公开(公告)号：CN112928206A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202110118880.2

申请日：2021-01-28

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 崔岩 ,  罗军 ,  杨美音 ,  许静 ,  张骥

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明涉及MTJ技术领域,公开了一种MTJ及其驱动方法和制作方法，该MTJ包括参考层，参考层的上表面设有势垒层，势垒层的上表面设有自由层，自由层的上表面设有阻变层，阻变层的上表面和参考层的下表面之间存在压降时，阻变层向自由层迁移氧离子，迁移到自由层的氧离子会和自由层的Fe和Co结合生成没有磁性的FeO和CoO氧化物，进而降低自由层的磁矩翻转电流，降低MTJ的写入功耗。

公开(公告)号：CN112631774A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011544309.9

申请日：2020-12-23

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 ,  澳芯集成电路技术(广东)有限公司

Inventor： 周达云 ,  叶甜春 ,  罗军 ,  赵杰 ,  王云

IPC: G06F9/50

Abstract: 本申请提供一种基于网格计算的任务处理方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。其中方法包括：根据各网格计算节点所允许提供的计算资源建立网格计算池；在所述网格计算池中完成所有节点的网络信息服务NIS环境部署；接收通过NIS客户端登入用户上传的目标任务；利用预设的资源管理方式，将所述目标任务分配至所述网格计算池中相应的节点进行处理。相较于现有技术，通过本方案，能够在大量的资源中快速、无障碍地切换至空闲、可用的资源，使用户任务得到快速处理，从而提高资源使用率。

公开(公告)号：CN118969627A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411035721.6

申请日：2024-07-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 罗军 ,  黄真 ,  刘颂 ,  许静

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/51

Abstract: 本公开提供一种二维材料晶圆级无损转移方法及晶体管器件，无损转移方法包括：操作S1：在衬底上生长单层二维半导体材料层；操作S2：在所述二维半导体材料层上蒸镀金属锑；操作S3：在金属锑表面旋涂PMMA；操作S4：通过PMMA辅助湿法转移将镀有金属锑和二维半导体材料层的叠层转移到新的衬底上；操作S5：在PMMA上开窗口以暴露出下面的金属锑，使金属锑与空气接触；操作S6：在空气中加热，使暴露的金属锑氧化为具有高介电常数的三氧化二锑；操作S7：在三氧化二锑上制备栅极；以及操作S8：去除PMMA得到晶体管器件，完成二维材料晶圆级无损转移。

公开(公告)号：CN118398623A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410346192.5

申请日：2024-03-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 罗军 ,  高海粟 ,  许静 ,  许滨滨

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请公开了一种晶体管及其制备方法，晶体管包括衬底、半导体层和第一导电层，半导体层形成于衬底一侧，包括多个源区、多个漏区和多个沟道区，源区和漏区沿虚拟环形交替排布，沟道区位于相邻源区与漏区之间；第一导电层形成于沟道区背离衬底一侧以及衬底一侧，包括控制电极，控制电极与沟道区一一对应。该晶体管中的每个量子点均容易操控，可降低不同量子点的差异，提升晶体管的性能。

公开(公告)号：CN115360230B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202210655638.3

申请日：2022-06-10

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 ,  锐立平芯微电子(广州)有限责任公司

Inventor： 嵇彤 ,  叶甜春 ,  朱纪军 ,  李彬鸿 ,  罗军 ,  赵杰 ,  许静 ,  许滨滨 ,  王国庆

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请提供了LDMOS器件的制作方法和LDMOS器件，该方法包括：提供基底，基底包括硅衬底、绝缘氧化层、半导体材料层、隔离结构以及硅材料结构，硅衬底具有相邻的第一掺杂区域和第二掺杂区域；在两个隔离结构之间的半导体材料层的裸露表面上形成硅材料层；至少在硅材料层的预定表面上形成HK介质层；在两个隔离结构之间的半导体材料层的裸露表面上形成栅极、源极和漏极。该方法使得关闭状态时漂移区中的大部分电通量流向HK介质层，有助于漂移区耗尽，从而可以增加漂移区的掺杂浓度，在开启状态减小器件的导通电阻，进而解决了现有技术为了得到大的击穿电压，延长漂移区导致器件性能变差的问题。

公开(公告)号：CN117895334A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311767602.5

申请日：2023-12-20

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 罗军 ,  高海粟 ,  许静 ,  李彬鸿

IPC: H01S5/34

Abstract: 本发明涉及一种GeSn/SiGe量子阱激光器及其制作方法。GeSn/SiGe量子阱激光器，其包括由下至上堆叠的：衬底，锗硅缓冲层，P型掺杂锗硅层，P型掺杂锗硅层中硅的摩尔百分比为5％～20％；量子阱，量子阱由锗锡层和锗硅层交替堆叠多次而成，并且多个锗锡层中的锡含量由下至上逐层递增，锗锡层中锡质量百分比为6.5％～10％；N型掺杂锗硅层，N型掺杂锗硅层中硅的摩尔百分比为5％～20％；氮化硅层。本发明可以明显减少激光器达到粒子反转所需的载流子数目，加强有源区受激辐射，同时弥补单层Ge光增益不高的缺点，有效提升激光器的输出功率。

公开(公告)号：CN114253090B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202210072959.0

申请日：2022-01-21

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 ,  锐立平芯微电子(广州)有限责任公司

Inventor： 吴华标 ,  叶甜春 ,  朱纪军 ,  李彬鸿 ,  罗军 ,  赵杰

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/36

Abstract: 本申请实施例公开了一种光刻图形的优化方法和装置，该方法用于集成电路器件，集成电路的扩散层包括有源Active区和浅沟道隔离STI区，浅沟道隔离区填充有氧化硅薄膜层，氧化硅薄膜层的目标图形区上方设有光刻胶图层；具体包括：获取光刻图形的样本数据，样本数据包括光刻胶图层的第一尺寸信息以及与有源区的第一间距；基于样本数据生成第一光罩图形，第一目标图形的图形误差大于误差阈值；基于第一目标图形的图形误差进行光学邻近OPC校正，获得矫正后的第二光罩图形。通过本方案可以对第一光罩图形进行图形优化，获得第二光罩图形，抵消有源区侧壁产生的二次曝光引起图形误差，避免出现光刻胶倒塌，同时也提高了光刻机的曝光精度。

公开(公告)号：CN114326330B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202210071674.5

申请日：2022-01-21

Applicant: 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 ,  广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 吴华标 ,  叶甜春 ,  朱纪军 ,  罗军 ,  李彬鸿 ,  赵杰

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/36

Abstract: 本申请实施例公开了一种光刻图形的优化方法及装置，该方法用于集成电路器件；具体包括：获取光刻图形的样本数据，样本数据包括所述目标图形区的第一尺寸信息以及所述至少两个材料层的材料信息；基于样本数据生成的第一光罩图形对光刻胶图层进行光刻，生成第一目标图形，第一目标图形的图形尺寸误差大于误差阈值；基于第一目标图形的图形尺寸误差进行光学邻近OPC校正，获得矫正后的第二光罩图形。本方案可以对图形尺寸误差超过阈值的第一光罩图形进行图形优化，获得图形尺寸误差更小的第二光罩图形，不仅提高了光刻的精度，避免出现光刻胶残留，且提高了后续的工艺窗口，提高产品的良品率。

公开(公告)号：CN116544270A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310440684.6

申请日：2023-04-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 罗军 ,  陈博涵 ,  许静

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种铁电栅极叠层和铁电场效应晶体管及其制备方法，属于微电子技术领域，用以解决现有中铁电场效应晶体管易出现积累翻转问题。所述铁电栅极叠层自下而上包括依次叠加设置的栅氧层、介质薄层、其他栅介质层；其中，所述介质薄层和所述栅氧层之间还设置有铁电层，所述介质薄层与所述其他栅介质层之间还设置有阻变层；或所述介质薄层和所述栅氧层之间还设置有阻变层，所述介质薄层与所述其他栅介质层之间还设置有铁电层，本发明通过在铁电栅极叠层中加入阻变层，使得铁电栅极叠层上的电压小于翻转电压时，不易受周围串扰而积累翻转，达到期望的矫顽电压后，正常开启，削弱积累翻转效应。

公开(公告)号：CN116487421A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310641125.1

申请日：2023-05-31

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 许滨滨 ,  叶甜春 ,  李彬鸿 ,  罗军 ,  许静 ,  嵇彤

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本申请实施例公开了一种场效应晶体管及其制作方法，该方法中所述源极和所述漏极中至少一个包括层叠的第一电极层、第二电极层和第三电极层，其中，所述第一电极层和所述第三电极层中包括NiSi，所述第二电极层中包括HfO2，从而可以利用第二电极层中的HfO2阻挡第三电极层中的镍原子与有源区中的硅原子相互扩散，进而减缓硅化物在高温下快速团聚形成高阻NiSi2，提高金属电极中包括镍原子时，场效应晶体管的稳定性，即提高NiSi作为场效应晶体管的金属电极时的稳定性，同时利用第二电极层中的HfO2阻挡第三电极层中的镍原子与有源区中的硅原子相互扩散，还可以提高所述第一电极层和有源区之间的接触界面的平滑度。