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公开(公告)号：CN113078479B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110403946.2
申请日：2021-04-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于复合硅半球/石墨烯宽带太赫兹超材料吸收器，属于超材料及电磁功能材料技术领域。该太赫兹超材料吸收器，包括金属反射层、介质层、石墨烯层和硅半球层。所述金属反射层为一层连续的金属薄膜，其厚度大于工作太赫兹波的趋肤深度；介质层位于金属反射层和石墨烯层之间，为聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜；未图案化的石墨烯层之上负载着硅半球层，由复合的半椭球和半圆球周期性排列而成，且每个周期包含旋转对称的四个半椭球和中心的一个半圆球结构。本发明通过合理设计硅半球的几何尺寸以及石墨烯外加电压值，可以实现对垂直入射到超材料表面的电磁波完全吸收的特性。本发明结构简单、无需多层叠加结构，且具有宽频带高吸收的特性。
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公开(公告)号：CN109778318B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910027903.1
申请日：2019-01-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种半金属性多铁超晶格材料，涉及新型功能材料领域。将晶体结构为四方结构，空间群为P4mm的La0.67Sr0.33MnO3和BiCoO3沿[001]方向周期循环堆垛，从而构建出(BiCoO3)1/(La0.67Sr0.33MnO3)1超晶格。超晶格的晶胞参数为其电子结构呈现半金属特性，即在少数自旋子带的费米能级处出现带隙，而多数自旋子带则为金属性特征，具有100％自旋极化率，半金属带隙大于1.0eV。本发明所设计超晶格材料不但具有多铁性也同时具有半金属性，其在自旋电子器件、信息存储、磁电传感等领域可具有重要应用前景。
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公开(公告)号：CN110304667A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910510296.4
申请日：2019-06-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种球状NiO-CeO2双金属有机框架材料及其合成方法属于复合纳米材料的制备技术领域。本发明所提供的NiO-CeO2纳米材料是采用水热法制备金属-有机前驱体材料，再经过高温煅烧法制备的，通过以下步骤制备得到的：将六水合硝酸镍、六水合硝酸铈、1,3,5-苯三甲酸、聚乙烯吡咯烷酮和柠檬酸溶于N,N-二甲基乙酰胺与无水乙醇、去离子水的混合溶液；室温下搅拌，将得到的悬浊液移入到反应釜中在一定温度条件下加热，离心分离，干燥得到Ni-Ce-MOF前驱体纳米材料。再经一定温度下高温煅烧，得到NiO-CeO2纳米材料。本发明提供的制备方法简单、一次合成，实用化程度高，且得到的NiO-CeO2纳米材料可直接作为气敏材料使用。
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公开(公告)号：CN107028615B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201710205581.6
申请日：2017-03-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: A61B5/1468 , A61B5/145
Abstract: 本发明公开了一种纳米柔性血糖微传感器及其制备方法，包括：柔性基底、环氧树脂层、电极结构、葡萄糖氧化酶膜层。柔性基底具有良好的温度适应性(‑10‑300℃)，电极结构导电性能优异且抗酸碱腐蚀，葡萄糖氧化酶负载微沟道(沟道长度小于10mm，宽度10μm‑500μm)为纳米材料织构组成，柔韧性好，灵敏度高，在葡萄糖浓度(0.5‑30mmol/L)范围呈现线性相关性，具有良好的可逆性与重复性，亲水耐磨薄膜具有良好的离子透过特性、强的吸水特性与保护敏感层的作用。本发明无毒无害，接触人体皮肤舒适不过敏，其总体结构不超过小于1cm2，可通过电流响应实现人体血液血糖值(0.5‑30mmol/L)的原位实时测量与分析。
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公开(公告)号：CN109825843A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910078164.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于多晶GaN纳米线的自支撑电催化制氢电极，属于电催化制氢领域。本发明利用化学气相沉积方法，制备的多晶GaN纳米线/基底材料的结构可以直接作为为电催化制氢电极，无需任何催化剂负载或表面修饰即可用于电催化制氢，并表现出优异的电催化制氢性能。多晶GaN纳米线直径为90-200nm，长度为4-30μm，表面形貌粗糙，表现为金字塔岛状结构，同时具有丰富的缺陷与垂直于纳米线轴向的突起结构能够在电解水的催化过程中提供大量的活性位点，有利于电解液的扩散和气体的产生与脱附。本发明首次提出利用多晶GaN纳米线作为电催化析氢材料，这为探索新型电催化材料提供了崭新思路，也为研发已实现大规模生产的商用材料的新型性能开辟了新的道路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109778318A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910027903.1
申请日：2019-01-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种半金属性多铁超晶格材料，涉及新型功能材料领域。将晶体结构为四方结构，空间群为P4mm的La0.67Sr0.33MnO3和BiCoO3沿[001]方向周期循环堆垛，从而构建出(BiCoO3)1/(La0.67Sr0.33MnO3)1超晶格。超晶格的晶胞参数为其电子结构呈现半金属特性，即在少数自旋子带的费米能级处出现带隙，而多数自旋子带则为金属性特征，具有100％自旋极化率，半金属带隙大于1.0eV。本发明所设计超晶格材料不但具有多铁性也同时具有半金属性，其在自旋电子器件、信息存储、磁电传感等领域可具有重要应用前景。
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公开(公告)号：CN104979189B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510366328.X
申请日：2015-06-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法属于微电子器件、薄膜、材料加工领域。其特征在于：刻蚀装置包括真空腔体、升温装置与等离子发生系统。通过温度场与等离子能量梯度调控实现基底刻蚀作用；真空度低于10Pa后，通入氮气在N2，气氛中升温到900‐1100℃，通入氢气，打开射频电源，将射频功率调到40‐150W，电离N2和H2，对基底进行刻蚀，此时气压为30‐100Pa，持续0.5‐2个小时；刻蚀结束后，关闭射频与停止通入氢气，冷却到室温。本发明无需使用任何模板，直接在衬底上刻蚀出具有规则取向的图案，并且图案的形貌和方向可以通过衬底的晶面取向调控。本发明在微电子器件制造、微纳米材料制备等方面具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104078528B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201310097882.3
申请日：2013-03-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/074 , H01L31/0352 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种ZnO/α‑Si纳米径向异质结太阳电池及其制备方法，属于太阳电池领域。对石英玻璃进行清洗，在石英玻璃上生长单层AZO薄膜；在AZO薄膜上生长ZnO籽晶层；采用水热法在ZnO籽晶层衬底上生长ZnO纳米柱；在ZnO纳米柱上生长P型α‑Si；AZO薄膜上磁控溅射沉积Ag前电极，在P型α‑Si上印刷Al背电极；烧结完成电池制备。这种电池具有较低的反射率和良好电极接触，透明导电电极具有高的透过率和电导率，可以有效提高电池的效率。
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公开(公告)号：CN105839045A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610237819.9
申请日：2016-04-17
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种提高烧结钕铁硼磁体防腐性能的方法属于稀土磁性材料及表面处理领域。本发明包括预处理，将钕铁硼磁体进行打磨、清洗；把预处理后的钕铁硼磁体放入真空炉内密封，通过真空泵抽取真空，炉内气压降到20pa以下时，充入0.1～0.2Mpa氮气，再抽真空，如此反复2～3次进行洗气。然后对真空炉升温，温度达到400～750℃后，充入氮气，使其压力保持在1×103～1×105pa的范围，处理时间控制在2～24h，待完成防腐处理后，随炉冷却，会在磁体表面生成一层厚度为1～50μm含有氮元素的化合物耐腐蚀层。本发明不仅操作简单，无污染，且处理过的钕铁硼磁体耐腐蚀性能强，适合于批量生产，且对磁体的大小和形状没有限制。
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