公开(公告)号：CN102195234B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201010128998.5

申请日：2010-03-18

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 杜国同 ,  梁红伟 ,  夏晓川 ,  赵旺

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/06

Abstract: 一种n型ZnO和p型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。激光器件由衬底1，p型GaN外延层2，外延层2上制备的相互分立的电流下限制层3和下电极5，电流下限制层3上制备的n型ZnO基材料发光层4，上电极6等部件构成，其特征是在衬底1和p型GaN外延层2之间生长制备多层AlGaN/GaN薄膜DBR下反射镜8，n型ZnO发光层4上而制备一层n型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层7，再在电流上限制层7上制备相互分立的上电极6和多层介质薄膜DBR上反射镜9。本发明的效果和益处是有可控谐振腔，可以提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。

公开(公告)号：CN102543988A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210052040.1

申请日：2012-03-02

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 申人升 ,  梁红伟 ,  柳阳 ,  杜国同

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明公开了一种金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED。所述金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED是将发射蓝光的LED和发射红光、黄光或红黄混合光的LED连接在一起，在电流驱动下发射白光。本发明的特点是将两种发射不同颜色光的LED（分别为发射蓝光的LED和发射红光、黄光或红黄混合光的LED）通过直接键合技术集成在一起；金属支撑基板作为整个器件的新支撑体与衬底剥离工艺使得器件的散热性能得到大幅提升，解决了LED结温影响发光性能的弊端；多电极的引入可分别控制红光、黄光或红黄混合光与蓝光比例，以调节白光LED的色温；欧姆接触合金发射层的存在与GaAs衬底的剥离使得器件的光提取效率得到大幅度提升。

公开(公告)号：CN218767329U

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202223087578.4

申请日：2022-11-17

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 梁红伟 ,  龙泽 ,  张赫之 ,  柳阳 ,  张克雄 ,  马浩然 ,  张振中 ,  张贺秋 ,  夏晓川

IPC: G01T7/00

Abstract: 本实用新型属于半导体器件测试技术领域，公开了一种基于带电粒子响应特性的碳化硅探测器极化效应测试系统，包括碳化硅探测器、带电粒子源、准直器、铝合金屏蔽盒、真空罐、机械真空泵、电荷灵敏前置放大器、主放大器、低压供电电源、高压电源、多道分析仪、计算机、数字信号示波器和连接信号线缆。本实用新型设计的一种基于带电粒子响应特性的碳化硅探测器极化效应测试系统，确定了碳化硅探测器的极化效应程度，给出碳化硅探测器稳定工作的预极化条件，同时为碳化硅探测器缺陷研究提供参考。

公开(公告)号：CN205508826U

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201620147905.6

申请日：2016-02-26

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄火林 ,  孙仲豪 ,  梁红伟 ,  夏晓川 ,  杜国同 ,  边继明 ,  胡礼中

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10

Abstract: 本实用新型涉及半导体器件领域，提供一种具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件，所述HEMT器件包括：层叠设置的衬底、缓冲层、i-GaN层、栅介质层和钝化层，i-GaN层一端、且背离缓冲层的一侧为阶梯形；包覆在阶梯形下层和栅介质层之间的源电极；包覆在阶梯形上层和栅介质层之间的势垒层和漏电极；包覆在栅介质层和钝化层之间的栅电极，栅电极的截面呈“Z”字形，栅电极的上平面位于阶梯形上层的上方，下平面位于阶梯形下层的上方；依次穿过钝化层和栅介质层、且与源电极接触的源电极焊盘；依次穿过钝化层和栅介质层、且与漏电极接触的漏电极焊盘。本实用新型能减小栅极开启沟道的长度，降低器件的栅极导通电阻,实现常关型操作。

公开(公告)号：CN213431869U

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202021254229.5

申请日：2020-07-01

Applicant: 大连理工大学 ,  杭州旻芯电子科技有限公司

Inventor： 夏晓川 ,  俞振南 ,  梁红伟 ,  翁佩

IPC: A61L2/10 ,  A61L9/20 ,  B66B11/02 ,  F21S8/00 ,  F21V3/02 ,  F21V3/10 ,  F21V7/28 ,  F21V9/40 ,  F21V23/00 ,  H05B45/00 ,  H05B47/12 ,  H05B47/13 ,  H05B47/115 ,  F21Y115/10

Abstract: 本实用新型属于紫外杀菌技术领域，提供一种电梯轿厢内自调节照明与灭菌的LED集成光源装置，为了提高对不同电梯结构的适应性、安装的便利性以及工作可靠性，集成光源装置采用多个相同模块拼插组合而成。在紫外LED供电方式上提出采用大电流脉冲方式，实现了在降低集成光源发热的同时提高UVA和UVC‑LED的瞬时光功率密度，从而能够显著提高集成光源的灭毒效果、安全性和实用寿命；在灯头面板上增加了针对260～280nm紫外光的反射设计，显著减小集成光源对260～280nm波长紫外光的发光角度，进一步提高其发射光集中度，显著提高集成光源的灭毒效果。

公开(公告)号：CN218779008U

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202223054704.6

申请日：2022-11-17

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 梁红伟 ,  韩中元 ,  张克雄 ,  柳阳 ,  张振中 ,  张贺秋 ,  张赫之 ,  马浩然 ,  夏晓川

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/30 ,  C23C14/35

Abstract: 本实用新型属于掩模夹具技术领域，公开了一种用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具，包括掩模夹具本体，其上分为均匀分布的四个镂空方孔和用于可调整图形化掩模位置的镂空滑轨；若干抽屉式掩模，用于实现图形化电极，其上开有用于精细对准的对准圆孔。本实用新型的用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具，通过抽屉式多层可抽动的掩模版设计，和不同图案掩模的嵌套组合，有效解决了实验用碳化硅样品，多层电极尺寸对准精度不高，频繁更换样品引入沾污，多个分立掩模成本过高，不易保存等问题。本掩模夹具制备节约成本，可用于实验用多层复杂的电极结构制备。