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公开(公告)号：CN110024287B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201780073197.3
申请日：2017-10-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种低损耗、频率温度特性优异、不易产生由高阶模造成的杂散、且能够抑制IMD的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电基板(2)；IDT电极(3)，设置在压电基板(2)上；以及氧化硅膜(6)，在压电基板(2)上设置为覆盖IDT电极(3)，IDT电极(3)具有第一电极层和层叠在第一电极层上的第二电极层，第一电极层由密度比构成第二电极层的金属以及构成氧化硅膜(6)的氧化硅高的金属或合金构成，压电基板2由LiNbO3构成，在压电基板2的欧拉角(0°±5°，θ，0°±10°)中，θ处于8°以上且32°以下的范围内，氧化硅膜(6)含有氢原子、羟基或硅烷醇基。
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公开(公告)号：CN102334290B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080009596.1
申请日：2010-03-03
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/0009 , H03H9/02818 , H03H9/02834 , Y10T29/42
Abstract: 本发明提供一种表面声波元件及其制造方法，该表面声波元件的能量损耗小、且例如在用于滤波器装置时能抑制在主响应的谐振频率附近产生的寄生频率从而能够提高滤波器装置的通频带附近的频率特性。表面声波元件(10)具备压电性基板(11)、梳齿状电极(12)和绝缘膜(13)。梳齿状电极(12)形成在压电性基板上(11)。绝缘膜(13)以覆盖压电性基板(11)和梳齿状电极(12)的方式形成。在将压电性基板(11)中传播的弹性波的波长设为λ、将从压电性基板(11)的上表面到绝缘膜(13)的上表面为止的厚度尺寸的最大值与最小值之差设为h时，h/λ处于0.01≤h/λ≤0.03的范围内。
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公开(公告)号：CN110024287A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780073197.3
申请日：2017-10-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种低损耗、频率温度特性优异、不易产生由高阶模造成的杂散、且能够抑制IMD的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电基板(2)；IDT电极(3)，设置在压电基板(2)上；以及氧化硅膜(6)，在压电基板(2)上设置为覆盖IDT电极(3)，IDT电极(3)具有第一电极层和层叠在第一电极层上的第二电极层，第一电极层由密度比构成第二电极层的金属以及构成氧化硅膜(6)的氧化硅高的金属或合金构成，压电基板2由LiNbO3构成，在压电基板2的欧拉角(0°±5°，θ，0°±10°)中，θ处于8°以上且32°以下的范围内，氧化硅膜(6)含有氢原子、羟基或硅烷醇基。
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公开(公告)号：CN102334290A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009596.1
申请日：2010-03-03
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/0009 , H03H9/02818 , H03H9/02834 , Y10T29/42
Abstract: 本发明提供一种表面声波元件及其制造方法，该表面声波元件的能量损耗小、且例如在用于滤波器装置时能抑制在主响应的谐振频率附近产生的寄生频率从而能够提高滤波器装置的通频带附近的频率特性。表面声波元件(10)具备压电性基板(11)、梳齿状电极(12)和绝缘膜(13)。梳齿状电极(12)形成在压电性基板上(11)。绝缘膜(13)以覆盖压电性基板(11)和梳齿状电极(12)的方式形成。在将压电性基板(11)中传播的弹性波的波长设为λ、将从压电性基板(11)的上表面到绝缘膜(13)的上表面为止的厚度尺寸的最大值与最小值之差设为h时，h/λ处于0.01≤h/λ≤0.03的范围内。
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