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公开(公告)号：CN103290474B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310244240.1
申请日：2013-06-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种锗纳米管的制备方法，本发明涉及锗纳米管的制备方法。本发明要解决现有制备方法无法制备出纳米管长度以及和壁厚形貌可控制的锗纳米管的技术问题。方法：一、制备工作电极；二、制备电解液；三、还原锗；四、去除聚碳酸酯多孔膜。本发明提供的锗纳米管的制备方法，实现了常温下制备半导体锗纳米管，离子液体可回收利用，工艺简单，操作方便，对环境友好，安全性高。本发明用于制备锗纳米管。
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公开(公告)号：CN105734614B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201610179522.1
申请日：2016-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种紫外辅助离子液体电沉积锗纳米线簇的方法，它涉及一种制备锗纳米线簇的方法。本发明的目的是要解决现有方法制备锗纳米线成本高、工艺复杂的问题。方法：一、配制电解液；二、将工作电极浸入到电解液中，再将紫外灯固定到电解池上方，再连接电化学工作站；三、对电解液照射；四、进行循环伏安扫描；五、恒压沉积：六、清洗、干燥，在工作电极表面得到锗纳米线簇。本发明方法工艺简单，操作方便，不需要使用模板剂，容易实施；本发明制备的锗纳米线簇的长为400nm～500nm，直径70nm～90nm。本发明可获得一种紫外辅助离子液体电沉积锗纳米线簇的方法。
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公开(公告)号：CN105908229B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610280254.2
申请日：2016-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用锂化法调节三维光子晶体带隙的方法，本发明涉及一种调节三维光子晶体带隙的方法，它为了解决现有调节三维光子晶体带隙的方法调节范围较窄、精度低的问题。调节三维光子晶体带隙的方法：一、铜箔垂直放入PS微球乳液中进行培养，得到生长有PS胶体模板的铜箔；二、将GeCl4加入(EMIM)TF2N中，得到电解液；三、使用三电极的电解池，采用恒电势法进行电沉积锗，得到三维锗薄膜；四、在三电极体系中进行嵌锂和脱锂过程，从而调节三维光子晶体带隙。本发明通过控制电压的方向，使具有三维光子晶体结构的锗薄膜相应地发生嵌锂及脱锂过程，由于Ge体积膨胀大，因此该方法的调节范围非常大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105967224A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610300899.8
申请日：2016-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种锗酸钙纳米片的制备方法，本发明涉及锗酸钙纳米片的制备方法。本发明要解决目前锗酸钙纳米材料的制备工艺复杂，不可控制，产量少，产物纯度低且无法实现纳米片结构制备的技术问题。方法：一、处理泡沫金属基板；二、制备水热前驱液；三、水热合成锗酸钙纳米片；四、处理锗酸钙纳米片。本发明用水热合成的方法，首次制备出比表面积比纳米线大的纳米片结构，将在纳米光学器件、电子器件、电化学传感器件、晶体管等方面具有很好的应用前景，锗酸钙纳米片结构，填补了国际上锗酸钙纳米片制备的空白，对实现工业化生产有着重要的指导性作用。本发明用于制备一种锗酸钙纳米片。
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公开(公告)号：CN105908229A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610280254.2
申请日：2016-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用锂化法调节三维光子晶体带隙的方法，本发明涉及一种调节三维光子晶体带隙的方法，它为了解决现有调节三维光子晶体带隙的方法调节范围较窄、精度低的问题。调节三维光子晶体带隙的方法：一、铜箔垂直放入PS微球乳液中进行培养，得到生长有PS胶体模板的铜箔；二、将GeCl4加入(EMIM)TF2N中，得到电解液；三、使用三电极的电解池，采用恒电势法进行电沉积锗，得到三维锗薄膜；四、在三电极体系中进行嵌锂和脱锂过程，从而调节三维光子晶体带隙。本发明通过控制电压的方向，使具有三维光子晶体结构的锗薄膜相应地发生嵌锂及脱锂过程，由于Ge体积膨胀大，因此该方法的调节范围非常大。
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公开(公告)号：CN105734614A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610179522.1
申请日：2016-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种紫外辅助离子液体电沉积锗纳米线簇的方法，它涉及一种制备锗纳米线簇的方法。本发明的目的是要解决现有方法制备锗纳米线成本高、工艺复杂的问题。方法：一、配制电解液；二、将工作电极浸入到电解液中，再将紫外灯固定到电解池上方，再连接电化学工作站；三、对电解液照射；四、进行循环伏安扫描；五、恒压沉积：六、清洗、干燥，在工作电极表面得到锗纳米线簇。本发明方法工艺简单，操作方便，不需要使用模板剂，容易实施；本发明制备的锗纳米线簇的长为400nm～500nm，直径70nm～90nm。本发明可获得一种紫外辅助离子液体电沉积锗纳米线簇的方法。
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公开(公告)号：CN105967224B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610300899.8
申请日：2016-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种锗酸钙纳米片的制备方法，本发明涉及锗酸钙纳米片的制备方法。本发明要解决目前锗酸钙纳米材料的制备工艺复杂，不可控制，产量少，产物纯度低且无法实现纳米片结构制备的技术问题。方法：一、处理泡沫金属基板；二、制备水热前驱液；三、水热合成锗酸钙纳米片；四、处理锗酸钙纳米片。本发明用水热合成的方法，首次制备出比表面积比纳米线大的纳米片结构，将在纳米光学器件、电子器件、电化学传感器件、晶体管等方面具有很好的应用前景，锗酸钙纳米片结构，填补了国际上锗酸钙纳米片制备的空白，对实现工业化生产有着重要的指导性作用。本发明用于制备一种锗酸钙纳米片。
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公开(公告)号：CN103290474A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310244240.1
申请日：2013-06-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种锗纳米管的制备方法，本发明涉及锗纳米管的制备方法。本发明要解决现有制备方法中设备复杂，操作困难，需要催化剂和载气，室温下无法实现的问题。方法：一、制备工作电极；二、制备电解液；三、还原锗；四、去除聚碳酸酯多孔膜。本发明提供的锗纳米管的制备方法，实现了常温下制备半导体锗纳米管，离子液体可回收利用，工艺简单，操作方便，对环境友好，安全性高。本发明用于制备锗纳米管。
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