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公开(公告)号：CN101281933A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810105174.9
申请日：2008-04-29
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L27/15 , B82Y10/00 , H01L33/34 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 本发明提出一种基于碳纳米管的光电器件，以碳纳米管作为导电通道，其一端具有高功函数金属电极，另一端具有低功函数金属电极，通过简单的结构即可实现多种功能器件，包括但不限于双极性场效应晶体管、无阻双极性二极管、发光二极管和光探测器。本发明还提出一种基于碳纳米管的大规模光电集成电路基本单元，以碳纳米管作为导电通道，其上顺序排列两个高功函数金属电极和两个低功函数金属电极，灵活设置各电极电压可获得多种功能器件，包括电子器件和光电器件。本发明进一步提供了一种可实现各种功能的大规模光电集成电路。本发明有望极大地增强现有集成电路芯片的功能，也为规模集成纳米电路提供了全新的设计思路和有效的实施方法。
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公开(公告)号：CN101252145A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710090362.4
申请日：2007-04-06
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出了一种实现碳纳米管与金属电极间高性能接触的方法，由此得到具有稳定得高性能碳纳米管纳电子器件。本发明的以碳纳米管为基的纳电子器件采用金属钪作为与碳纳米管连接的电极。通过各种微加工技术把金属钪与碳纳米管连接起来即可实现高性能的接触，可用于制备高性能的n型碳纳米管场效应晶体管，也可用于制备以碳纳米管为基的其他各种高性能的纳电子器件，包括生物以及化学传感器件。本发明对推动纳电子器件的实用化进程具有非常重要的意义，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN100370572C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200410009818.6
申请日：2004-11-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种提高碳纳米管阴极发射效率的方法，属于碳纳米管应用领域。该方法利用石墨片边缘结构可提高碳纳米管阴极发射效率，通过在单根碳纳米管、碳纳米管阵列或碳纳米管薄膜中通大电流使其断裂或高压放电的处理方法使碳管断口出现石墨片结构，从而提高碳纳米管的阴极发射效率，具体体现为开启电压的降低，场增强因子的增大。上述片状结构不仅可出现在顶端，甚至也可以出现在侧面，由碳管外层管壁劈裂而成，这样使碳管的侧面也成为场发射的有效区域，进一步提高了碳纳米管的阴极发射效率。
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公开(公告)号：CN1935631A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610113318.6
申请日：2006-09-22
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明属于纳米加工领域，提出了一种切断、削薄或连接纳米材料的方法：在两个具有良好导电性的纳米材料之间施加一定的电压，然后让两个纳米材料接触，利用它们在热导率、比热、密度及几何尺寸等因素中存在的差异，使其中一个纳米材料在接触处的温度首先到达可被破坏(如热蒸发)所需的温度，使之在接触处被破坏而被切断或削薄，而被切掉的部分可以以两个纳米材料接触时的姿势连接到另一个纳米材料上，形成互连结构。本发明对纳米材料的研究和应用具有非常重要的意义，具有广泛的应用前景，可用于制造碳纳米管的扫描探针针尖或制造碳纳米管场发射针尖，控制一维纳米材料的长度，修饰一维纳米材料的尖端和管身形貌以及构建纳米材料的互连结构等等。
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公开(公告)号：CN1155980C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN01140097.8
申请日：2001-11-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用，属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列，是在金属薄膜电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列；基底厚度为1μm～0.5mm，纳米线直径为20～200nm，长度为100～500nm。制造步骤包括：(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板；(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发-电镀制造金属薄膜电极；(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列；(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板，露出金属纳米线。本发明的场发射阴极应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低，电流密度大，制备简单，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1401562A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02131447.0
申请日：2002-10-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种纳米碳管/纳米铁磁性金属线复合材料，是在纳米碳管内部填充有铁磁性金属纳米线，该铁磁性金属纳米线为结晶态。本发明还提供了所述复合材料的制备方法，即：在生长纳米碳管的同时，在纳米碳管内部原位填充铁磁性金属或其化合物纳米线，生成填充物为非晶态的复合材料；再将复合材料中的纳米铁磁性金属线进行结晶化转变。本发明的复合材料，其电磁特性得到改善，耐腐蚀能力得到提高，微波吸收能力得到显著改善。本发明的复合材料均匀分散在环氧树脂/乙醇溶液中，在烘箱中固化即得微波吸收材料或电磁屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN116864522B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202210308140.X
申请日：2022-03-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种具有自偏栅结构的互补型隧穿晶体管及其制备方法。具有一衬底，在上述衬底上具有半导体层、自偏栅介质层以及其上的一主栅结构；自偏栅介质层在左右方向分别水平延伸出主栅结构一个水平延伸部，在水平延伸部具有一高功函数金属层和一低功函数金属层分别构成隧穿晶体管的源极和漏极。本发明将自偏栅与源漏电极直接电学连接起来，自偏栅与源漏电极保持等电势，从而在自偏栅区域引入了静电自掺杂效应。
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公开(公告)号：CN117377328A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210742669.2
申请日：2022-06-28
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种顶栅场效应晶体管及其制备方法。本公开的顶栅场效应晶体管包括衬底层、有源层、界面钝化层、栅介质层、顶栅电极、源极和漏极，界面钝化层形成于所述有源层之上并直接与所述有源层接触，所述栅介质层形成于所述界面钝化层之上，所述界面钝化层能够钝化所述有源层表面，阻挡氧扩散进入所述有源层，并为所述栅介质层的沉积提供形核中心。本公开能够有效降低器件的回滞、频散和栅极漏电流，提升器件的电学性能和可靠性，拓展碳基器件在先进技术节点集成电路领域的应用潜力。
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公开(公告)号：CN117117477A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210531688.0
申请日：2022-05-16
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种微带天线和毫米波雷达。微带天线包括：介质基板；微带天线面阵列，布设于所述介质基板的正面上，所述微带天线面阵列包含多个微带天线线阵和与所述微带天线线阵连接的馈电网络；碳基射频前端电路，布设于介质基板的正面上，所述碳基射频前端电路与所述微带天线面阵列电连接，用于驱动和控制所述微带天线面阵列；接地板，布设于所述介质基板的背面。本发明通过射频控制电路对微带天线面阵列进行调控，能够降低天线副瓣电平，抑制旁瓣杂波的干扰，从而提高抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN116246958A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211489954.4
申请日：2022-11-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种二维半导体晶体管的自对准图形化方法和二维半导体晶体管，该方法包括如下步骤：提供基底；在基底上形成半导体材料层；在半导体材料层上形成栅极结构；形成赝栅极侧墙，包围栅极结构的侧壁；对二维半导体材料层的表面进行表面改性处理，在二维半导体材料的表面上形成固态活性源金属层；在固态活性源金属层上形成常规金属层进行退火处理，得到二维半金属/金属材料层；光刻固态活性源金属层和常规金属层，自对准形成源漏接触区，源漏接触区包括固态活性源金属层、常规金属层和二维半金属/金属材料层。该方法能够降低接触电阻，减少器件区面积，提高集成度和性能，实现针对二维半导体材料器件的源漏自对准工艺。
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