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公开(公告)号：CN103151416B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310084674.X
申请日：2013-03-15
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0693 , H01L31/0687 , H01L31/056 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 垂直结构InGaN太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池。所述垂直结构InGaN太阳能电池设有：支撑衬底；键合介质层；金属反射镜层；p‑GaN层；InGaN吸收层；n‑GaN层；栅状电极。在外延片表面镀上金属电极，并当作反射镜使用；将镀上反射镜的外延片倒置键合于支撑基板上；采用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底，将外延薄膜转移到支撑基板上；粗化n‑GaN表面；制作器件台面；制作栅状n‑GaN表面电极，得垂直结构InGaN太阳能电池。可以避免同侧电极带来的电流不均匀性和局部热效应，延长电池的使用寿命；在电池的背面制作反射镜，增强了对入射光的吸收，增大光生载流子数目，从而有效提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103227265B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310127938.5
申请日：2013-04-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种氮化镓基垂直腔面发射激光器的制作方法，涉及氮化镓基发光器件。制作具有蓝宝石基底的GaN基外延片；在外延片上制作导电层、电流限制层、金属接触层和分布布拉格反射镜中的至少一种，形成非平面结构；在非平面结构上制作金属层；在制作金属层后的非平面结构的表面进行抛光处理，形成第一含金属层；在导热性好的基底上制备第二含金属层；在真空或者氮气氛围，贴合所述第一含金属层与第二含金属层，将氮化镓基非平面结构发光芯片与第二含金属层的基底键合在一起。可以将具有非平面结构的氮化镓基薄膜转移到具有良好导热和导电性好的衬底上，如硅和铜等衬底，从而改善发光器件的散热情况，提高器件可工作的电流密度，增大光功率。
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公开(公告)号：CN103618034A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310632252.1
申请日：2013-11-29
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/36
Abstract: 一种自支撑垂直结构GaN基LED芯片及其制备方法，涉及LED芯片。所述自支撑垂直结构GaN基LED芯片自下而上包括支撑基底、P型电极层、P型GaN基材料层、多量子阱层、N型GaN基材料层和N型电极。在外延片表面镀P型金属电极层；在金属电极层上形成图形化厚金属基底；将样品键合到蓝膜上；采用紫外波段激光光源透过蓝宝石衬底辐照样品，剥离蓝宝石衬底；粗化剥离后暴露出的n-GaN表面；制作n-GaN表面电极，即得。可避免同侧电极带来的电流不均匀性和局部热效应，延长寿命，解决LED芯片散热问题。可避免等离子体刻蚀对发光区的损伤，工艺简化，成本降低。可避免金属基板切割和解决因切割基板而造成的器件短路问题。
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公开(公告)号：CN100514558C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710009955.3
申请日：2007-12-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法，涉及一种p型氮化镓(p-GaN)。提供一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法。将(0001)取向的蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下对衬底热处理，降温对衬底氮化处理；降温生长GaN缓冲层，升温使GaN缓冲层重新结晶；外延生长GaN层；降温生长掺镁GaN层；再降温生长5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层；在5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层上再生长p-InGaN盖层。结果表明采用p-InGaN/p-AlGaN超晶格作顶层可以获得更低的比接触电阻。
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公开(公告)号：CN100495750C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710009956.8
申请日：2007-12-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种出光效率高、晶体质量好的氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法。设有衬底、GaN缓冲层、第1掺硅GaN层、介质层、第2掺硅GaN层，InGaN/GaN多量子阱、掺镁AlGaN层和掺镁GaN层，并从下至上设于衬底上。将(0001)面的蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下热处理；降温生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上生长第1掺硅GaN层，降温取出样品；在样品上沉积介质层，沿第1掺硅GaN层的 方向刻出窗口作为图形衬底，样品清洗后外延生长：整个外延生长完成后，将外延片退火。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN220456887U
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202322132069.7
申请日：2023-08-09
Applicant: 厦门大学 , 福建中晶科技有限公司
IPC: H01S5/125
Abstract: 本实用新型公开了一种基于氮化物半导体的谐振腔发光器件，包括：依次设置的支撑基板、第一反射镜、位于同层的透明导电层和电流限制层、外延层以及位于同层的第二反射镜和第二电极；第二反射镜设于外延层的上表面中部，第二电极设于外延层的上表面两侧；透明导电层设于外延层的下表面中部，电流限制层设于外延层的下表面两侧；第一反射镜是由金属反射镜和介质膜分布式布拉格反射镜组成的混合镜结构，介质膜分布式布拉格反射镜设于透明导电层的下表面中部，金属反射镜覆盖在介质膜分布式布拉格反射镜的下表面、透明导电层的下表面、电流限制层的下表面和支撑基板的上表面。本实用新型在不影响反射率的同时减少介质膜DBR对数，降低器件热阻。
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公开(公告)号：CN219018128U
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202223453199.2
申请日：2022-12-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器，包括：支撑基板、第一电极、第一分布布拉格反射镜、透明导电层、外延层、第二分布布拉格反射镜和第二电极，外延层包括P型氮化物、有源区和N型氮化物；第二分布布拉格反射镜设置于N型氮化物的上表面中部，第二电极设置于N型氮化物的上表面两侧；P型氮化物的下方两侧设置有辐照区，由高能粒子辐照形成电流限制层，中部设置有非辐照区，透明导电层设置于非辐照区下表面，第一分布布拉格反射镜设于透明导电层下表面，第一电极包覆于第一分布布拉格反射镜和透明导电层的外表面及电流限制层的下表面，支撑基板设于第一电极下表面。本实用新型工艺简单，散热性好。
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公开(公告)号：CN211404935U
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201921819511.0
申请日：2019-10-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本实用新型公开了一种单体迷你型全球充和转换装置，包括外壳、自适应插头、USB接口电源。所述自适应插头，分为固定插销和自适应伸缩插销，所述固定插销用于定位插头插座对接，自适应伸缩插销用于弹性的配各种插座的尺寸大小；所述外壳顶盖设有通用型插座口，可以兼容各国插头标准。该产品的插接方式操作简单方便，结构紧密，应用前景广阔。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN214580533U
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202120813673.4
申请日：2021-04-20
Applicant: 厦门大学
IPC: F21K9/23 , F21K9/68 , F21K9/64 , F21V29/70 , F21V29/503 , F21Y115/30
Abstract: 本实用新型涉及一种反射式激光照明装置，包含激光光源、反光杯、发光组件，所述反光杯为碗状结构，所述反光杯在其内表面涂覆有反光层，所述反光杯在其中心位置开设有入射孔；所述发光组件设置于所述反光杯开口处的中心位置；所述激光光源用于发射激光，所述激光穿过所述入射孔并照射在所述发光组件上，并且所述激光光源、所述入射孔、所述发光组件均设置于所述激光的光路上。
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公开(公告)号：CN211310934U
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201922096663.9
申请日：2019-11-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本实用新型涉及一种紫外辐照系统，包括紫外辐照装置和温控装置，所述紫外辐照装置包括了光源板、贴设于光源板上的紫外LED灯珠、位于紫外LED灯珠出光侧的准直透镜、位于准直透镜和位于紫外LED灯珠之间的机械快门，以及与机械快门电连接并控制机械快门的开闭的定时单元；所述温控装置包括了散热器，该散热器的安装面上安装有半导体制冷片，散热器的散热面侧安装有散热风扇，该温控装置还包括一温控单元，温控单元与散热风扇以及半导体制冷片电连接，以控制半导体制冷片工作时的温度；以解决现有的紫外辐照系统的辐照时间和辐照量控制精度差的问题。
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