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公开(公告)号：CN103724622A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310653545.8
申请日：2013-12-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种铌酸钾钠/聚酰亚胺高介电薄膜的制备方法，它涉及一种铌酸钾钠/聚酰亚胺高介电薄膜的制备方法，本发明的目的是要解决现有的高介电聚合物-陶瓷复合薄膜的介电综合性能较差，不能满足微电子领域高介电柔性薄膜需求的问题，本发明的制备方法为：一、称量原料；二、原料的干燥；三、制备混合溶液A；四、制备混合溶液B；五、制备聚酰胺酸溶液；六、制备亚胺化后的玻璃板；七、脱模、制样，即完成。本发明的铌酸钾钠/聚酰亚胺高介电薄膜的介电综合性能优异，可满足微电子领域高介电柔性薄膜的需求。本发明应用于无机/有机复合材料的制备技术领域。
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公开(公告)号：CN119354402A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411548045.2
申请日：2024-11-01
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于游标效应增敏的光纤气压传感器及检测方法，属于气体压强测量技术领域。所述第一传感干涉仪包括依次同轴布置的第一单模光纤、保偏光子晶体光纤、第二单模光纤和金膜，保偏光子晶体光纤的两端通过熔接方式与第一单模光纤的一端和第二单模光纤的一端连接，金膜位于第二单模光纤的另一端；第二传感干涉仪包括依次同轴布置的第三单模光纤和石英管，第三单模光纤通过熔接方式连接石英管的一端，石英管设有UV膜，所述第三单模光纤与石英管的熔接面为第一反射面，石英管中的空气与UV膜的临界面为第二反射面。本发明能够满足高灵敏度要求的气压精确检测要求。
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公开(公告)号：CN117269272A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311263629.0
申请日：2023-09-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用Cu72Pt28合金纳米晶检测水溶液中亚硝酸钠浓度的方法，其包括：制备Cu72Pt28合金纳米晶；使用纳米晶修饰工作电极表面；测量不同亚硝酸钠浓度下的线性伏安扫描曲线，拟合方程1；测试不同亚硝酸钠浓度下的计时响应电流密度，拟合方程2；测试待测溶液信号，根据拟合方程1和2，计算待测水溶液中亚硝酸钠的浓度C1和C2，求平均值C。本测试方法可直接测量待测质溶液，无需进一步处理。双方程矫正有助验证测试结果的正确性，有效避免偶然误差。
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公开(公告)号：CN113044874B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202110259632.X
申请日：2021-03-10
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种制备小尺寸CuBr纳米颗粒的方法，属于无机纳米材料制备的技术领域。制备过程包括：配置铜的前驱物，并与溴的前驱物按一定比例混合，均匀搅拌；加入还原剂抗坏血酸，搅拌均匀；加入氯铂酸恒温反应；离心清洗烘干，获得样品。在CuBr纳米颗粒的制备过程中：少量的氯铂酸引入可有效抑制CuBr纳米晶的熟化，从而达到小尺寸CuBr纳米颗粒的获得；反应温度的提升可降低动力学对成核速率的影响，实现产物尺寸的均一性；随着溴化钾浓度的增加，所得CuBr颗粒尺寸逐渐降低。本发明所提供的制备方法操作简单、产量较高，所得的CuBr纳米颗粒尺寸均匀，可控制在70‑100纳米之间。
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公开(公告)号：CN113514009B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110904262.0
申请日：2021-08-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01B11/25
Abstract: 一种移位阶梯相位码与相移条纹非对称组合三维测量方法属于结构光三维测量技术领域。该方法包括以下步骤：依据相移法生成余弦相移图案；设计生成移位阶梯相位码字；将码字嵌入相移条纹中生成移位阶梯相位码图案；投射余弦相移条纹和移位阶梯相位码条纹图案并同步采集它们的图像；利用相移法获取包裹相位和包裹移位阶梯相位；将包裹移位阶梯相位转换为其十进制包裹数字码；对包裹数字码进行解包裹得到连续数字码；对包裹相位进行解包裹得到绝对相位；根据三角法使用绝对相位计算被测表面三维坐标。相比于阶梯相位码与相移条纹组合方法，本发明方法的测量结果不会产生由跳变误差导致的粗大误差，能更可靠地得到绝对相位，可提供更准确的测量结果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114702771A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210285167.1
申请日：2022-03-22
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用酰氯类小分子优化钽铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜介电性能的方法。首先，借助界面亲和反应利用不同官能团的酰氯类小分子对钽铌酸钾(KTN)表面进行改性。随后，将改性后的KTN粒子加入聚偏氟乙烯(PVDF)中，制备出相应的复合薄膜。由于修饰后KTN粒子与聚合物基体的相容性加强，所得的复合薄膜介电损耗和击穿场强得到明显的改善。本发明所制备的2‑丙烯‑1‑磺酰氯改性的复合薄膜(KTN‑SC/PVDF)、苄磺酰氯改性的复合薄膜(KTN‑ATC/PVDF)、甲基丙烯酰氯改性的复合薄膜(KTN‑MAC)的介电损耗都低于与未改性KTN/PVDF薄膜。三种改性剂改性的复合薄膜在击穿场强方面均显示出明显的提升，其中掺杂体积分数为百分之3的KTN‑SC/PVDF薄膜的击穿场强提升最高，相比相同浓度未改性的KTN/PVDF薄膜提高了2.87倍。
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公开(公告)号：CN113044874A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110259632.X
申请日：2021-03-10
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种制备小尺寸CuBr纳米颗粒的方法，属于无机纳米材料制备的技术领域。制备过程包括：配置铜的前驱物，并与溴的前驱物按一定比例混合，均匀搅拌；加入还原剂抗坏血酸，搅拌均匀；加入氯铂酸恒温反应；离心清洗烘干，获得样品。在CuBr纳米颗粒的制备过程中：少量的氯铂酸引入可有效抑制CuBr纳米晶的熟化，从而达到小尺寸CuBr纳米颗粒的获得；反应温度的提升可降低动力学对成核速率的影响，实现产物尺寸的均一性；随着溴化钾浓度的增加，所得CuBr颗粒尺寸逐渐降低。本发明所提供的制备方法操作简单、产量较高，所得的CuBr纳米颗粒尺寸均匀，可控制在70‑100纳米之间。
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公开(公告)号：CN106735180B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201611148043.X
申请日：2016-12-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B22F1/02
Abstract: 一种聚苯乙烯包覆金属纳米颗粒的方法。本发明涉及有机无机复合纳米粒子制备领域，特别是涉及一种聚苯乙烯包覆金属纳米颗粒的方法。本发明是要解决现有方法不能有效的防止金属纳米颗粒团聚和氧化，且成本高的问题。方法：一、功能化金属纳米颗粒；二、功能化后的金属纳米颗粒、蒸馏水、无水乙醇和聚乙烯吡咯烷酮混合，得到反应体系，将反应体系的温度升温至45℃后，向反应体系中加入苯乙烯和偶氮二异丁腈，将反应体系的温度升温至81℃～84℃，搅拌2h，向反应体系中加入饱和氯化钠溶液进行破乳，对油相进行减压抽滤后洗涤，真空烘干，得到聚苯乙烯包覆的金属纳米颗粒。本发明用于金属纳米颗粒进行包覆，防止金属纳米颗粒团聚和氧化。
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公开(公告)号：CN106751247B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201611146193.7
申请日：2016-12-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高介电常数的交联PS@Cu/PVDF复合薄膜的制备方法。本发明涉及电子功能材料技术领域，特别是涉及一种高介电常数的交联PS@Cu/PVDF复合薄膜的制备方法。本发明是要解决现有方法铜纳米颗粒在高介电聚合物基复合材料中具有差的分散性和相容性且易氧化的问题。方法：一、Cu@交联PS纳米颗粒的制备；二、高介电Cu@交联PS/PVDF复合薄膜的制备。本发明用于制备高介电常数的Cu@交联PS/PVDF复合薄膜。
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公开(公告)号：CN106751247A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611146193.7
申请日：2016-12-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高介电常数的交联PS@Cu/PVDF复合薄膜的制备方法。本发明涉及电子功能材料技术领域，特别是涉及一种高介电常数的交联PS@Cu/PVDF复合薄膜的制备方法。本发明是要解决现有方法铜纳米颗粒在高介电聚合物基复合材料中具有差的分散性和相容性且易氧化的问题。方法：一、Cu@交联PS纳米颗粒的制备；二、高介电Cu@交联PS/PVDF复合薄膜的制备。本发明用于制备高介电常数的Cu@交联PS/PVDF复合薄膜。
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