Micro-LED器件及其制备方法
    71.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114725266A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202210366078.X

    申请日:2022-04-08

    Abstract: 本发明揭示了一种Micro‑LED器件及其制备方法,所述Micro‑LED器件包括Micro‑LED外延片、钝化层、电流扩展层及电极,其中:所述Micro‑LED外延片依次包括衬底、N型半导体层、有源层及P型半导体层,所述Micro‑LED外延片上形成有发光单元、及位于发光单元旁侧且刻蚀至N型半导体层的台阶;所述钝化层位于台阶上,所述钝化层中形成有贯穿至N型半导体层的隔离槽;所述电流扩展层位于P型半导体层及全部或部分钝化层上方;所述电极包括位于电流扩展层上且与P型半导体层电性连接的第一电极、及位于隔离槽中且与N型半导体层电性连接的第二电极。本发明中采用钝化层剥离工艺,无需对器件台面进行二次光刻对准,降低了器件制备过程中光刻对准和曝光精度的要求,降低了工艺复杂度及工艺成本。

    有序Si基Al1-xGaxN量子点的可控外延生长方法

    公开(公告)号:CN110556453B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201810542937.X

    申请日:2018-05-30

    Inventor: 赵宇坤 陆书龙

    Abstract: 本发明公开了一种有序Si基Al1‑xGaxN量子点的可控外延生长方法,包括步骤:S1、提供一Si衬底;S2、对Si衬底的表面进行纳米图形化处理,Si衬底的表面向内凹陷形成Si纳米柱阵列,并在Si纳米柱阵列之间的凹槽底部沉积形成抑制层;S3、采用分子束外延法在Si纳米柱阵列上依次叠层生长AlN缓冲层、第一GaN纳米柱、Al1‑xGaxN量子点结构、以及第二GaN纳米柱和/或Al1‑zGazN纳米柱;其中,0<x<1,0<z<1。根据本发明的可控外延生长方法一方面利用Si纳米柱阵列实现了Al1‑xGaxN量子点结构的选择性生长,增强对Si基量子点结构尺寸与分布的调控能力,另一方面以第一GaN纳米柱作为支撑,也可有利于释放外延应力,提高晶体质量。

    共振隧穿二极管及其制作方法

    公开(公告)号:CN111816711A

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN202010877959.9

    申请日:2020-08-27

    Abstract: 本发明公开了一种共振隧穿二极管,该共振隧穿二极管包括衬底以及在衬底上形成的功能层,在共振隧穿二极管的彼此相对的两侧分别设有第一磁性部和第二磁性部,第一磁性部和第二磁性部之间形成磁场;其中,磁场的磁场方向与衬底的面向功能层的表面的法线垂直。本发明还公开了一种共振隧穿二极管的制作方法。本发明解决了现有技术中因衬底的位错导致共振隧穿二极管的功能层内也形成有与衬底的位错相应的内部缺陷,从而导致共振隧穿二极管难以实现负阻特性的问题。

    光子计数装置及光子计数方法

    公开(公告)号:CN111678593A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN202010433421.9

    申请日:2020-05-21

    Abstract: 本发明公开了一种光子计数装置,其包括:光电转换器,被配置为接收到达所述光电转换器的光子信号,且将所述光子信号转换为电平信号;其中,所述光子信号到达所述光电转换器的时刻和频率均是随机的;处理器,被配置为接收所述电平信号,且根据所述电平信号获取所述光子信号的光子信息并动态调节所述光电转换器接收光子信号的接收频率。本发明还公开了一种光子计数方法。本发明通过动态改变光电转换器接收光子信号的接收频率,从而在提高光电转换器的探测光子信号的探测率的同时,还能大幅度降低对光子信号的误计数。

    复合型充电电池
    75.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110224191A

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201810176483.9

    申请日:2018-03-03

    Abstract: 本发明公开了一种复合型充电电池,包括柔性太阳能电池、固态柔性电池、柔性导电衬底和电池电路管理器,所述柔性太阳能电池设置于所述柔性导电衬底表面上,所述固态柔性电池设置于所述柔性导电衬底的背向所述柔性太阳能电池的另一表面上;所述柔性太阳能电池的第一正极电连接于所述柔性导电衬底,所述柔性太阳能电池的第一负极电连接于所述电池电路管理器,所述固态柔性电池的第二正极电连接于所述柔性导电衬底,所述固态柔性电池的第二正极电连接于所述电池电路管理器;所述电池电路管理器上设有用于连接外接负载的外接负载端。本发明提供的复合型充电电池结构超薄,具有良好的柔软性,且具有长久的续航能力。

    半导体结构及其制备方法
    76.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104979312B

    公开(公告)日:2018-07-03

    申请号:CN201410148441.6

    申请日:2014-04-14

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 本发明公开了一种半导体结构,包括相键合的第一半导体晶片和第二半导体晶片,其中,所述第一半导体晶片和第二半导体晶片之间设有结构层,所述结构层上分布有多个纳米孔。本发明还公开了一种半导体器件,所述半导体器件包括前述的半导体结构,所述半导体器件为激光器、探测器或太阳能电池。本发明还公开了如前所述的半导体结构的制备方法。本发明通过在键合界面中设置有纳米孔阵列结构层,从而抑制了键合界面光损耗和电损耗,并提高了键合强度。

    五结太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN106571408B

    公开(公告)日:2018-03-20

    申请号:CN201510670555.1

    申请日:2015-10-13

    CPC classification number: Y02E10/544

    Abstract: 本发明公开了一种五结太阳能电池,包括InP衬底、以及在InP衬底上依次叠层设置的InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池和GaInP/AlGaInP双结太阳能电池。本发明还公开了五结太阳能电池的制备方法,包括:在InP衬底上制备InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池;在GaAs衬底上制备GaInP/AlGaInP双结太阳能电池;将InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池与GaInP/AlGaInP双结太阳能电池进行晶片键合,从而得到InGaAs/InGaAsP/InAlAs/GaInP/AlGaInP五结太阳能电池。根据本发明的五结太阳能电池满足0.73eV/1.05eV/1.47eV/1.89eV/2.2eV的带隙组合,从而可实现宽光谱的吸收,获得高电压及低电流输出,有效降低了太阳能电池在高倍聚光下的电阻损失,从而提高了太阳能电池的光电转换效率。

    太阳能电池的测试设备
    80.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105099365B

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:CN201410205739.6

    申请日:2014-05-15

    Abstract: 本发明公开一种太阳能电池的测试设备,包括:可控温承载台,用于承载待测试的太阳能电池,并将待测试的太阳能电池的温度保持在一预定温度;电子束发射装置,位于可加热承载台的上方,用于发射电子束对待测试的太阳能电池的表面进行扫描;光电转换装置,设置于可加热承载台与电子束发射装置之间,用于采集待测试的太阳能电池的表面经过所述电子束激发后产生的光信号,并将采集的光信号转换为电信号;计算处理装置,用于接收光电转换装置产生的电信号,并对接收到的电信号进行计算处理,获得待测试的太阳能电池的扩散长度。本发明的太阳能电池的测试设备,其结构简单,操作方便。

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