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公开(公告)号：CN103601899A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310610991.0
申请日：2013-11-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及高分子材料领域，提供了一种制备氧化石墨烯增强磁性水凝胶的方法，所述的氧化石墨烯增强磁性水凝胶成份包括：氧化石墨烯、四氧化三铁以及聚乙烯醇，包括以下步骤：按照1克聚乙烯醇比5毫升超纯水的比例，将聚乙烯醇和超纯水放入容器中缓慢搅拌并加热10分钟；将熔融状态下聚乙烯醇转移到-20℃的环境下冷冻21小时；将冷冻后的聚乙烯醇解冻3小时；重复前述步骤两次后，将氧化石墨烯和四氧化三铁添加到经过三次解冻后的聚乙烯醇中。利用本发明制备出来的氧化石墨烯增强磁性水凝胶，通过添加氧化石墨烯有利增强磁性水凝胶的力学性能，有利克服水凝胶材料存在的冲击强度低,应力下易断裂等缺点。
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公开(公告)号：CN102560453B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201210059833.6
申请日：2012-03-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C20/06
Abstract: 利用石墨烯增强聚酰亚胺树脂碳化制备碳化膜的方法，它涉及碳化膜的方法。本发明要解决现有制备碳化膜方法存在碳化温度高、耗能大、碳化周期长、碳化膜碳化率较低及强度低的技术问题。方法：一、将ODA和BTDA加入DMAC中，机械搅拌，得到PAA溶液；二、向PAA溶液中加入石墨烯，原位聚合反应，得到溶液A；三、将溶液A平铺到干净的玻璃板上，然后升温至60℃保温2h，再升温至100℃保温1h，然后升温至200℃保温1h，再升温至300℃保温1h；获得复合薄膜；四、碳化，自然降温至室温；即获得碳化膜。材料力学性能优异，石墨烯加入比例增加，不仅力学性能增加，比电容也增加，适宜于做电极材料。
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公开(公告)号：CN103343364A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310254310.1
申请日：2013-06-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25C5/02
Abstract: 一种离子液体电沉积制备锗纳米立方晶的方法，本发明涉及一种具有纳米立方晶锗的制备方法。它解决了现有的溶剂合成法合成锗的纳米立方粒子时存在的不易控制、较难重复的技术问题。本方法：手套箱内搭建紫外辅助电沉积的电解池，含有高纯GeCl4的离子液体EmimTF2N电解液，然后利用波长为365nm的紫外灯照射，先进行循环伏安曲线的扫描，然后保持紫外照射，进行恒电势法电沉积，最后利用无水异丙醇进行清洗样品，得到锗纳米立方晶，本发明方法工艺简单，操作方便。得到的沉积有锗纳米立方晶的锗薄膜，可以应用在光致发光等器件上。
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公开(公告)号：CN103290474A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310244240.1
申请日：2013-06-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种锗纳米管的制备方法，本发明涉及锗纳米管的制备方法。本发明要解决现有制备方法中设备复杂，操作困难，需要催化剂和载气，室温下无法实现的问题。方法：一、制备工作电极；二、制备电解液；三、还原锗；四、去除聚碳酸酯多孔膜。本发明提供的锗纳米管的制备方法，实现了常温下制备半导体锗纳米管，离子液体可回收利用，工艺简单，操作方便，对环境友好，安全性高。本发明用于制备锗纳米管。
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公开(公告)号：CN102583499A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210006997.2
申请日：2012-01-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 形貌可控氧化亚铜微/纳米晶的制备方法，它涉及氧化亚铜微/纳米晶的制备方法。本发明主要解决微/纳米氧化亚铜的制备过程中存在成本较高、污染环境的技术问题。方法：一、将铜盐溶于超纯水中，倒入乳酸，继续搅拌，调节pH值，再冷却至25℃定容，测量pH值，得溶液A；步骤二、将溶液A移至水热反应釜中，封闭反应釜，将水热反应釜放入烘箱内，保温后自然冷却到室温，超纯水离心洗涤后，用无水乙醇离心洗涤，再转移到表面皿后置于烘箱中烘干；得氧化亚铜微/纳米晶。本发明形貌可控氧化亚铜微/纳米晶的制备方法简单易行，设备操作简单，原料价格便宜，容易合成，对环境污染小，合成浓度高，克服了现有技术中形貌控制与工业化大规模合成中的成本问题，利于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102528027A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210044100.5
申请日：2012-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金壳磁性椭球的制备方法，它涉及一种多层核壳结构椭球的制备方法。本发明目的是要解决现有核壳结构磁性椭球组装成的光子晶体存在光热、光电转化效率低的问题。方法：一、制备纺锤形α-Fe2O3粒子；二、先得到纺锤形α-Fe2O3粒子分散液，再加入聚乙烯吡咯烷酮进行修饰；三、进行二氧化硅包覆得到的二氧化硅包覆的椭球形粒子；四、加入聚二甲基二烯丙基氯化铵水溶液和NaCl制备吸附聚电解质的二氧化硅包覆椭球水溶液；五、制备金溶液；六、将金溶液加入吸附聚电解质的二氧化硅包覆椭球水溶液中，得到α-Fe2O3/SiO2/Au椭球粒子；七、氢气还原得到Fe3O4/SiO2/Au椭球。本发明主要用于制备金壳磁性椭球。
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公开(公告)号：CN101982284B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010531947.7
申请日：2010-11-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 可伸缩轴肩摩擦预热搅拌摩擦塞补焊方法及其焊具，它涉及一种填充式搅拌摩擦塞补焊方法及其焊具，以解决填充式搅拌摩擦塞补焊过程中，强烈的抵抗力导致搅拌针未完全塑性变形就已发生断裂，使材料的连续流动性变差的问题。方法：一、搅拌针材质与被补焊零件材质相同；二、开锥形缺陷修复预置孔；三、确定搅拌针尺寸；四、对锥形缺陷修复预置孔定位；五、摩擦预热；六、补焊。焊具：伸缩轴肩上的上圆环与焊具夹持体上的下圆柱体之间用键连接，伸缩轴肩上的下圆环的上端面与下圆柱体的下端面之间装有弹簧，下圆柱体与下圆环的外表面用限位板连接，搅拌体设置在焊具夹持体上的夹持孔和伸缩轴肩上的通孔中。本发明用于搅拌摩擦焊焊缝匙孔和缺陷的补焊。
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公开(公告)号：CN101966621B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010531877.5
申请日：2010-11-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种电弧预热搅拌摩擦塞补焊的方法，它涉及一种搅拌摩擦塞补焊的方法，以解决搅拌摩擦塞补焊的部位材料强烈的抵抗力导致搅拌针未完全塑性变形和流动就发生断裂，造成材料的连续流动性差的问题。方法：一、对搅拌摩擦焊或二次搅拌摩擦焊修复时遗留的匙孔进行电弧预热：圆环置于匙孔部位上面，圆环的中心与匙孔的中心重合，圆环的中心孔径应大于匙孔的孔径，利用钨极氩弧焊机对圆环进行电弧加热，加热温度为180～200℃，通过圆环加热后将热量传至待补焊区域，使得待补焊区域匙孔预热；二、对匙孔进行补焊：补焊时，焊具沿焊接方向移动1～5mm后，搅拌针发生塑性变形和流动，实现对匙孔的填充。本发明用于搅拌摩擦焊焊缝缺陷和匙孔的补焊。
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公开(公告)号：CN101807613B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010134373.X
申请日：2010-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/0232 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 三维光子晶体为背反射层的非晶硅太阳电池及其制备方法，涉及非晶硅太阳电池及制备方法。解决现有Al背反射层反射率低，导致太阳电池效率低的问题。非晶硅太阳电池的背反射层为三维大孔有序掺铝氧化锌光子晶体。制备方法：低压化学气相沉积前电极层，再采用PECVD沉积P-I-N层，再磁控溅射制备ITO透明导电薄膜，然后垂直沉积法或者旋涂法制备胶体晶体模板，再电沉积得背反射层，然后真空蒸镀背电极层即得。AZO具有可见光高透过率，结合光子晶体的禁带效应，可实现对600~1000nm可见光波段80%及以上的反射率。三维光子晶体反射角大，增加光波在吸收层中传播光程，提高光子利用效率，增加光电流密度和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101982284A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN201010531947.7
申请日：2010-11-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 可伸缩轴肩摩擦预热搅拌摩擦塞补焊方法及其焊具，它涉及一种填充式搅拌摩擦塞补焊方法及其焊具，以解决填充式搅拌摩擦塞补焊过程中，强烈的抵抗力导致搅拌针未完全塑性变形就已发生断裂，使材料的连续流动性变差的问题。方法：一、搅拌针材质与被补焊零件材质相同；二、开锥形缺陷修复预置孔；三、确定搅拌针尺寸；四、对锥形缺陷修复预置孔定位；五、摩擦预热；六、补焊。焊具：伸缩轴肩上的上圆环与焊具夹持体上的下圆柱体之间用键连接，伸缩轴肩上的下圆环的上端面与下圆柱体的下端面之间装有弹簧，下圆柱体与下圆环的外表面用限位板连接，搅拌体设置在焊具夹持体上的夹持孔和伸缩轴肩上的通孔中。本发明用于搅拌摩擦焊焊缝匙孔和缺陷的补焊。
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