弹性波装置、高频前端电路以及通信装置

    公开(公告)号:CN110024287B

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN201780073197.3

    申请日:2017-10-20

    Abstract: 本发明提供一种低损耗、频率温度特性优异、不易产生由高阶模造成的杂散、且能够抑制IMD的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备:压电基板(2);IDT电极(3),设置在压电基板(2)上;以及氧化硅膜(6),在压电基板(2)上设置为覆盖IDT电极(3),IDT电极(3)具有第一电极层和层叠在第一电极层上的第二电极层,第一电极层由密度比构成第二电极层的金属以及构成氧化硅膜(6)的氧化硅高的金属或合金构成,压电基板2由LiNbO3构成,在压电基板2的欧拉角(0°±5°,θ,0°±10°)中,θ处于8°以上且32°以下的范围内,氧化硅膜(6)含有氢原子、羟基或硅烷醇基。

    弹性波谐振器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101405938A

    公开(公告)日:2009-04-08

    申请号:CN200780009239.3

    申请日:2007-02-20

    CPC classification number: H03H9/02818 H03H9/02992 H03H9/1452

    Abstract: 本发明提供一种弹性波谐振器,这种弹性波谐振器利用非泄漏型弹性波,不仅所进行交叉宽度加权使得横模波纹造成的杂散波难产生,而且能提高反谐振频率的Q值和抗电性,并能谋求减小片规模和提高设计自由度。其中弹性波谐振器(1)在压电基片(2)上形成IDT电极(3),对IDT电极(3)进行交叉宽度加权,使得弹性波传播方向上出现多个交叉宽度的极大值,或者交叉宽度加权中所作加权使得位于与弹性波传播方向正交的方向外侧的一对包络线内至少一方的包络线,在与弹性波传播方向正交的方向设置多个从IDT电极(3)的中央侧往外侧倾斜的包络线倾斜部分(A1、A2、B1、B2)。

    声表面波装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101385240A

    公开(公告)日:2009-03-11

    申请号:CN200780006047.7

    申请日:2007-02-06

    CPC classification number: H03H9/02559 H03H9/0222

    Abstract: 本发明提供一种声表面波装置,不仅能够抑制在频率特性上出现的波动,具有良好的温度特性,而且利用瑞利波,能够有效地抑制由SH波乱真所引起的影响,具有良好的频率特性。声表面波装置(1),在(0°±5°、θ、0°±10°)的LiNbO3基板(2)上,形成以Cu为主体、并且包括IDT电极(3)的电极,在除去形成有包括IDT电极(3)的电极的区域的剩余的区域,形成与电极相等的厚度的第一氧化硅膜(6),以覆盖电极和第一氧化硅膜(6)的方式形成第二氧化硅膜(7),以成为满足下述公式(1)或(2)的范围的方式,选择欧拉角θ和第二氧化硅膜(7)的标准化膜厚(H)。[数1]-50×H2-3.5×H+38.275≤{θ}≤10H+35(其中,H<0.25) 公式(1);[数2]-50×H2-3.5×H+38.275≤{θ}≤37.5(其中,H≥0.25) 公式(2)。

    弹性波装置、高频前端电路以及通信装置

    公开(公告)号:CN110024287A

    公开(公告)日:2019-07-16

    申请号:CN201780073197.3

    申请日:2017-10-20

    Abstract: 本发明提供一种低损耗、频率温度特性优异、不易产生由高阶模造成的杂散、且能够抑制IMD的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备:压电基板(2);IDT电极(3),设置在压电基板(2)上;以及氧化硅膜(6),在压电基板(2)上设置为覆盖IDT电极(3),IDT电极(3)具有第一电极层和层叠在第一电极层上的第二电极层,第一电极层由密度比构成第二电极层的金属以及构成氧化硅膜(6)的氧化硅高的金属或合金构成,压电基板2由LiNbO3构成,在压电基板2的欧拉角(0°±5°,θ,0°±10°)中,θ处于8°以上且32°以下的范围内,氧化硅膜(6)含有氢原子、羟基或硅烷醇基。

    弹性波谐振器
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101405938B

    公开(公告)日:2011-07-27

    申请号:CN200780009239.3

    申请日:2007-02-20

    CPC classification number: H03H9/02818 H03H9/02992 H03H9/1452

    Abstract: 本发明提供一种弹性波谐振器,这种弹性波谐振器利用非泄漏型弹性波,不仅所进行交叉宽度加权使得横模波纹造成的杂散波难产生,而且能提高反谐振频率的Q值和抗电性,并能谋求减小片规模和提高设计自由度。其中弹性波谐振器(1)在压电基片(2)上形成IDT电极(3),对IDT电极(3)进行交叉宽度加权,使得弹性波传播方向上出现多个交叉宽度的极大值,或者交叉宽度加权中所作加权使得位于与弹性波传播方向正交的方向外侧的一对包络线内至少一方的包络线,在与弹性波传播方向正交的方向设置多个从IDT电极(3)的中央侧往外侧倾斜的包络线倾斜部分(A1、A2、B1、B2)。

    多工器、高频前端电路以及通信装置

    公开(公告)号:CN109981073A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201811514233.8

    申请日:2018-12-11

    Abstract: 本发明提供一种多工器、高频前端电路以及通信装置。多工器的第1滤波器具有作为弹性波谐振器的串联谐振器和并联谐振器。串联谐振器之中最接近公共端子的第1串联谐振器不将并联谐振器夹在中间地与公共端子连接。弹性波谐振器具有:具有压电性的基板、形成在基板上的IDT电极、和设置在基板上以使得覆盖IDT电极的电介质层。第1串联谐振器的电介质层的厚度t1比其余的多个弹性波谐振器的电介质层的厚度t2薄。由此,提供能够抑制在滤波器的阻带中产生的高阶模杂散的多工器等。

    声波装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101395796B

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN200780007466.2

    申请日:2007-02-06

    Abstract: 本发明提供一种声表面波装置(1),在压电基板(2)上至少形成一个IDT电极(3),按照覆盖IDT电极(3)的方式设置有温度特性改善用绝缘物层(6),在将绝缘物层(6)的表面划分为IDT电极位于下方的第一表面区域、和IDT电极未位于下方的第二表面区域的情况下,与第一表面区域的至少一部分中的距离压电基板(2)的绝缘物层表面的高度相比,在设声波的波长为λ时,第二表面区域的至少一部分中的绝缘物层表面的高度高出0.001λ以上。由此,可以在几乎不导致相对频带的狭小化及插入损失劣化的情况下,有效地改善频率温度特性。

    多工器、高频前端电路以及通信装置

    公开(公告)号:CN109981073B

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN201811514233.8

    申请日:2018-12-11

    Abstract: 本发明提供一种多工器、高频前端电路以及通信装置。多工器的第1滤波器具有作为弹性波谐振器的串联谐振器和并联谐振器。串联谐振器之中最接近公共端子的第1串联谐振器不将并联谐振器夹在中间地与公共端子连接。弹性波谐振器具有:具有压电性的基板、形成在基板上的IDT电极、和设置在基板上以使得覆盖IDT电极的电介质层。第1串联谐振器的电介质层的厚度t1比其余的多个弹性波谐振器的电介质层的厚度t2薄。由此,提供能够抑制在滤波器的阻带中产生的高阶模杂散的多工器等。

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