-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105862122B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201610300708.8
申请日：2016-05-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及种基于多步掠射角沉积法的锑化铟纳米线制备与锰掺杂方法。首先采用多步掠射角沉积技术制备单晶纯In纳米线;然后在纯In纳米线表面沉积Sb膜层,形成In、Sb的核‑壳结构;然后对In、Sb的核‑壳结构进行退火处理,使其在固相时发生结晶反应,形成InSb纳米线。在进行锰掺杂时,首先采用多步掠射角沉积技术制备单晶纯In纳米线;然后在纯In纳米线表面沉积Mn膜层,形成In、Mn的核‑壳结构;然后在Mn膜层表面沉积Sb膜层,并进行退火处理,形成Mn掺杂的InSb纳米线。本发明实现了在低温下制备InSb纳米线并进行Mn元素的掺杂,能够得到高Mn含量的InSb纳米线。
-
公开(公告)号：CN105862122A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610300708.8
申请日：2016-05-09
Applicant: 北京大学
CPC classification number: C30B23/007 , B82Y40/00 , C30B29/40 , C30B29/62
Abstract: 本发明涉及一种基于多步掠射角沉积法的锑化铟纳米线制备与锰掺杂方法。首先采用多步掠射角沉积技术制备单晶纯In纳米线；然后在纯In纳米线表面沉积Sb膜层，形成In、Sb的核?壳结构；然后对In、Sb的核?壳结构进行退火处理，使其在固相时发生结晶反应，形成InSb纳米线。在进行锰掺杂时，首先采用多步掠射角沉积技术制备单晶纯In纳米线；然后在纯In纳米线表面沉积Mn膜层，形成In、Mn的核?壳结构；然后在Mn膜层表面沉积Sb膜层，并进行退火处理，形成Mn掺杂的InSb纳米线。本发明实现了在低温下制备InSb纳米线并进行Mn元素的掺杂，能够得到高Mn含量的InSb纳米线。
-
公开(公告)号：CN105019028B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201510408173.1
申请日：2015-07-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备特定形貌和晶体结构的InAs纳米线的方法，通过调节载气流速，可以有效地控制纳米线的形貌和晶体结构。本发明为实现低成本高有效地生长InAs纳米线提供了参考，为CVD生长纳米线的可控性方面提供了部分指导意义。同时本发明对深入了解和研究孪晶超点阵纳米线的成核生长机制有十分重要的意义。
-
公开(公告)号：CN105679655A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610055102.2
申请日：2016-01-27
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L21/02381 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02414 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/02603 , H01L21/02631 , H01L21/02661
Abstract: 本发明提供一种Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的制备方法，包括如下步骤：1)Si/SiO2衬底经过净化处理后，在表面滴撒金颗粒水溶液，再使水分完全挥发；2)将步骤1)处理过的Si/SiO2衬底和一种Ⅲ-Ⅴ族半导体粉末分开置于同一硬玻璃管中加热并排气，然后冷却，密封；3)将步骤2)处理过的硬玻璃管通过加热装置高温加热，然后降温获得Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线。本制备方法使得纳米线的制备过程更加简化，具有通用性，降低了制备成本，能够将制备完成的纳米线直接保存在真空环境中，防止因接触空气而氧化，大大提高了纳米线制备的可靠性。
-
公开(公告)号：CN105019028A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510408173.1
申请日：2015-07-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备特定形貌和晶体结构的InAs纳米线的方法，通过调节载气流速，可以有效地控制纳米线的形貌和晶体结构。本发明为实现低成本高有效地生长InAs纳米线提供了参考，为CVD生长纳米线的可控性方面提供了部分指导意义。同时本发明对深入了解和研究孪晶超点阵纳米线的成核生长机制有十分重要的意义。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.021 seconds)
