公开(公告)号：CN117859410A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202280051858.3

申请日：2022-07-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  笹川慎也 ,  方堂凉太 ,  菅谷健太郎 ,  樋浦吉和 ,  藤江贵博 ,  神保安弘

IPC: H05B33/22 ,  H05B33/28 ,  H05B33/26 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10 ,  H05B33/02 ,  H10K50/11 ,  H10K59/12 ,  H10K59/35 ,  H10K71/00 ,  H10K71/60 ,  G09F9/30 ,  G09F9/00

Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。本发明是一种显示装置，该显示装置包括依次包括像素电极、发光层、功能层、公共层以及公共电极的多个发光器件，并包括位于彼此相邻的发光层的侧面之间的绝缘层。发光层及功能层在各发光器件中设置为岛状，多个发光器件共用公共层。公共层及公共电极以覆盖该绝缘层的方式设置。在剖视时该绝缘层的端部具有锥角大于0度且小于90度的锥形形状。

公开(公告)号：CN117730626A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202280053082.9

申请日：2022-07-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  方堂凉太 ,  神保安弘 ,  笹村康纪 ,  泽井宽美

IPC: H05B33/28

Abstract: 提供一种可靠性高的显示装置。该显示装置包括第一发光元件、与第一发光元件相邻的第二发光元件、设置在第一发光元件与第二发光元件之间的第一绝缘层以及第一绝缘层上的第二绝缘层。第一发光元件包括第一导电层、覆盖第一导电层的顶面及侧面的第二导电层、覆盖第二导电层的顶面及侧面的第一EL层以及第一EL层上的公共电极。第二发光元件包括第三导电层、覆盖第三导电层的顶面及侧面的第四导电层、覆盖第四导电层的顶面及侧面的第二EL层以及第二EL层上的公共电极。第二绝缘层上设置有公共电极。第一导电层的可见光反射率比第二导电层的可见光反射率高，第三导电层的可见光反射率比第四导电层的可见光反射率高。

公开(公告)号：CN117652205A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202280048986.2

申请日：2022-06-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  方堂凉太 ,  菅谷健太郎 ,  樋浦吉和 ,  藤江贵博

IPC: H05B33/22 ,  H05B33/26 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10 ,  H10K59/124 ,  H10K59/131 ,  G09F9/30 ,  G09F9/00

Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。该显示装置包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层以及第二绝缘层，第一发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层以及第一发光层上的公共电极，第二发光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二发光层以及第二发光层上的公共电极，第一绝缘层覆盖第一发光层的顶面的一部分及侧面以及第二发光层的顶面的一部分及侧面，第二绝缘层隔着第一绝缘层与第一发光层的顶面的一部分及侧面以及第二发光层的顶面的一部分及侧面重叠，公共电极覆盖第二绝缘层，在从截面看时，第二绝缘层的端部具有锥角小于90°的锥形形状，第二绝缘层覆盖第一绝缘层的侧面的至少一部分。

公开(公告)号：CN117581637A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280046088.3

申请日：2022-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  方堂凉太 ,  神保安弘 ,  加藤千里

IPC: H05B33/22

Abstract: 提供一种可靠性高的显示装置。该显示装置包括第一发光元件、与第一发光元件相邻的第二发光元件、设置在第一发光元件与第二发光元件之间的第一绝缘层、第一绝缘层上的遮光层及遮光层上的第二绝缘层。第一发光元件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层及第一EL层上的公共电极，第二发光元件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层及第二EL层上的公共电极。第二绝缘层上配置有公共电极。

公开(公告)号：CN117044396A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280020431.7

申请日：2022-03-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  方堂凉太 ,  神保安弘

IPC: H05B33/22

Abstract: 提供一种显示品质及可靠性高的显示装置。该显示装置包括第一发光元件、与第一发光元件相邻配置的第二发光元件、第一保护层、第二保护层以及绝缘层。第一发光元件包括第一像素电极、第一EL层以及公共电极，第二发光元件包括第二像素电极、第二EL层以及公共电极。第一EL层设置在第一像素电极上，第二EL层设置在第二像素电极上。第一保护层具有与第一EL层的侧面接触的区域，第二保护层具有与第二EL层的侧面接触的区域。绝缘层设置在第一保护层与第二保护层之间。公共电极设置在第一EL层上、第二EL层上、第一保护层上、第二保护层上以及绝缘层上。

公开(公告)号：CN116982406A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280016835.9

申请日：2022-02-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 方堂凉太 ,  笹川慎也 ,  樋浦吉和 ,  藤江贵博

IPC: H05B33/10

Abstract: 提供一种高清晰或高分辨率的显示装置。该显示装置的制造方法包括：形成导电膜、第一层及第一牺牲层；加工第一层及第一牺牲层来使导电膜的一部分露出；在第一牺牲层及导电膜上形成第二层及第二牺牲层；加工第二层及第二牺牲层来使导电膜的一部分露出；加工导电膜来形成与第一牺牲层重叠的第一像素电极及与第二牺牲层重叠的第二像素电极；形成至少覆盖第一像素电极、第二像素电极、第一层及第二层的各侧面、第一牺牲层的侧面及顶面以及第二牺牲层的侧面及顶面的两层绝缘膜；加工两层绝缘膜来形成至少覆盖第一像素电极及第一层的侧面的侧壁；去除第一牺牲层及第二牺牲层；在第一层及第二层上形成公共电极。

公开(公告)号：CN116670746A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180086120.6

申请日：2021-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柳泽悠一 ,  方堂凉太 ,  西崎史朗 ,  泽井宽美

IPC: G09F9/30

Abstract: 提供一种高清晰显示装置及其制造方法。显示装置包括第一绝缘层、第一绝缘层上的第一发光元件及第二发光元件、在第一发光元件上以覆盖第一发光元件的方式配置的第三绝缘层以及在第二发光元件上以覆盖第二发光元件的方式配置的第五绝缘层。第一发光元件和第二发光元件发射不同颜色的光。第一绝缘层的第一发光元件和第二发光元件之间的区域中设置有第一槽及第二槽。第三绝缘层的一部分嵌入第一槽中，第五绝缘层的一部分嵌入第二槽中。

公开(公告)号：CN116601696A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180083581.8

申请日：2021-12-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  池田隆之 ,  方堂凉太 ,  柳泽悠一

IPC: G09G3/20

Abstract: 提供一种能够显示高品质图像的显示装置。一种显示装置，包括第一发光元件、第二发光元件、第一保护层、第二保护层和空隙。第一发光元件包括第一下部电极、第一下部电极上的第一EL层以及第一EL层上的第一上部电极，第二发光元件包括第二下部电极、第二下部电极上的第二EL层以及第二EL层上的第二上部电极。第一发光元件与第二发光元件相邻。第一保护层设置在第一发光元件上及第二发光元件上并具有与第一EL层的侧面及第二EL层的侧面接触的区域。第二保护层设置在第一保护层上。空隙设置在第一EL层与第二EL层间以及第一保护层与第二保护层间。

公开(公告)号：CN110998809B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201880050765.2

申请日：2018-07-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  松林大介 ,  方堂凉太 ,  伊藤大吾 ,  本多大章 ,  冈本悟

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：氧化物；氧化物上的第一导电体及第二导电体；氧化物上的第三导电体；氧化物与第三导电体之间的覆盖第三导电体的侧面的第一绝缘体；第三导电体及第一绝缘体上的第二绝缘体；位于第一导电体上且第二绝缘体的侧面处的第三绝缘体；位于第二导电体上且第二绝缘体的侧面处的第四绝缘体；与第三绝缘体的顶面及侧面接触且与第一导电体电连接的第四导电体；以及与第四绝缘体的顶面及侧面接触且与第二导电体电连接的第五导电体。第一绝缘体位于第三绝缘体与第三导电体之间且位于第四绝缘体与第三导电体之间。

公开(公告)号：CN115997276A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202180052289.X

申请日：2021-08-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  山根靖正 ,  安藤善范 ,  小森茂树 ,  方堂凉太 ,  大贯达也 ,  笹川慎也

IPC: H01L21/336

Abstract: 提供一种晶体管特性不均匀少的半导体装置。该半导体装置包括第一器件层至第n(n为2以上的自然数)器件层，该器件层分别包括第一阻挡绝缘膜、第二阻挡绝缘膜、第三阻挡绝缘膜、氧化物半导体器件、第一导电体及第二导电体，第一器件层至第n器件层中，在第一阻挡绝缘膜上配置氧化物半导体器件，以覆盖氧化物半导体器件的方式配置第二阻挡绝缘膜，通过在第二阻挡绝缘膜形成的开口以与氧化物半导体器件电连接的方式配置第一导电体，在第一导电体上配置第二导电体，在第二导电体及第二阻挡绝缘膜上配置第三阻挡绝缘膜，第一阻挡绝缘膜至第三阻挡绝缘膜具有抑制氢的扩散的功能。