公开(公告)号：CN100514558C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200710009955.3

申请日：2007-12-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  张保平 ,  尹以安

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法，涉及一种p型氮化镓(p-GaN)。提供一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法。将(0001)取向的蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下对衬底热处理，降温对衬底氮化处理；降温生长GaN缓冲层，升温使GaN缓冲层重新结晶；外延生长GaN层；降温生长掺镁GaN层；再降温生长5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层；在5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层上再生长p-InGaN盖层。结果表明采用p-InGaN/p-AlGaN超晶格作顶层可以获得更低的比接触电阻。

公开(公告)号：CN1862843A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200510072427.3

申请日：2005-05-11

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  翁斌斌 ,  秦丽菲 ,  黄瑾 ,  尹以安

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15

Abstract: 氮化镓基蓝光发光二极管，涉及一种发光管，尤其是涉及一种高效率的氮化镓基蓝光发光二极管。提供一种发光效率较高、使用寿命较长的氮化镓基蓝光发光二极管。从下至上设有蓝宝石衬底、N－GaN层、有源层、P－GaN层和电流扩展层，在电流扩展层的上表面至N－GaN层设有n型台面，在电流扩展层的上表面设有柱形体阵列，在电流扩展层的上表面和N－GaN层的n型台面上分别设有接线柱。通过运用非平面技术的方法，破坏光学谐振腔，解决光在GaN材料与空气以及三氧化二铝与空气的接触面的全反射问题。又采用ITO透明电极取代合金电极，使其透光率大为提高。

公开(公告)号：CN101183642A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710009955.3

申请日：2007-12-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  张保平 ,  尹以安

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种p－GaN低阻欧姆接触的制备方法，涉及一种p型氮化镓(p－GaN)。提供一种p－GaN低阻欧姆接触的制备方法。将(0001)取向的蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下对衬底热处理，降温对衬底氮化处理；降温生长GaN缓冲层，升温使GaN缓冲层重新结晶；外延生长GaN层；降温生长掺镁GaN层；再降温生长5个周期的p－InGaN/p－AlGaN超晶格层；在5个周期的p－InGaN/p－AlGaN超晶格层上再生长p－InGaN盖层。结果表明采用p－InGaN/p－AlGaN超晶格作顶层可以获得更低的比接触电阻。