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公开(公告)号：CN107907241A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711441565.3
申请日：2017-12-27
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基片式应变解耦FBG温度增敏传感器，包括基片、第一固定耳和第二固定耳，所述第一固定耳焊接在基片上端的右侧，且第二固定耳焊接在基片下端的右侧；所述基片上开设有基片槽，基片槽用于放置FBG；一种基片式应变解耦FBG温度增敏传感器性能测试方法，S1中所述的测试系统包括环形器、Fluke水浴箱、宽带光源和解调仪，所述宽带光源的输出端与环形器的输入端电性连接；所述环形器的输出端与解调仪的输入端电性连接；所述Fluke水浴箱内放置的FBG传感器通过导线与环形器电性连接；该基片式FBG温度增敏传感器及性能测试方法，与其它FBG传感器，本发明结构简单，易于工程使用，实现高精度温度测量，实用性强，易于推广使用。
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公开(公告)号：CN106525099A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610971256.6
申请日：2016-10-28
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非接触式光纤光栅角量传感器，包括磁栅尺、转盘和磁头探测单元，其特征在于，所述的磁头探测单元由塑料外壳、缓震泡沫、录磁磁头、环氧树脂、金属套管、锥型管、光纤光栅和光纤连接器组成；光纤光栅角量传感器工作时，磁栅尺旋转，对磁栅尺与录磁磁头间的作用力的最大值进行计数，得到旋转物体的角量。本发明能够实现连续大范围测量角速度、角加速度；与现有技术相比测量范围大，精度高，测量装置安装方便简单。
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公开(公告)号：CN105758323A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610146756.6
申请日：2016-03-15
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01B11/16
CPC classification number: G01B11/165
Abstract: 本发明提供了一种基于FBG应变传感器测量薄试件应变的方法，所述的方法包括，搭建应变测试系统，将光纤FBG黏贴在基片槽内制成基片式光纤FBG应变传感器，将所述基片式光纤FBG应变传感器黏贴在薄试件表面，所述光纤FBG传感器粘接在耦合器一端，所述耦合器另一端连宽带光源和解调器；所述薄试件两端部位夹持在拉伸机上，引伸计夹持在黏贴基片式光纤FBG应变传感器的位置，缓慢施加拉伸载荷对薄试件进行一段时间拉伸。本发明提供的基于FBG应变传感器测量薄试件应变的方法通过对比不同的传感器黏贴方式可以更有效的对应变进行测量。
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公开(公告)号：CN105716535A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610147739.4
申请日：2016-03-15
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01B11/16
CPC classification number: G01B11/16 , G01B11/165
Abstract: 本发明提供了一种用于测试薄试件应变的传感器组桥方式，所述组桥方式包括如下步骤：a)制作基片式光纤FBG应变传感器，将FBG光纤黏贴在基片的基片槽内制成第一片基片式光纤FBG应变传感器；b)重复步骤a)制作第二片基片式光纤FBG应变传感器；c)对薄试件上下表面进行打磨和清洗；d)将步骤a)所述的第一片基片式光纤FBG应变传感器和步骤b)所述的第二片基片式光纤FBG应变传感器黏贴在步骤c)所述的薄试件上下表面；e)将步骤d)中所述的第一片基片式光纤FBG应变传感器和第二片基片式光纤FBG应变传感器表面用环氧树脂胶进行涂层，并在常温下固化24h。本发明上下表面对称设置传感器可以平衡薄试件的局部变形，对现场测量薄试件应变具有重要意义。
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公开(公告)号：CN119317198A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411429666.9
申请日：2024-10-14
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明涉及半导体器件设计及制造领域，公开了一种基于MBE生长二类超晶格红外探测器的方法，包括：半导体衬底；缓冲层：设置在半导体衬底上方；N型下电极接触层：位于缓冲层上方；中波红外吸收层：位于N型下电极接触层上方；电子势垒层：位于中波红外吸收层上方；短波红外吸收层：位于电子势垒层上方；N型上电极接触层：位于短波红外吸收层上方；Cap层：位于N型上电极接触层上方；电极层：上电极位于所述Cap层上方；下电极与N型下电极接触层相接；钝化层：覆盖在探测器的侧壁。通过采用电子势垒层来分隔不同的吸收层，减少了不同波段之间的串音效应，从而降低了探测器在复杂环境下的虚警率，这一特性使得探测器在高干扰环境下仍能保持高精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119308012A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411430204.9
申请日：2024-10-14
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明涉及半导体材料分子束外延生长制造领域，公开了一种控制As背景压强以减少InAs/GaSb表面缺陷的方法，包括以下步骤：S1：衬底准备与预处理，选择适合的GaSb单晶衬底，并对GaSb衬底进行选择、清洁、除气和脱氧处理；S2：GaSb缓冲层的外延生长，在经过处理的GaSb衬底上外延生长GaSb缓冲层；S3：As背景压强的控制，在GaSb缓冲层生长过程中，通过调节As针阀的开度，控制和稳定腔体内的As背景压强；S4：InAs/GaSb超晶格的生长，在控制好的As背景压强条件下，逐层生长InAs和GaSb超晶格结构。通过精确控制As背景压强，可以有效减少InAs/GaSb表面形成的“亮点”缺陷和其他表面缺陷，提高超晶格材料的表面质量。
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公开(公告)号：CN119308009A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411429812.8
申请日：2024-10-14
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明涉及红外探测领域，公开了一种基于人工智能的分子束外延生长过程控制方法，包括以下步骤：S1：生长材料选择，根据目标应用需求，选择具备特定光电性能的半导体材料；S2：晶片生长，在超高真空环境下，实现晶片的外延生长；S3：数据采集与高质量晶片筛选，实时采集生长过程数据，并通过X射线衍射和原子力显微镜检测晶片质量；S4：数据处理，对采集的数据进行信号处理和降维操作，去除噪声和异常值；S5：模型训练；S6：优化与控制。通过人工智能技术使得系统能够自动分析和调整生长过程中的关键参数，实现精确控制，减少了对操作人员经验的依赖。系统自动处理和优化生长参数，即使操作人员经验不足，也能通过系统实现高质量的材料生长。
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公开(公告)号：CN119179837A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411257983.7
申请日：2024-09-09
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G06F17/16 , G06N3/067 , G06N3/0464 , G02B6/293
Abstract: 本发明涉及光子计算网络技术领域，尤其涉及一种基于单色散介质实现不同阶数矩阵运算的系统，所述系统包括：顺次连接的多波长光源、调制处理单元、微环阵列单元、单色散介质单元和采集处理单元，利用单色散介质单元对各个加权调制光信号进行延时处理，且通过控制每个加权调制光信号的延时时长，使得在对各个延时加权调制光信号在同一时域上的光信号强度进行求和处理后便可以获得第二矩阵对第一矩阵执行卷积计算的计算结果，大大提高了矩阵乘法运算的计算效率，同时引入单色散介质取代传统光学延时线，有利于减小光计算集成系统的尺寸，并降低成本。
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公开(公告)号：CN117826307B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202311800323.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于超材料结构的中红外偏振转换器包括，金属衬底层、在金属衬底层上制备的二氧化硅层，以及在二氧化硅层上制备的超表面层；超表面层包括周期排布的多个超表面结构单元；每一个所述超表面结构单元包括倾斜排布的中间矩形金属块，以及在中间矩形金属块两边倾斜排布的第一矩形金属块和第二矩形金属块；第一矩形金属块、第二矩形金属块和中间矩形金属块平行。本发明可以在3‑5μm波段实现高效的偏振转换，并且可以通过调整结构的参数来灵活改变其工作波长。
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公开(公告)号：CN117782317B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202311810577.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01J3/28 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种基于纳米线超构表面结构的中波多光谱成像器件包括介质基底层，以及在介质基底层上制备的介质缓冲层；在介质缓冲层上沉积GaN/AlN纳米线；GaN/AlN纳米线的一端为GaN，GaN/AlN纳米线的另一端为AlN，GaN/AlN纳米线的中间段为Al0.4Ga0.6N；GaN/AlN纳米线中N元素的浓度为50％，Ga元素和Al元素沿GaN/AlN纳米线长度逐渐改变，并且Ga元素和Al元素的浓度互补；在介质缓冲层上沉积多个阵列的电极，电极与GaN/AlN纳米线接触。本发明通过在Si/SiO2衬底上生长GaN/AlN纳米线，使用电子束光刻在纳米线上制造平行的In/Au电极阵列，最后沉积Al2O3钝化层。使用这种结构，结合正则化算法即可完成对入射光线光谱的重建，舍弃了传统成像系统中复杂沉重臃肿的色散聚焦等器件，实现了小型化、轻量化。
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