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公开(公告)号：CN117478867A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210869460.2
申请日：2022-07-22
申请人： 清华大学 , 北京与光科技有限公司
IPC分类号： H04N17/00
摘要： 本发明实施例提供一种用于成像系统的终端检测系统及方法和远程光谱成像系统，其中系统包括：显示终端、测色仪和校准模块；所述显示终端用于显示预设的参考图像；所述测色仪用于获取显示图像的颜色数据，所述显示图像为所述参考图像的实际显示画面；所述校准模块用于基于所述参考图像的颜色数据与所述显示图像的颜色数据，获取所述参考图像和所述显示图像之间的映射关系；所述校准模块还用于基于所述映射关系对所述显示终端进行颜色校准。本发明实施例提供的用于成像系统的终端检测系统及方法和远程光谱成像系统，避免了显示终端的颜色显示误差，进一步提升成像系统的精准度。
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公开(公告)号：CN112529790B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202011270735.8
申请日：2020-11-13
申请人： 清华大学
IPC分类号： G06T5/00
摘要： 本发明实施例提供一种用于光谱恢复的图像光强校正方法及装置，所述方法包括：对拍照图像进行特征提取，获取拍照图像的特征点组；对成像图像进行特征提取，获取成像图像的特征点组；基于拍照图像的特征点组和成像图像的特征点组，获取拍照图像和成像图像之间的位移信息和旋转偏差信息；基于拍照图像和成像图像之间的位移信息和旋转偏差信息，对拍照图像进行偏差修正处理，获取偏差修正后的拍照图像；基于偏差修正后的拍照图像，获取光强校正后的成像图像。通过以成像图像的光强值除以偏差修正后的拍照图像的光强值，获取光强校正后的成像图像，消除了作为光谱恢复对象的图像存在分布不均匀的光强值的缺陷，提高了光谱恢复和光谱成像的效果。
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公开(公告)号：CN116240328A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111468068.9
申请日：2021-12-03
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种转炉炼钢终点控制方法、系统、装置、设备、介质及产品，方法包括：获取当前时刻转炉炉口对应的至少一张光谱图像；分别提取每张所述光谱图像中的目标图像区域，将所述目标图像区域作为目标光谱图像；对所述目标光谱图像进行降维处理，得到待处理光谱图像；将所述待处理光谱图像输入预测模型，得到通过所述预测模型输出的转炉钢水温度和转炉碳含量；当确定所述转炉钢水温度和所述转炉碳含量达到预设范围时，生成停止冶炼指令。本发明用以解决现有技术中通过人工经验判定转炉内的转炉钢水温度和转炉碳含量来停止炼钢，导致准确率低的缺陷。
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公开(公告)号：CN112099565B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010975226.9
申请日：2020-09-16
申请人： 清华大学
IPC分类号： G06E1/02
摘要： 本发明实施例提供的一种通用线性光计算模块及其控制方法，模块，包括：第一波前相位调制装置、第二波前相位调制装置、小孔以及凸透镜；所述第一波前相位调制装置用于接收离散空间模式光组，并将所述离散空间模式光组分束为N个平行光束，得到乘运算离散光组；所述第二波前相位调制装置用于接收所述乘运算离散光组，并将所述离散光组中的N个平行光速进行合束，得到合束光；所述第二波前相位调制装置、所述小孔以及所述凸透镜依次距离1倍所述焦距设置；所述凸透镜用于将从所述小孔过来的合束光进行转换为平行光，能够在矩阵增大时满足更高鲁棒性，更低系统复杂度，以及更慢的损耗增长趋势。
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公开(公告)号：CN115181953B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211099082.0
申请日：2022-09-09
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种表面等离激元薄膜的制备方法和制备多层膜超材料的方法，所述表面等离激元薄膜的制备方法包括：在磁控溅射过程中，通过调控溅射速度和原子沉积动能，制备平整度为原子级的表面等离激元薄膜，其中所述溅射速度控制在2‑5nm/min，所述原子沉积动能控制在5‑20eV。本发明通过调控溅射速度和原子沉积动能，从而可以制备出平整度为原子级、厚度可低至10nm的金属薄膜。本发明的制备方法为基于表面等离激元的集成光电子器件的生产与应用提供了重要的技术支持。另外，基于本发明的制备方法可以制备出在光频段等效折射率大于70的多层膜高折射率超材料，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN115404552A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211353501.9
申请日：2022-11-01
申请人： 清华大学
摘要： 本发明涉及微细加工技术领域，尤其涉及一种极低气压反应腔下的侧壁钝化侧蚀动态平衡深刻蚀光子晶体结构制备方法。具体的，在刻蚀过程中，保持趋近于1，并在0.05~0.1Pa的压力下进行刻蚀；其中，代表反应物析出速度和沉积速度的比值，代表刻蚀孔开口处的反应物析出速度和沉积速度的比值。上述干法刻蚀方法能够克服Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料干法刻蚀产物饱和蒸气压低、难以挥发的问题，实现了高深宽的Ⅲ‑Ⅴ族半导体有源光子晶体刻蚀效果，同时兼顾实现了圆孔及狭缝等不同结构垂直侧壁刻蚀技术。此外，所述干法刻蚀方法刻蚀表面粗糙度低，刻蚀小孔/槽均匀。
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公开(公告)号：CN114552332A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210051327.6
申请日：2022-01-17
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01S1/02
摘要： 本发明提供一种基于天然双曲材料的切伦科夫红外辐射源及自由电子光源，包括天然双曲材料层和片上自由电子发射源，片上自由电子发射源包括片上电子源阴极和片上电子源阳极。如此通过片上自由电子发射源产生稳定电子束，激励天然双曲材料中的红外切伦科夫辐射。由于天然双曲材料成本低廉，易于获得，制备工艺简单，相较于人工双曲超材料具有显著优势。同时天然双曲材料易于生长且稳定性好缺陷少，可以规避由于材料加工工艺精度给器件性能带来的影响。而且基于天然介质材料，本征损耗更低，使得相应器件辐射功率更大、效率更高且发热更小。此外基于天然晶体材料，容易实现版图化和阵列化，为大功率阵列集成化自由电子光源提供了可能方案。
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公开(公告)号：CN114497343A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111580401.5
申请日：2021-12-22
申请人： 清华大学
摘要： 本发明属于光谱设备领域，提供一种微弱光光谱测量器件和光谱仪，包括衬底和设置在衬底上表面的至少两个探测单元，一个探测单元包括一个光调制微纳结构单元和一个超导纳米线单光子探测器单元。光调制微纳结构单元可以对入射光光谱实现一定的调制作用，超导纳米线单光子探测器单元用于探测调制后的光子，或者本身也作为光调制结构与已有的光调制微纳结构单元共同对光子产生光谱调制作用并探测光子，使每个探测单元均具有宽光谱探测特征，可使用计算光谱重建的方法测量光谱，使光子利用率大大提高。光调制微纳结构本身的谐振作用也具有增强超导纳米线单光子探测器探测效率的作用，缩短测量时间。
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公开(公告)号：CN113595631A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110807240.2
申请日：2021-07-16
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种可调量子光源生成装置，包括：空间上分离的集成OAM发射器和可预报单光子源，其中，可预报单光子源在泵浦光作用下产生信号光子；所述信号光子作为被预报的光子耦合进集成OAM发射器中、并经集成OAM发射器转换为OAM模式后散射到自由空间；所述OAM模式为通过调节所述集成OAM发射器的参数、动态地调控信号光子的OAM模式的阶次。本发明将信号光子作为被预报的光子耦合进集成OAM发射器中、并经集成OAM发射器转换为OAM模式后散射到自由空间，通过调节所述集成OAM发射器的参数、动态地调控信号光子的OAM模式的阶次，实现了单光子OAM模式的阶次可调，能兼顾发射器和光源的设计，具有操控灵活性。
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公开(公告)号：CN112420466A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011183250.5
申请日：2020-10-29
申请人： 清华大学
摘要： 本发明实施例提供一种表面等离激元诱导的电子发射源，包括：泵浦源发出光与金属牛眼光栅相互作用产生表面等离激元近场，通过中心小孔到达光阴极材料层，与光阴极材料相互作用产生电子，电子收集器收集所述电子，金属牛眼光栅的周期与表面等离激元的波矢满足：金属牛眼光栅的周期与表面等离激元的波矢之积为2π的整数倍；光阴极材料层为预设特殊材料，以使得表面等离激元近场照射到光阴极材料上，产生光致电子发射现象。本发明实施例基于光致电子发射原理和表面等离激元结合的高分辨率电子源，降低电子束的能散，提高了亮度。
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