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公开(公告)号：CN103343364A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310254310.1
申请日：2013-06-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25C5/02
Abstract: 一种离子液体电沉积制备锗纳米立方晶的方法，本发明涉及一种具有纳米立方晶锗的制备方法。它解决了现有的溶剂合成法合成锗的纳米立方粒子时存在的不易控制、较难重复的技术问题。本方法：手套箱内搭建紫外辅助电沉积的电解池，含有高纯GeCl4的离子液体EmimTF2N电解液，然后利用波长为365nm的紫外灯照射，先进行循环伏安曲线的扫描，然后保持紫外照射，进行恒电势法电沉积，最后利用无水异丙醇进行清洗样品，得到锗纳米立方晶，本发明方法工艺简单，操作方便。得到的沉积有锗纳米立方晶的锗薄膜，可以应用在光致发光等器件上。
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公开(公告)号：CN103985836A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410227507.0
申请日：2014-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: H01M4/0452 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25C3/34 , C30B7/12 , C30B29/02 , C30B29/62 , H01M4/044 , H01M4/0497 , H01M4/38 , H01M4/661 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种在镍纳米针锥阵列上制备锗负极材料的方法。本发明的制备方法如下：首先在镍基体上利用水溶液电沉积的方法制备一定高度的镍纳米针锥阵列，然后在厌氧厌水的环境中，利用离子液体电沉积的方法制备锗负极材料，喷碳处理后组装电池，测试其电化学性能。本发明在镍纳米针锥阵列上利用离子液体电沉积的方法，制备高比容量、长循环寿命和高库伦效率的锗负极材料，离子液体电沉积过程中，电流密度较小，制备的的锗膜均匀；而且制备的材料为纳米级的粒子，减少了材料循环过程中的粉化，制备的负极材料与基体（镍纳米针锥阵列）基础面积大，结合力好，制备方法工艺简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN103985836B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410227507.0
申请日：2014-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种在镍纳米针锥阵列上制备锗负极材料的方法。本发明的制备方法如下：首先在镍基体上利用水溶液电沉积的方法制备一定高度的镍纳米针锥阵列，然后在厌氧厌水的环境中，利用离子液体电沉积的方法制备锗负极材料，喷碳处理后组装电池，测试其电化学性能。本发明在镍纳米针锥阵列上利用离子液体电沉积的方法，制备高比容量、长循环寿命和高库伦效率的锗负极材料，离子液体电沉积过程中，电流密度较小，制备的锗膜均匀；而且制备的材料为纳米级的粒子，减少了材料循环过程中的粉化，制备的负极材料与基体（镍纳米针锥阵列）基础面积大，结合力好，制备方法工艺简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN103343364B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310254310.1
申请日：2013-06-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25C5/02
Abstract: 一种离子液体电沉积制备锗纳米立方晶的方法，本发明涉及一种具有纳米立方晶锗的制备方法。它解决了现有的溶剂合成法合成锗的纳米立方粒子时存在的不易控制、较难重复的技术问题。本方法：手套箱内搭建紫外辅助电沉积的电解池，含有高纯GeCl4的离子液体EmimTF2N电解液，然后利用波长为365nm的紫外灯照射，先进行循环伏安曲线的扫描，然后保持紫外照射，进行恒电势法电沉积，最后利用无水异丙醇进行清洗样品，得到锗纳米立方晶，本发明方法工艺简单，操作方便。得到的沉积有锗纳米立方晶的锗薄膜，可以应用在光致发光等器件上。
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