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公开(公告)号：CN103884605A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410119092.5
申请日：2014-03-27
Applicant: 北京大学
IPC: G01N3/20
Abstract: 本发明涉及一种利用表面断裂强度检测刻蚀表面质量的方法及装置。该方法采用包含刻蚀表面的等强度梁，利用探针台探针对所述等强度梁的刻蚀表面施加位移负载，直至所述等强度梁断裂；然后测量所述等强度梁断裂时刻蚀表面受到的应力，得到表面断裂强度，利用该断裂强度判定刻蚀表面的质量。该装置包括等强度梁和片上多功能针头；所述片上多功能针头包括针尖，支撑针尖的弹性结构，以及测量所述针尖的位移的测力标尺。本发明从断裂强度角度去检测和评价表面质量，能够反映刻蚀表面的粗糙、微裂纹水平，对器件性能、可靠性具有更高的参考价值，操作简单，通用性强。
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公开(公告)号：CN102980695A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210500895.6
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种MEMS压阻式绝对压力传感器，包括设有四边形槽的基片，以及制作于该槽侧壁的四组压敏电阻，所述四组压敏电阻构成惠斯通电桥，所述四边形槽的两个相对的侧壁沿所述基片的 晶向排列，另外两个相对的侧壁沿所述基片的 晶向排列。其制作步骤为：在基片正面光刻定义P型重掺杂的引线接触区，进行离子注入和高温热退火；在基片正面光刻定义槽的形状并刻蚀四边形槽；通过P型离子注入轻掺杂进行侧壁上压敏电阻的掺杂，并进行高温热退火；制作引线孔和金属引线；划片。本发明不含应变膜，能够降低传感器的芯片尺寸，显著增加传感器的抗过载能力，提高了工艺的可靠性与器件的成品率。
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公开(公告)号：CN102963859A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210451765.8
申请日：2012-11-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种用于实时确定牺牲层腐蚀时间的测试结构，包括自下而上排列的牺牲层、MEMS结构层和金属层；所述金属层中的金属在所述牺牲层腐蚀完成时发生脱落。该测试结构使用双材料梁作为敏感原件，测试单元优选按照阵列方式排列，以提高整个在线测试结果的可靠性。利用该结构制备MEMS器件的方法可与常用的牺牲层工艺兼容，可同时完成，实现工艺的在线监控。本发明可以通过肉眼观测的方式，非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间，能够提高MEMS工艺质量和成品率，并大大缩短工艺时间。
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公开(公告)号：CN101922008B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010232641.1
申请日：2010-07-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种硅的腐蚀深度实时监控方法，属于微电子机械系统加工工艺技术领域。本发明方法在相同条件下对硅腐蚀片和用于监控硅腐蚀片的腐蚀深度的硅陪片同时进行腐蚀，所述硅陪片包括位于硅陪片表面的腐蚀凹槽，位于腐蚀凹槽底面的腐蚀面，和位于腐蚀凹槽侧面的监控面，所述腐蚀面和监控面的晶向相同，所述腐蚀凹槽中盛放腐蚀液，腐蚀液浸没所述腐蚀面，所述监控面，以及所述监控面和所述表面相交的监控线，在腐蚀过程中或腐蚀过程后，通过所述监控线的位移确定所述腐蚀深度。本发明可用于微电子机械系统加工工艺。
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公开(公告)号：CN101922008A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010232641.1
申请日：2010-07-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅的腐蚀深度实时监控方法，属于微电子机械系统加工工艺技术领域。本发明方法在相同条件下对硅腐蚀片和用于监控硅腐蚀片的腐蚀深度的硅陪片同时进行腐蚀，所述硅陪片包括位于硅陪片表面的腐蚀凹槽，位于腐蚀凹槽底面的腐蚀面，和位于腐蚀凹槽侧面的监控面，所述腐蚀面和监控面的晶向相同，所述腐蚀凹槽中盛放腐蚀液，腐蚀液浸没所述腐蚀面，所述监控面，以及所述监控面和所述表面相交的监控线，在腐蚀过程中或腐蚀过程后，通过所述监控线的位移确定所述腐蚀深度。本发明可用于微电子机械系统加工工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100447542C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200610083449.4
申请日：2006-05-31
Applicant: 北京大学
IPC: G01L1/04
Abstract: 本发明提供一种MEMS力学微探针及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域。该探针包括：探针体和衬底，探针体和衬底通过固定锚点固定连接，探针体包括：T型探针头、着力质量块、弹性梁及标尺结构，T型探针头与着力质量块通过弹性梁连接，形成探针可动结构，探针可动结构再通过一组弹性梁结构与固定锚点相连接，悬浮于衬底之上，标尺结构分为定尺、动尺I和动尺II三个部分，动尺I与T型探针头部相连，动尺II与着力质量块相连，定尺固定在衬底上。本发明利用弹性梁受力形变与所受外力成正比的原理，读出被测样品所受力的大小，具有读数简单、工艺易于实现的特点。
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公开(公告)号：CN1891617A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510012079.0
申请日：2005-07-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种在感应耦合等离子体(ICP)刻蚀中保护刻蚀结构的方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法在感应耦合等离子体ICP干法刻蚀硅结构时，不将硅片刻蚀穿通，在硅结构上PECVD淀积氧化硅，各项同性刻蚀硅结构上表面的氧化硅，再ICP刻蚀剩余未穿通部分的硅，释放硅结构，使硅结构的侧壁形成保护层。本发明保证了刻蚀结构的完整性，使MEMS或NEMS器件具有实际提高工艺结果质量的作用。
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公开(公告)号：CN1866407A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610083448.X
申请日：2006-05-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种MEMS力学微探针及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域。该探针包括探针体、衬底和若干个固定锚点，探针体包括：T型探针头、弹性梁、两个梳齿电容及标尺结构，T型探针头通过与固定锚点连接的弹性梁悬浮于衬底之上，梳齿电容分别设置在T型探针头的肩部，梳齿电容的正/负极板与固定锚点相连，另一负/正极板与T型探针头相连，标尺结构包括：动尺和定尺两部分，动尺与T型探针头连接，定尺与固定锚点相连，探针体和衬底通过上述固定锚点固定连接。本发明利用弹性折梁受力形变与所受外力成正比，以及梳齿间静电力与梳齿间电压的平方成正比的原理，读出被测样品所受力的大小，具有读数简单、工艺易于实现的特点。
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公开(公告)号：CN118209409A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410164356.2
申请日：2024-02-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种用于微梁单轴压缩测试的系统及其制造方法。该系统包括压缩片上试验机和探针台，其中压缩片上试验机包括探针加载结构、五个锚点、四个悬挂折叠梁、两个形变量标尺、两个指针、两个弹性梁和传力杆；四个悬挂折叠梁的一端连接探针加载结构，另一端固定于五个锚点中的第一至四个锚点上，第五个锚点连接微梁试样；两个弹性梁的中间连接传力杆；传力杆的一端连接微梁试样，另一端连接两个指针；两个指针用于标记两个形变量标尺的刻度；探针加载结构、四个悬挂折叠梁、两个形变量标尺、两个指针、两个弹性梁和传力杆为可动结构。本发明能够对微梁结构进行单轴压缩测试以提取其断裂时的应力强度，进而有助于进行材料的破坏规律研究。
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公开(公告)号：CN111591952B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202010322541.1
申请日：2020-04-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，属于微电子机械系统传感器设计领域，该传感器主要包括一玻璃底座和位于玻璃底座上的硅应变膜，该玻璃底座的一面含有一凹陷空腔，该硅应变膜的正面朝向该空腔；该硅应变膜包括位于正面的绝缘介质层和该绝缘介质层覆盖的硅衬底；该硅应变膜的正面的边缘均布有四个带有凹槽的半岛结构；每个半岛结构的外边缘设有位于硅衬底上的一组压敏电阻、一组重掺杂接触区和一对金属引线，压敏电阻与重掺杂接触区串接，两端由金属引线从重掺杂接触区引出，四组压敏电阻形成惠斯通电桥。其与典型结构的压力传感器相比，具有高灵敏度、高线性度、芯片尺寸小的优点。
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