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公开(公告)号：CN104559336A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410843288.9
申请日：2014-12-29
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09C1/28 , C09C3/12 , C09D125/14 , C09D133/00 , C09D7/12
Abstract: 本发明提供一种改性硅溶胶的制备方法，包括以下步骤：1）将硅烷偶联剂滴加到硅溶胶中搅拌混合，形成硅烷偶联剂/硅溶胶混合体系，继续搅拌后，得到初始的硅烷偶联剂改性硅溶胶；2）将初始的硅烷偶联剂改性硅溶胶，进行酸碱调节，制得硅烷偶联剂改性硅溶胶。本发明还进一步提供了上述改性硅溶胶在水性涂料中的应用及添加上述改性硅溶胶的水性涂料配方。本发明的制备一种改性硅溶胶，能够大大提高无机材料二氧化硅与有机树脂之间的相容性，在不影响涂料干燥后涂层光泽度的条件下，同时提高了涂层的硬度，且工艺简便、可控性强，具有较高实用价值。
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公开(公告)号：CN104556061A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410852430.6
申请日：2014-12-31
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/146 , C09K3/14 , C09G1/02
Abstract: 一种改性二氧化硅胶体的制备方法，依次包括以下步骤：1）调节铝改性硅溶胶溶液的pH至8.5~10.5，再加热至100~120℃并保温；2）搅拌过程中加入颗粒半径为10~15nm的二氧化硅胶体溶液；3）搅拌过程中加入活性硅酸和稳定剂，并控制溶液pH为8.5~10.5；4）冷却至室温；搅拌陈化；5）超滤浓缩至固含量为20~40wt%的浓缩液。本发明中公开了一种改性二氧化硅胶体的制备方法，采用本发明中制备方法制备的二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒为花瓣形的二氧化硅颗粒，非球形，这种颗粒的颗粒大，在应用于化学机械抛光时能够更有效的达到机械研磨的目的，提高研磨的效率，同时研磨材料的表面性能良好。
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公开(公告)号：CN104556059A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410854992.4
申请日：2014-12-31
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/14
Abstract: 一种纳米二氧化硅的聚合方法，为将粒径为5~30nm的纳米二氧化硅水溶液进行加热，调控所述纳米二氧化硅水溶液的pH值为7.5~11.7，所述纳米二氧化硅水溶液的温度为65~200℃，在此温度下的保温时间为10分钟以上，获得具有非球形二氧化硅的水溶液。采用本发明方法获得的硅溶胶中二氧化硅颗粒之间有一定聚合度、并且聚合结构紧密，聚合后的二氧化硅颗粒仍然能够均匀分散；未引入杂质金属离子；方便后续应用；生产过程简单，生产成本低廉。
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公开(公告)号：CN102347446B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201110331342.8
申请日：2011-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料。本发明的用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料，其化学成分符合化学通式 Nx[(Ge1+yTe)a(Sb2Te3)b]100-x，0＜y≤3，0＜x≤35，a=1或2，b=1或2。该相变材料为在外部能量作用下具有可逆相变的存储材料。采用磁控溅射时，通过控制各靶材靶位的电源功率和N2/Ar2流量比来调节各组分的原子百分含量，可得到不同结晶温度、熔点和结晶激活能的相变存储材料。本发明Ge-Sb-Te富Ge掺N的相变材料，相比于传统的 薄膜材料来说，具有较高的结晶温度，较好的数据保持力，较好的热稳定性，较低的功耗等优点。
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公开(公告)号：CN102841674B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201210259941.8
申请日：2012-07-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于新型存储器的嵌入式系统及其进程的休眠与唤醒方法，该嵌入式系统由新型非易失存储器及DRAM内存构成存储架构，所述新型非易失存储器又由引导程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及进程镜像备份区组成，其中，所述进程镜像备份区划分有镜像索引区和镜像数据保存区，可实现应用进程挂起到所述新型非易失存储器。本发明可实现系统级以及单进程的休眠，使进程休眠、唤醒管理更加灵活、方便，可降低传统嵌入式系统休眠唤醒的数据备份及恢复的工作量以及系统休眠时数据备份所占用的大量存储空间，从而提高嵌入式系统运行效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104282332A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201310290019.X
申请日：2013-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种具有实时触发器状态保存功能的触发器电路。该触发器电路至少包括：触发器电路本体；连接在所述触发器电路本体输出端的写控制电路，用于基于写信号来传输所述触发器电路本体的状态；包含由相变材料构成的存储单元的存储电路，连接所述写控制电路，用于存储所述触发器电路本体的状态，并基于读信号输出所存储的状态；以及状态恢复电路，连接所述存储电路，用于使所述触发器电路本体的状态恢复至所述存储电路所存储的状态。本发明的电路能随时把触发器的状态保存在存储电路中，也可以在某一特殊指令的控制下保存一个特殊的状态，例如掉电时对触发器状态的保存；上电时，可把保存在存储电路中中的数据读出，使触发器恢复到掉电时的状态。
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公开(公告)号：CN104201282A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410504612.4
申请日：2014-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器及其制备方法，其中，所述相变存储器至少包括：下电极，所述下电极呈阵列式排布；位于所述下电极上的下加热电极；位于多个下加热电极上的相变材料层，所述相变材料层呈条状等间距排布；位于所述下加热电极上方位置的相变材料层上的上电极，所述上电极呈条状等间距排布，且与所述相变材料层相互垂直。本发明的相变存储器通过将整条的相变材料覆盖在多个下加热电极上，从而将各个分立的相变存储单元连接在一起，可以通过控制信号输入完成块擦除，解决了现有相变存储器不能完成块操作的缺陷；同时也可以通过控制信号端和电极进行选择性单元数据擦除，大大提高了数据擦除效率。
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公开(公告)号：CN103896290A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210587486.4
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/146
Abstract: 本发明涉及化学工程领域，具体涉及一种较宽pH范围稳定的改性硅溶胶及其制备方法。本发明的稳定的改性硅溶胶制备方法如下：将待改性的碱性硅溶胶与阴离子交换树脂混合进行交换反应，获得除去阴离子的硅溶胶；加热使其沸腾，搅拌滴加金属盐溶液，获得待反应液；将待反应液于反应釜中反应0.5～24h，反应温度为100～150℃，得到反应产物；将反应产物与阳离子交换树脂混合进行交换反应，除去反应产物中的金属离子，获得改性的硅溶胶。本发明提供的改性硅溶胶，胶粒粒径10~60nm，二氧化硅含量为0.1~40%，pH值为3~11，常温放置一年以上，能够满足涂料、纺织、半导体等领域的应用需求。
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公开(公告)号：CN103855302A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210518165.9
申请日：2012-12-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的Al-Sb-Se材料及制备方法。其中，所述Al-Sb-Se材料是由铝、锑、硒三种元素组成的化合物，其化学式为AlxSbaSe，Sb与Se的原子比为a：1，0.67≤a≤12.35，0.01≤x≤10；采用Sb2Se3合金靶、Al单质靶、以及Sb单质靶共溅射形成。利用本发明的相Al-Sb-Se材料作为信息存储介质，可以有效地提高存储器的可靠性，降低擦写操作的功耗等。
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