半导体装置
    72.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102742014B

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201080062030.5

    申请日:2010-12-24

    CPC classification number: H01L29/7869

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种维持有利的特性并实现微细化的、包括氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置,包括:氧化物半导体层;与所述氧化物半导体层接触的源电极及漏电极;与所述氧化物半导体层重叠的栅电极;以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层,其中,所述源电极及所述漏电极各包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向沟道长度方向延伸的区域的第二导电层。

    半导体装置
    73.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102742014A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201080062030.5

    申请日:2010-12-24

    CPC classification number: H01L29/7869

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种维持有利的特性并实现微细化的、包括氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置,包括:氧化物半导体层;与所述氧化物半导体层接触的源电极及漏电极;与所述氧化物半导体层重叠的栅电极;以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层,其中,所述源电极及所述漏电极各包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向沟道长度方向延伸的区域的第二导电层。

    二次电池管理系统
    76.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117916976A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202280058043.8

    申请日:2022-08-22

    Abstract: 提供一种用来实现可在低温下使用的二次电池的二次电池管理系统。该二次电池管理系统包括:在‑50度以上且0度以下进行充放电的二次电池;具有测量二次电池的电压的功能的第一电路;具有测量二次电池的电流的功能的第二电路;以及被输入来自第一电路的电压信息或来自第二电路的电流信息的控制电路,控制电路开始对二次电池的充电,控制电路根据从第一电路或第二电路输入的值计算表示电池特性的数据,控制电路检测数据的极大值,控制电路在检测出极大值时停止充电。

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