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公开(公告)号：CN101550598B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200910068819.0
申请日：2009-05-13
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种掺锡铌酸锂晶体，在铌酸锂晶体中掺入有锡离子Sn4+，所述锡离子Sn4+的掺入量为0.1～6.0mol％(摩尔百分比)，且铌酸锂晶体中含有比例为(0.93～1.41)∶1的锂离子Li1+与铌离子Nb3+。本发明公开的掺锡铌酸锂晶体具有掺杂阈值低，抗光折变能力较强，且易于生长等优点。本发明的掺锡铌酸锂晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高了4个量级，比同成分掺镁铌酸锂晶体提高了1个量级，因此其作为一种掺杂阈值低、抗光折变能力强、且易于生长的光学材料，可以完全取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景和重大的生产实践意义。
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公开(公告)号：CN102206092A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110064158.1
申请日：2011-03-17
Applicant: 南开大学
IPC: C04B38/00
Abstract: 本发明公开了一种掺铒铌酸锂多孔材料制备方法及其制备材料。掺铒铌酸锂多孔材料的制备以掺铒铌酸锂晶体体材料和去离子水为原料，利用手工及机械研磨的方法制备掺铒铌酸锂微晶，再利用过滤的方法选出合适粒径的微晶，最后利用干结或烧结的方法制备出掺铒铌酸锂多孔材料，其多孔材料中的掺铒铌酸锂微粒大小介于100nm-2μm之间；掺铒铌酸锂多孔材料的发光波长位于从400nm-1600nm范围中的多个波段且可选激发波长位于从380nm-1500nm范围中的多个波段；掺铒铌酸锂多孔材料既具有下转换发光特性又具有上转换发光特性。本发明解决了现有发光多孔材料发光波段范围不足，可选用泵浦光波长范围小以及能应用于上转换发光的多孔材料极少的问题。
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公开(公告)号：CN100487171C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200710057399.7
申请日：2007-05-21
Abstract: 本发明一种双掺铌酸锂晶体及其制备方法涉及以材料为特征的单晶生长领域，该晶体的组成为：LiaNbbO3:FecCod，其中，a、b、c、和d的取值分别是，a＝0.93800、b＝1.00000、c＝0.00005～0.00075、d＝0.00005～0.00050；其制备方法的主要步骤为：(1)配料、混合、煅烧，(2)熔化、提拉晶体，(3)单畴化并退火、切片、抛光。本发明的双掺铌酸锂晶体光致色变响应时间短，并具有很高的非挥发存储灵敏度，比同类条件下铁锰双掺铌酸锂晶体提高1～2.5倍，是一种高灵敏度的非挥发全息存储材料，在信息存储、集成光学、军事对抗、民用导航和金融证券方面都有非常广泛的应用。
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公开(公告)号：CN101165228A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710058844.1
申请日：2007-08-16
Applicant: 南开大学
IPC: C30B29/30
Abstract: 一种铌酸锂pn结及其制备方法。铌酸锂pn结是将两种不同载流子类型的铌酸锂晶体结合在一起，其结晶化学式可表示为：p:LiNbO3/n:LiNbO3，其中，p是镁、铟、锌、铪、锆等抗光折变掺杂元素中的一种或几种的组合，n是铁、铜、猛、铈等光折变掺杂元素中的一种或几种的组合。制备方法是，用提拉法生长p:LiNbO3晶体，切成p:LiNbO3晶片，作为液相外延的衬底；配制n:LiNbO3粉料，先升温熔融，再降至熔点；将第一步中的衬底焙烧，放入熔体中外延生长，将外延晶片抽离熔体，降至室温；外延晶片单面抛光，可得铌酸锂pn结。本发明铌酸锂pn结具备有正向导通、反向截至的整流特性。它将铌酸锂优良的电光性能与pn结有机地结合起来，可作为集成光电子学的平台，具有突破性的意义及巨大的市场前景。
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公开(公告)号：CN1201915C
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN03121582.3
申请日：2003-04-02
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及晶体加工技术，尤其是能准确定向切割晶体的方法，属于晶体材料切割加工技术领域。常用的方法只能凭据x射线衍射定向仪和万能角度尺，边测量角度边研磨修正，花费时间又浪费晶体，尤其是一些贵重的晶体，很可惜的。一些体积比较小的晶体，由于基准面小测量误差比较大，加工精度无法保证。本发明将激光器的光束调至与内圆切割机的刀片相垂直，在激光束的正上方做一直线N，N上任意点的垂线M通过激光束，晶体的参考面使激光反射点返回原点，利用公式：tg2θ＝Y/L，调整θ1、θ2角，即可准确地确定切割晶体的方向，能一次切割成所需要的任意晶向的晶体，质量、效率高，不浪费晶体，能耗低和节省工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1584131A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410019454.X
申请日：2004-05-31
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的生长，特别是用熔体注入法生长的系统及其工艺。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔，结晶出来的固体成分与熔体成分不一致，难以得到成分均匀的晶体。本发明提供一种采用熔体注入法，系统包括晶体生长炉、供料炉、回路调节器、中频电源、工控计算机和配套软件等7大部分：在晶体生长中，判断晶体生长量和供料炉注入熔融原料量之间的平衡，使注入生长坩埚的熔融原料量与晶体的生长量保持平衡，从而使晶体生长坩埚中原料的成分保持恒定；本发明的有益效果：具有加料连续性好、晶体成分波动小，光学均匀性好以及自动化程度高等优点，设备比较简单，有利于产业化生产，也可以用来进行其它类似非同成分共熔晶体的生长。
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公开(公告)号：CN1440054A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03121583.1
申请日：2003-04-02
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B7/22
Abstract: 本发明涉及一种晶体材料抛光技术，尤其是平行度优于1秒的晶体材料偏心抛光方法，属于晶体材料加工技术领域。在晶体研磨、抛光过程中，如果同时对平行度、平面度和光洁度都有比较高的要求，加工时就很困难。常规方法不行。本发明的技术方案：先将晶体的两个对面磨平，进行抛光，将晶体抛光成高光圈，用激光干涉仪检查，利用晶体两对面干涉条纹的圆心与晶体几何中心的偏离，测量出厚度差修正它，采用降光圈条件，降圈抛光，使晶体四周无厚度差。再将晶体调到与夹具同心的位置，继续降圈抛光，等厚干涉条纹将逐渐扩大，圈数减少，最后消失，此时晶体平行度极好。本发明的有益效果：比用测角仪方便，精度高。比用干涉仪观察直条纹的方法省时、省力。
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公开(公告)号：CN1439495A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03121582.3
申请日：2003-04-02
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及晶体加工技术，尤其是能准确定向切割晶体的方法，属于晶体材料切割加工技术领域。常用的方法只能凭据x射线衍射定向仪和万能角度尺，边测量角度边研磨修正，花费时间又浪费晶体，尤其是一些贵重的晶体，很可惜的。一些体积比较小的晶体，由于基准面小测量误差比较大，加工精度无法保证。本发明将激光器的光束调至与内圆切割机的刀片相垂直，在激光束的正上方做一直线N，N上任意点的垂线M通过激光束，晶体的参考面使激光反射点返回原点，利用公式：tg2θ＝Y/L，调整θ1、θ2角，即可准确地确定切割晶体的方向，能一次切割成所需要的任意晶向的晶体，质量、效率高，不浪费晶体，能耗低和节省工序。
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公开(公告)号：CN1379127A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：CN02100623.7
申请日：2002-01-25
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明是一种制备掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶体的工艺,属于非线性光学晶体材料技术领域。由于通常条件下生长出来的同成分本征铌酸锂晶体存在耐光损伤性能低、晶体组分波动大、均匀性和一致性差等缺点,不符合集成光学的要求,特别是制备周期极化全光微结构晶体时需要外加极高的电场,这带来许多困难,限制了晶体的使用。为此,本发明提供了一种解决这些技术问题的制备掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶体的工艺,其技术方案是利用掺镁铌酸锂粉料,采用Czochralski晶体生长法制备铌酸锂晶体,再用汽相平衡扩散输运技术提高晶体组分的均匀性,在室温下低压极化,使晶体具有周期性的结构,该晶体可以广泛应用于倍频、差频、和频和光参量振荡等变频技术中。
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