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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100557772C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200810070781.6
申请日：2008-03-19
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 镓极性氮化镓缓冲层的生长方法，涉及一种氮化镓缓冲层，尤其是涉及一种采用四步骤生长氮化镓缓冲层的方法。提供一种位错较少的单纯镓极性氮化镓缓冲层的生长方法。在蓝宝石衬底上高温生长第一层氮化镓缓冲层，高温生长的温度为1030～1050℃；在纯H2气氛中保持高温一段时间，使第一层氮化镓缓冲层中氮极性氮化镓完全升华掉；降低温度，在保留下来的镓极性氮化镓及蓝宝石衬底上低温生长第二层氮化镓缓冲层；在纯H2气氛高温退火，得单纯镓极性氮化镓缓冲层。
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公开(公告)号：CN1862843A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200510072427.3
申请日：2005-05-11
Applicant: 厦门大学
Abstract: 氮化镓基蓝光发光二极管，涉及一种发光管，尤其是涉及一种高效率的氮化镓基蓝光发光二极管。提供一种发光效率较高、使用寿命较长的氮化镓基蓝光发光二极管。从下至上设有蓝宝石衬底、N－GaN层、有源层、P－GaN层和电流扩展层，在电流扩展层的上表面至N－GaN层设有n型台面，在电流扩展层的上表面设有柱形体阵列，在电流扩展层的上表面和N－GaN层的n型台面上分别设有接线柱。通过运用非平面技术的方法，破坏光学谐振腔，解决光在GaN材料与空气以及三氧化二铝与空气的接触面的全反射问题。又采用ITO透明电极取代合金电极，使其透光率大为提高。
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公开(公告)号：CN101246820A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810070780.1
申请日：2008-03-19
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种氮化镓基外延膜的制备方法，涉及一种氮化镓基外延膜。提供一种提高氮化镓激光剥离的速率，降低氮化镓激光剥离的阈值功率密度的氮化镓基外延膜的制备方法。在蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜，将其P面粘在衬底支撑材料上，或用金属键合在衬底支撑材料上；设定电动平台的行进速度；将外延膜固定在载物玻璃上，放入真空室中抽真空；调整激光束经过光学系统后的聚焦光斑大小，激光束照射到外延膜背面，激光光斑扫描外延膜，使蓝宝石和氮化镓界面的氮化镓发生分解，氮化镓基外延膜与蓝宝石衬底分离；激光扫描蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜结束后，关闭真空泵；将外延膜浸入盐酸，去除氮化镓和蓝宝石表面的镓，使蓝宝石衬底脱落。
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公开(公告)号：CN100533666C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200810070780.1
申请日：2008-03-19
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种氮化镓基外延膜的制备方法，涉及一种氮化镓基外延膜。提供一种提高氮化镓激光剥离的速率，降低氮化镓激光剥离的阈值功率密度的氮化镓基外延膜的制备方法。在蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜，将其P面粘在衬底支撑材料上，或用金属键合在衬底支撑材料上；设定电动平台的行进速度；将外延膜固定在载物玻璃上，放入真空室中抽真空；调整激光束经过光学系统后的聚焦光斑大小，激光束照射到外延膜背面，激光光斑扫描外延膜，使蓝宝石和氮化镓界面的氮化镓发生分解，氮化镓基外延膜与蓝宝石衬底分离；激光扫描蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜结束后，关闭真空泵；将外延膜浸入盐酸，去除氮化镓和蓝宝石表面的镓，使蓝宝石衬底脱落。
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公开(公告)号：CN101246821A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810070781.6
申请日：2008-03-19
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 镓极性氮化镓缓冲层的生长方法，涉及一种氮化镓缓冲层，尤其是涉及一种采用四步骤生长氮化镓缓冲层的方法。提供一种位错较少的单纯镓极性氮化镓缓冲层的生长方法。在蓝宝石衬底上高温生长第一层氮化镓缓冲层，高温生长的温度为1030～1050℃；在纯H2气氛中保持高温一段时间，使第一层氮化镓缓冲层中氮极性氮化镓完全升华掉；降低温度，在保留下来的镓极性氮化镓及蓝宝石衬底上低温生长第二层氮化镓缓冲层；在纯H2气氛高温退火，得单纯镓极性氮化镓缓冲层。
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