公开(公告)号：CN101207113A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710108849.0

申请日：2007-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  邱文智 ,  吴文进 ,  涂宏荣 ,  杨固峰

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/8221 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  Y10S148/164 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括第一芯片、第二芯片及保护层。第一芯片包括第一衬底及位于第一衬底上方的第一接合垫。第二芯片具有第一表面和相对于第一表面的第二表面，且堆叠于第一芯片上。保护层包括垂直部分和水平部分，其中垂直部分位于第二芯片的侧壁上，水平部分延伸至第一芯片上方。本发明能够防止水气和化学物质对于半导体结构的污染，从而改善芯片间结合的可靠度。

公开(公告)号：CN222749487U

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202421450966.0

申请日：2024-06-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石哲齐 ,  黄治融 ,  林含谕 ,  杨固峰 ,  温伟源 ,  廖思雅

IPC: H01L23/373 ,  H10D84/85

Abstract: 提供了一种半导体装置，以及提供用于为高功耗半导体装置实现散热多层且减小热边界电阻的方法。半导体装置包含第一晶体管、位于第一晶体管上方的第二晶体管及位于第一晶体管与第二晶体管之间的散热多层。散热多层包括一第一层、一第二层及位于该第一层与该第二层之间的一第三层，且其中该第一层及该第二层包含结晶结构，而该第三层包含非晶结构。