公开(公告)号：CN110024287B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201780073197.3

申请日：2017-10-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 高桥秀明 ,  阪口广和 ,  中井康晴

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145 ,  H03H9/72

Abstract: 本发明提供一种低损耗、频率温度特性优异、不易产生由高阶模造成的杂散、且能够抑制IMD的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电基板(2)；IDT电极(3)，设置在压电基板(2)上；以及氧化硅膜(6)，在压电基板(2)上设置为覆盖IDT电极(3)，IDT电极(3)具有第一电极层和层叠在第一电极层上的第二电极层，第一电极层由密度比构成第二电极层的金属以及构成氧化硅膜(6)的氧化硅高的金属或合金构成，压电基板2由LiNbO3构成，在压电基板2的欧拉角(0°±5°，θ，0°±10°)中，θ处于8°以上且32°以下的范围内，氧化硅膜(6)含有氢原子、羟基或硅烷醇基。

公开(公告)号：CN110024287A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201780073197.3

申请日：2017-10-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 高桥秀明 ,  阪口广和 ,  中井康晴

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145 ,  H03H9/72

Abstract: 本发明提供一种低损耗、频率温度特性优异、不易产生由高阶模造成的杂散、且能够抑制IMD的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电基板(2)；IDT电极(3)，设置在压电基板(2)上；以及氧化硅膜(6)，在压电基板(2)上设置为覆盖IDT电极(3)，IDT电极(3)具有第一电极层和层叠在第一电极层上的第二电极层，第一电极层由密度比构成第二电极层的金属以及构成氧化硅膜(6)的氧化硅高的金属或合金构成，压电基板2由LiNbO3构成，在压电基板2的欧拉角(0°±5°，θ，0°±10°)中，θ处于8°以上且32°以下的范围内，氧化硅膜(6)含有氢原子、羟基或硅烷醇基。