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公开(公告)号：CN1857915A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200510011678.0
申请日：2005-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: B32B5/08
Abstract: 本发明提供了一种碳纤维复合单根碳纳米管，由碳纳米管、锥状碳纤维和基底组成，其特征在于，所述的碳纳米管垂直生长于基底上，并包裹在锥状碳纤维中，同时在锥状碳纤维的顶端探出形成针尖状。本发明还提供了制备所述的碳纤维复合单根碳纳米管的方法，包括步骤：(1)将基底清洗干净；(2)将过渡金属催化剂附着在基底表面；(3)将基底置于可抽真空的加热设备中作为电极之一，并与另一电极接触；(4)将加热设备抽真空后，缓慢通入还原气体与碳源气体的混合气；(5)当加热设备达到一定压强时，在两电极之间加电流，使基底温度达到1600℃至2400℃范围内某一值并保持30至120秒，然后切断电源；(6)继续通入还原气体，直到基底冷却。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100370572C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200410009818.6
申请日：2004-11-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种提高碳纳米管阴极发射效率的方法，属于碳纳米管应用领域。该方法利用石墨片边缘结构可提高碳纳米管阴极发射效率，通过在单根碳纳米管、碳纳米管阵列或碳纳米管薄膜中通大电流使其断裂或高压放电的处理方法使碳管断口出现石墨片结构，从而提高碳纳米管的阴极发射效率，具体体现为开启电压的降低，场增强因子的增大。上述片状结构不仅可出现在顶端，甚至也可以出现在侧面，由碳管外层管壁劈裂而成，这样使碳管的侧面也成为场发射的有效区域，进一步提高了碳纳米管的阴极发射效率。
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公开(公告)号：CN105019028B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201510408173.1
申请日：2015-07-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备特定形貌和晶体结构的InAs纳米线的方法，通过调节载气流速，可以有效地控制纳米线的形貌和晶体结构。本发明为实现低成本高有效地生长InAs纳米线提供了参考，为CVD生长纳米线的可控性方面提供了部分指导意义。同时本发明对深入了解和研究孪晶超点阵纳米线的成核生长机制有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN105019028A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510408173.1
申请日：2015-07-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备特定形貌和晶体结构的InAs纳米线的方法，通过调节载气流速，可以有效地控制纳米线的形貌和晶体结构。本发明为实现低成本高有效地生长InAs纳米线提供了参考，为CVD生长纳米线的可控性方面提供了部分指导意义。同时本发明对深入了解和研究孪晶超点阵纳米线的成核生长机制有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN100411866C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510011678.0
申请日：2005-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: B32B5/08
Abstract: 本发明提供了一种碳纤维复合单根碳纳米管，由碳纳米管、锥状碳纤维和基底组成，其特征在于，所述的碳纳米管垂直生长于基底上，并包裹在锥状碳纤维中，同时在锥状碳纤维的顶端探出形成针尖状。本发明还提供了制备所述的碳纤维复合单根碳纳米管的方法，包括步骤：(1)将基底清洗干净；(2)将过渡金属催化剂附着在基底表面；(3)将基底置于可抽真空的加热设备中作为电极之一，并与另一电极接触；(4)将加热设备抽真空后，缓慢通入还原气体与碳源气体的混合气；(5)当加热设备达到一定压强时，在两电极之间加电流，使基底温度达到1600℃至2400℃范围内某一值并保持30至120秒，然后切断电源；(6)继续通入还原气体，直到基底冷却。
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公开(公告)号：CN1606117A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410009818.6
申请日：2004-11-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种提高碳纳米管阴极发射效率的方法，属于碳纳米管应用领域。该方法利用石墨片边缘结构可提高碳纳米管阴极发射效率，通过在单根碳纳米管、碳纳米管阵列或碳纳米管薄膜中通大电流使其断裂或高压放电的处理方法使碳管断口出现石墨片结构，从而提高碳纳米管的阴极发射效率，具体体现为开启电压的降低，场增强因子的增大。上述片状结构不仅可出现在顶端，甚至也可以出现在侧面，由碳管外层管壁劈裂而成，这样使碳管的侧面也成为场发射的有效区域，进一步提高了碳纳米管的阴极发射效率。
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