-
公开(公告)号：CN113205987B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202110373997.5
申请日：2021-04-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01J37/073 , H01J37/065
Abstract: 本发明提供一种基于多层二维材料的平面光致电子发射源，包括泵浦源、阴极电源、栅极电源、电子收集器、范德华异质结，所述范德华异质结包括依次设置的石墨烯材料、绝缘二维材料、过渡金属硫化物材料，其中：所述泵浦源和过渡金属硫化物材料相互作用、用于过渡金属硫化物材料中的价电子发生跃迁；所述阴极电源与过渡金属硫化物材料相连接，所述阴极电源用于提供电子；所述栅极电源与石墨烯材料相连接，用于为栅极提供偏压，降低材料势垒；所述电子收集器用于收集所述范德华异质结发射的电子束。本发明实施例能够产生能散极低的电子束；利用多层二维材料实现平面电子源，有效减少电子在材料中的散射现象，降低了电子源的成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113205987A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110373997.5
申请日：2021-04-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01J37/073 , H01J37/065
Abstract: 本发明提供一种基于多层二维材料的平面光致电子发射源，包括泵浦源、阴极电源、栅极电源、电子收集器、范德华异质结，所述范德华异质结包括依次设置的石墨烯材料、绝缘二维材料、过渡金属硫化物材料，其中：所述泵浦源和过渡金属硫化物材料相互作用、用于过渡金属硫化物材料中的价电子发生跃迁；所述阴极电源与过渡金属硫化物材料相连接，所述阴极电源用于提供电子；所述栅极电源与石墨烯材料相连接，用于为栅极提供偏压，降低材料势垒；所述电子收集器用于收集所述范德华异质结发射的电子束。本发明实施例能够产生能散极低的电子束；利用多层二维材料实现平面电子源，有效减少电子在材料中的散射现象，降低了电子源的成本。
-
公开(公告)号：CN112420466B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202011183250.5
申请日：2020-10-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明实施例提供一种表面等离激元诱导的电子发射源，包括：泵浦源发出光与金属牛眼光栅相互作用产生表面等离激元近场，通过中心小孔到达光阴极材料层，与光阴极材料相互作用产生电子，电子收集器收集所述电子，金属牛眼光栅的周期与表面等离激元的波矢满足：金属牛眼光栅的周期与表面等离激元的波矢之积为2π的整数倍；光阴极材料层为预设特殊材料，以使得表面等离激元近场照射到光阴极材料上，产生光致电子发射现象。本发明实施例基于光致电子发射原理和表面等离激元结合的高分辨率电子源，降低电子束的能散，提高了亮度。
-
公开(公告)号：CN119002189A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411236621.X
申请日：2024-09-04
Applicant: 清华大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种电子束光刻系统、方法及半导体器件，其中的系统包括：激光装置，用于发射带有目标图形信息的空间连续激光；电场调制装置，用于对空间连续激光激励的电子施加辅助电场，调控电子的发射；磁透镜单元，用于对发射的电子束进行聚焦和导引，以使电子束按照目标图形信息投射于半导体芯片上；半导体芯片，用于按照目标图形信息在半导体芯片表面进行曝光，转移目标图形信息至光刻胶上。该系统通过利用带有目标图形信息的空间连续激光精确控制特定区域内电子的发射，使得发射的电子束携带目标图形信息，并通过层间电场调制装置与磁透镜单元的协同作用，使携带了精细的目标图形信息的电子束在半导体芯片表面的电子束光刻胶上重现这些图案，不仅能够快速印刷目标图形而避免直写操作，达到极高的光刻分辨率，还降低了制造成本，满足高端半导体制造领域对精密加工的严格要求。
-
公开(公告)号：CN112420466A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011183250.5
申请日：2020-10-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明实施例提供一种表面等离激元诱导的电子发射源，包括：泵浦源发出光与金属牛眼光栅相互作用产生表面等离激元近场，通过中心小孔到达光阴极材料层，与光阴极材料相互作用产生电子，电子收集器收集所述电子，金属牛眼光栅的周期与表面等离激元的波矢满足：金属牛眼光栅的周期与表面等离激元的波矢之积为2π的整数倍；光阴极材料层为预设特殊材料，以使得表面等离激元近场照射到光阴极材料上，产生光致电子发射现象。本发明实施例基于光致电子发射原理和表面等离激元结合的高分辨率电子源，降低电子束的能散，提高了亮度。
-
公开(公告)号：CN219873397U
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202321089797.8
申请日：2023-05-08
Applicant: 清华大学
IPC: H01J19/064
Abstract: 本实用新型提供一种基于液态金属制备氧化物膜的隧穿结电子发射源，属于电子发射的技术领域，由液态金属制备的第一金属氧化物膜层和第二金属氧化物膜层；第一金属氧化物膜层、第二金属氧化物膜层、电子发射层和衬底顺序层叠配置；第一金属氧化物膜层配置为导体层并与栅极电源电连接；第二金属氧化物膜层配置为绝缘层并与阴极电源电连接；其中，栅极电源电压高于所述阴极电源电压；通过制备的金属氧化物膜层极大减小了导体层和绝缘层的厚度，由于其通过以熔化的金属进行制备薄膜，使其薄膜厚度低，致密性高且均匀，能够极大降低电子在材料中的散射能量损失，有效改善电子束的能散和发射效率。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.013 seconds)
