-
公开(公告)号：CN103014846A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201310012478.1
申请日：2013-01-14
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种材料气相外延用同心圆环喷头结构，解决在较大的衬底或多片衬底的晶体生长中，在大面积沉积区域提供前驱物混合气体的均匀流场问题。本发明包含有一个以上独立的进气管道，进气管道上设有监控调节进气流速和流量的控制器，喷头底部设有出气挡板，喷头内设有一个以上同心圆环，各同心圆环之间形成独立腔体并且相互隔离，各同心圆环顶端连接一个独立的进气管道，各同心圆环底端的出气挡板上设有一个及以上的出气孔。本发明通过各路气源彼此隔离并独立管控，以及多个喷头集成使用的方式，明显改善大面积沉底的生长晶体质量，大幅提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN102980694A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210500461.6
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种无应变膜结构的MEMS压阻式压力传感器，包括制作于基片上并构成惠斯通电桥的四组压敏电阻，其中两组相对的压敏电阻沿 晶向排列，另外两组相对的压敏电阻沿 晶向排列。其制作步骤为：在基片正面采用压敏电阻所需剂量的掺杂浓度进行P型离子注入轻掺杂并高温热退火；在基片正面通过光刻定义P型重掺杂的引线接触区，通过离子注入进行重掺杂并高温热退火；制作引线孔和金属引线；通过光刻定义压敏电阻和接触区的形状，通过刻蚀的方式制作压敏电阻条；划片。本发明的压力传感器没有应变膜结构，能够降低传感器的芯片尺寸，增加抗过载能力；其制作方法与标准体硅压阻式压力传感器的工艺兼容，成本低且成品率高。
-
公开(公告)号：CN102583224A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210060342.3
申请日：2012-03-08
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS和IC单片集成方法，先在基片上完成除金属互连以外的所有IC工艺，然后依次淀积氧化硅层和氮化硅层作为IC区域的保护层；再采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；刻蚀去除IC区域的氮化硅保护层之后，刻蚀氧化硅保护层形成引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后去除MEMS区域的牺牲层，释放MEMS可动结构。该方法不需要专用的低应力氮化硅生产设备，采用IC-MEMS交叉工艺，通过选择性去除氮化硅保护层来控制集成化片内应力，从而降低集成化工艺对IC电路性能的影响，工艺简单可靠。
-
公开(公告)号：CN102543239A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210004773.8
申请日：2012-01-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳纳米管薄膜的三维异质结同位素电池及其制备方法。该同位素电池的换能结构包括衬底、背电极、以及图形化的绝缘层和绝缘层上的正面电极；换能结构衬底的正面具有三维阵列结构，表面沉积有碳纳米管薄膜；碳纳米管薄膜与衬底的接触部分形成异质结，与正面电极形成欧姆接触；源结构包括衬底和衬底表面的放射性同位素膜；源结构和换能结构对准封接在一起，二者相接触的部位之间电学隔离，而源结构的放射性同位素膜和换能结构的异质结相对，位于封接形成的空腔内。该同位素电池中的三维结构有效增大了器件作用面积，提高了器件性能；碳纳米管薄膜与其他半导体材料接触形成的异质结提高了同位素电池的转换效率。
-
公开(公告)号：CN102157352A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110070276.3
申请日：2011-03-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种微纳结构的湿法腐蚀方法及其腐蚀装置，其方法包括：A、将表面具有微纳结构的待蚀刻基片置于腐蚀液容器的基座上；B、将腐蚀液注入腐蚀液容器中，腐蚀液液面淹没基片表面；C、通过腐蚀液容器侧面设置对应的进出液口或通过在腐蚀液容器下设置摇床使腐蚀液水平流动，和/或使基座转动；D、在腐蚀液水平流动和/或基座转动的情况下湿法腐蚀基座上的待蚀刻基片表面微纳结构。腐蚀装置包括腐蚀液容器和基座，基座置于腐蚀液容器内，腐蚀液容器两侧设有进/出液口或腐蚀液容器下设有摇床；基座可转动。本发明通过腐蚀液水平流动或/和基座转动，保证腐蚀液的均匀搅拌，使腐蚀均匀性得到了有效的控制，保证了微纳结构的蚀刻效果。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101559916B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910082984.1
申请日：2009-04-28
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种掩蔽微结构的制备方法，属于微电子机械系统技术领域。该方法包括：在硅基片表面制成厚度为1～2μm的二氧化硅掩膜，并图形化，对硅进行深刻蚀，形成微槽或微开口结构；对微槽或微开口结构进行表面钝化；刻蚀去掉微槽或微开口结构的底部钝化层，对微槽或微开口结构的底部进行预刻蚀；接着继续各向同性刻蚀，形成微结构；然后，去掉硅片表面的掩膜和微槽或微开口结构侧壁的钝化层；回填形成掩蔽微结构。本发明利用厚掩膜很好的保护了硅片表面，不会出现针孔和钻蚀的现象。且掩蔽微结构的各向同性刻蚀在预刻蚀之后进行，可控制掩蔽微结构的截面形状，免去了复杂的工艺参数调整，也可避免对精密刻蚀设备的依赖。
-
-
公开(公告)号：CN101316367A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810132519.X
申请日：2008-07-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种视频编解码标准中的二维反变换方法及其实现电路，属于数字音视频技术领域。本发明方法为：将输入数据分为4组，第一时钟周期将第j组列向量与反变换系数矩阵的第0、3行的行向量相乘，然后将中间结果通过蝶形算法进行计算得到最终结果X0j和X3j；第二时钟周期将第j组列向量与反变换系数矩阵的第1、2行的行向量相乘，然后将中间结果通过蝶形算法进行计算得到最终结果X1j和X2j；其中j＝0、1、2、3。本发明的实现电路包括4个组内运算模块，用于计算输入数据的列向量数据；2个组间运算模块，用于计算组内运算模块的输出。本发明具有计算速度快，无需使用额外的存储单元来保存整数DCT反变换或Hadamard反变换过程中产生的中间结果，成本低。
-
公开(公告)号：CN103094173B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210559394.5
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种多夹头晶片夹具，通过施力于夹臂控制夹头，减小各夹头之间距使其合拢并接触晶片的侧边缘，来完成夹片操作。本发明包含有四个及以上夹头，夹头安装在夹臂末端，在其一个及以上夹臂末端上可安装多个夹头，形成多夹头夹具，部分夹臂相对固定，其余夹臂可定向移动带动夹头靠拢、接触晶片侧边缘实施夹取操作，夹臂之间形成有夹角。本发明的多夹头夹具，仅需其中三个夹头作用在晶片上，便能达到夹具的作用，从而降低对夹头的控制精确度的要求及夹持晶片的操控难度，提高安全性。
-
公开(公告)号：CN103806092B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410031343.4
申请日：2014-01-23
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开一种用于立式氢化物气相外延（HVPE）的反应器，包括轴对称圆柱型腔体、前驱物通道、衬底、石墨圆盘及支撑杆；其中前驱物通道从上至下依次由第一圆筒、过渡段、第二圆筒、裙体扩展段、第三圆筒组成；该反应器还包括设置在第二圆筒中间位置的第二整流板，设置在第三圆筒内部具有周向阵列折流板的第一折流装置；包括设置在通道第一、第二、第三圆筒内部的第一、第二、第三整流板，以及设置在石墨盘径向外围的第二折流装置；包括对反应式腔体外壁进行径向扩充；包括设置在通道第一、第二圆筒内部的第一、第二整流板，设置在第三圆筒内部与石墨盘径向外围的第一、第二折流装置，以及反应气体的径向出口。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
129
records
(took 0.082 seconds)
