发光装置
    75.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102694130B

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201210065359.8

    申请日:2012-03-13

    Inventor: 内藤胜之

    CPC classification number: H01L27/3232

    Abstract: 根据一个实施方案,提供一种发光装置(WM),包括透光层(1),包括第一区域和第二区域以及介于其间的第三区域;和发光部(2),与第二区域或与第二区域和第三区域重叠。所述装置(WM)的对应于第一区域的第一部分(A1)使在可见光范围内具有特定波长的光以第一透过率透过。所述装置(WM)的对应于第二区域的第二部分(A2)使所述发光部发光并且使具有所述波长的光以低于第一透过率的第二透过率透过。所述装置(WM)的对应于第三区域的第三部分(A3)被构造成具有光的透过率在第一透过率至第二透过率的范围内从第一部分侧的端部到第二部分侧的端部降低的透过率分布。

    透明电极、透明电极的制造方法和电子器件

    公开(公告)号:CN114600202B

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202080060203.3

    申请日:2020-09-09

    Abstract: [课题]本发明提供一种低电阻、且对卤素、硫等杂质的稳定性高的透明电极及其制造方法、以及使用该透明电极的电子器件。[解决手段]实施方式的透明电极是具备透明基材和配置在其表面上且被分离区域相互分离的多个导电性区域的透明电极,所述导电性区域具有从所述基材侧起依次层叠第1透明导电性金属氧化物层、金属层和第2透明导电性金属氧化物层的结构,在所述分离区域配置有捕获卤素、硫或氧的任1种以上的捕获材料。该透明电极可通过在对导电性区域进行划线而形成分离区域后采用卤化物或硫化合物来制造。

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