公开(公告)号：CN1278383C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN02148111.3

申请日：2002-10-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/0045

Abstract: 一种图案形成方法，其特征在于，首先形成由含有丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯中的至少一种酯的基本聚合物和受光照后会产生酸的酸发生剂的化学放大型抗蚀材料构成的抗蚀膜；然后对该抗蚀膜选择性地照射波长为1-30nm波段的远紫外线以曝光图案，并经过显影形成由抗蚀膜未曝光部分构成的抗蚀图案；对抗蚀图案进行加热处理，使所述抗蚀图案的粗糙度趋于平滑。

公开(公告)号：CN1275297C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN03128623.2

申请日：2003-04-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及具有低介电常数绝缘膜的半导体器件。本发明目的在于提高由多孔膜构成的低介电常数绝缘膜的机械强度。形成低介电常数绝缘膜的溶液含有硅树脂(2)和主要由硅原子及氧原子构成的具有多个空穴的微粒子(3)及溶剂(4)。

公开(公告)号：CN1707361A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510074297.7

申请日：2005-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70341 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70991

Abstract: 一种曝光装置及图案形成方法，能够得到优良的由平板印刷制造的抗蚀膜，尤其是由液体浸泡平板印刷制造的抗蚀膜的形状。曝光装置，包括用洗净液(25)洗净形成在晶片(20)上的抗蚀膜表面的洗净部(30)，和在抗蚀膜和投影透镜(44)之间填充液体浸泡用液体(26)进行图案曝光的曝光部(40)。

公开(公告)号：CN1698181A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000583.2

申请日：2004-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  平井义彦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/76801 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76817

Abstract: 图案形成方法，包括：形成由具有流动性的物质构成的流动性膜的工序；将推压面具有凹部及凸部中至少一个的推压构件的所述推压面推压到流动性膜，将所述凹部及凸部中至少一个转印到流动性膜的工序；在将推压面推压到流动性膜的状态下，通过将流动性膜加热到第1温度，使转印了凹部及凸部中至少一个的流动性膜固化，形成固化膜的工序；以及通过将固化膜加热到比第1温度高的第2温度焙烧所述固化膜，形成由已焙烧的固化膜构成的图案的工序。

公开(公告)号：CN1648771A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510004698.5

申请日：2005-01-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041

Abstract: 在基板上形成含有水溶性聚合物的化学增幅型抗蚀剂组成的抗蚀剂膜。其中使用水溶性聚合物根据气体透过性比化学增幅型抗蚀剂小的材料。进而通过掩模对抗蚀剂膜选择性照射曝光光线进行图案曝光，然后通过对进行了图案曝光的抗蚀剂膜进行显影，得到由抗蚀剂膜以良好形状被微细化的抗蚀剂图案。

公开(公告)号：CN1638037A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410081725.4

申请日：2004-12-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/168 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/32 ,  G03F7/322

Abstract: 一种图形形成方法，在基板上形成抗蚀膜，并对已形成的抗蚀膜选择性地照射曝光光，接着，对已进行图形曝光的抗蚀膜进行显影，并使用含有环糊精的水溶液对经显影的抗蚀膜进行漂洗，从而由抗蚀膜得到已微细化的没有歪斜的抗蚀图形。

公开(公告)号：CN1194383C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN03131009.5

申请日：2003-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/16 ,  G03F7/0045 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144

Abstract: 一种图案形成方法，在基板(10)上面形成表面粗糙的低介电常数绝缘膜(11)之后，在腔室(12)的内部，通过超临界流体(14)对低介电常数绝缘膜(11)进行表面处理，使低介电常数绝缘膜(11)的表面平滑化。然后在表面被平滑化的低介电常数绝缘膜(11)上面涂布化学放大型抗蚀剂，而形成抗蚀剂膜(16)之后，对该抗蚀剂膜(16)进行图案曝光。对经图案曝光的抗蚀剂膜(16)进行显影、冲洗和干燥，形成抗蚀图(19)。通过上述图案形成方法，在化学放大型抗蚀图中不产生或褶边缝边或咬边，提高图案形状。

公开(公告)号：CN1574218A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200310120570.6

申请日：2003-12-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0382 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/2041

Abstract: 本发明公开了一种图案形成方法，其目的在于：使通过浸渍光刻所得到的抗蚀图案的形状良好。由化学放大型抗蚀材料形成抗蚀膜102以后，再在含有碱性化合物的浸渍溶液103供到抗蚀膜102上的状态下，用曝光光104有选择地去照射抗蚀膜102而进行图案曝光。若对已经进行了图案曝光的抗蚀膜102进行了后烘烤(post bake)以后，再通过碱性显像液进行显像，就能由抗蚀膜102的未曝光部分102b得到形状良好的抗蚀图案105。

公开(公告)号：CN1549055A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN03155716.3

申请日：2003-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2041

Abstract: 一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)之后，以向抗蚀膜(102)上提供由含有消泡剂且边进行循环边暂时被贮存于溶液贮存部内的水(折射率n：1.44)组成的溶液(103)的状态，对抗蚀膜(102)照射曝光光(104)，进行图形曝光。对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)进行后烘之后，用碱性显影液进行显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好截面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明，通过减少用于浸渍光刻法的溶液中的气泡，可以使抗蚀图形的截面形状变得良好。

公开(公告)号：CN1485885A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN03131014.1

申请日：2003-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0047

Abstract: 本发明提供一种在半导体装置的制造过程中使用的图形形成材料、水溶性材料及图形形成方法。形成由含有通过酸的作用改变显影液可溶性的聚合物、照射能量光束就产生酸的酸发生剂、吸收聚合物或酸发生剂产生的脱气的化合物的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(11)；对于抗蚀膜(11)选择性照射远紫外线(12)进行图形曝光后，对图形抗蚀膜(11)通过显影液进行显影并形成抗蚀层图形(13)。根据本发明可以减少由抗蚀膜产生的脱气的量并改善抗蚀层图形的形状和提高生产率。