number: H01F17/0033 H01F17/0013 H01F2017/0066

    Abstract: 本发明涉及电子部件。其目的是提供在内置有线圈的电子部件中能提高电感值的电子部件。电子部件(1)具备由绝缘体形成的主体(10)、位于主体的内部并包含线圈导体(32、37)的线圈(30)、由底面电极(21)和柱状电极(23)构成并与线圈导体(37)连接的外部电极(20)、由底面电极(26)和柱状电极(28)构成并与线圈导体连接的外部电极。线圈导体位于线圈导体与主体的底面(S1)之间。柱状电极在从z轴方向观察时隔着线圈的中心轴而位于与柱状电极相反的一侧。线圈导体的最外周在从z轴方向观察时与柱状电极重叠。线圈导体与侧面(S2)的最短距离(d1)比线圈导体与侧面(S3)的最短距离(d2)小。

    声表面波装置
    74.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102474238A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201080032018.X

    申请日:2010-07-05

    CPC classification number: H03H9/02669

    Abstract: 本发明提供一种声表面波装置,即使谋求高频化也难以产生成品率变差和浪涌电压耐受性等可靠性变差,而且能获得良好的频率特性。声表面波装置(1)中,在压电基板(2)上形成IDT电极(3),在IDT电极(3)上层叠第1绝缘膜(7)、和至少1层的第2绝缘膜(8),利用SH波的高阶模式,且比起位于最外表面的第2绝缘膜(8)的声表面波的音速,位于较最外表面的绝缘膜(8)更接近IDT电极(3)的一侧的第1绝缘膜(7)的声表面波的音速更快。

    弹性表面波装置
    75.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101421921A

    公开(公告)日:2009-04-29

    申请号:CN200780013480.3

    申请日:2007-04-04

    CPC classification number: H03H9/02559

    Abstract: 提供一种利用瑞利波、难以生成基于SH波的乱真、电极电阻小、能够容易对应高频化的弹性表面波装置。弹性表面波装置具备欧拉角为(0°±5°,θ±5°,0°±10°)的LiNbO3基板;电极,形成于所述LiNbO3基板(2)上,包括以Cu为主体的IDT电极(3);第1氧化硅膜(6),形成为在除了形成所述电极的区域之外的剩余区域中,厚度与所述电极相等;和第2氧化硅膜(7),形成为覆盖所述电极(3)和第1氧化硅膜(6),利用瑞利波,其中,当表面波的波长为λ时,所述电极(3)的膜厚为0.12λ~0.18λ的范围,所述欧拉角(0°±5°,θ±5°,0°±10°)的θ为满足下式(1)的范围,[式1]θ=32.01-351.92×exp(-TCU/0.0187)…式(1)。其中,TCU:以波长λ对Cu电极膜厚归一化后的值。

    声表面波装置
    76.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101385240A

    公开(公告)日:2009-03-11

    申请号:CN200780006047.7

    申请日:2007-02-06

    CPC classification number: H03H9/02559 H03H9/0222

    Abstract: 本发明提供一种声表面波装置,不仅能够抑制在频率特性上出现的波动,具有良好的温度特性,而且利用瑞利波,能够有效地抑制由SH波乱真所引起的影响,具有良好的频率特性。声表面波装置(1),在(0°±5°、θ、0°±10°)的LiNbO3基板(2)上,形成以Cu为主体、并且包括IDT电极(3)的电极,在除去形成有包括IDT电极(3)的电极的区域的剩余的区域,形成与电极相等的厚度的第一氧化硅膜(6),以覆盖电极和第一氧化硅膜(6)的方式形成第二氧化硅膜(7),以成为满足下述公式(1)或(2)的范围的方式,选择欧拉角θ和第二氧化硅膜(7)的标准化膜厚(H)。[数1]-50×H2-3.5×H+38.275≤{θ}≤10H+35(其中,H<0.25) 公式(1);[数2]-50×H2-3.5×H+38.275≤{θ}≤37.5(其中,H≥0.25) 公式(2)。

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