硅酸铋闪烁晶体的定形提拉生长方法

    公开(公告)号:CN102002754B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201010608426.7

    申请日:2010-12-28

    Abstract: 本发明公开了一种定形提拉法生长硅酸铋(Bi4Si3O12,简称BSO)闪烁晶体的方法,属于单晶生长领域。其特点是在坩埚中设计和安装特定形状的模具,利用定形提拉炉生长的BSO闪烁晶体。所述的方法为:Bi2O3、SiO2经过高温预烧得到BSO多晶原料,放入带有特定形状模具的坩埚中,装入定形提拉炉中。持续加热至1100-1200℃,恒温3-5h,然后下籽晶并快速提拉,生长得到板状BSO晶体。本发明能够快速生长高质量的板状BSO闪烁晶体,减少晶体生长周期,同时减少了后期的晶体加工工序,提高晶体利用率,有效节约生产成本。

    一种硬磁铁氧体预烧料的合成方法

    公开(公告)号:CN101712556B

    公开(公告)日:2012-06-06

    申请号:CN200910197783.6

    申请日:2009-10-28

    Abstract: 本发明公开了一种硬磁铁氧体预烧料的合成方法。以铁氧体阳离子的氧化物或碳酸盐以及其他的添加剂CaO、Al2O3等中的一种或几种为原料,经过球磨混料、烘干后,采用频率为300~3000MHz的微波物理场加热,以20~80℃/min的加热升温速度升温到1150~1350℃,然后保温30~180min,可得到粒径约为0.2~2μm的单相铁氧体预烧料。与传统预烧料合成方法相比,该方法预烧时间短、能耗低,预烧料晶粒细小均一,成型性好,磁性能稳定,可用于湿压成型、干压成型制备烧结体。

    一种稀土铁氧体磁光晶体生长方法

    公开(公告)号:CN101545133B

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN200910048392.8

    申请日:2009-03-27

    Abstract: 本发明涉及一种稀土铁氧体磁光材料RFeO3晶体(R为Y、Gd、Tm、Nd、Sm、Eu、Ho、Yb等稀土元素)的生长方法,属于单晶生长领域。即R2O3和Fe2O3形成的初烧料与PbO+PbF2+B2O3复合助熔剂混合均匀后,放入铂金坩埚内气密后,将坩埚置于下降炉内,升温熔化原料,通过控制炉温、调节坩埚底部的气流量或水流量、优化固液界面温度梯度和生长速度等参数,实现不同化学组成的该系列稀土磁光晶体的生长。本发明通过助熔剂降低了晶体生长温度,同时坩埚底部通气或通水造成局部过冷并快速成核,从而生长出大尺寸的RFeO3单晶。同时具有设备简单、一炉多产、成本低有利于实现晶体的批量生产等。

    一种硬磁铁氧体预烧料的合成方法

    公开(公告)号:CN101712556A

    公开(公告)日:2010-05-26

    申请号:CN200910197783.6

    申请日:2009-10-28

    Abstract: 本发明公开了一种硬磁铁氧体预烧料的合成方法。以铁氧体阳离子的氧化物或碳酸盐以及其他的添加剂CaO、Al2O3等中的一种或几种为原料,经过球磨混料、烘干后,采用频率为300~3000MHz的微波物理场加热,以20~80℃/min的加热升温速度升温到1150~1350℃,然后保温30~180min,可得到粒径约为0.2~2μm的单相铁氧体预烧料。与传统预烧料合成方法相比,该方法预烧时间短、能耗低,预烧料晶粒细小均一,成型性好,磁性能稳定,可用于湿压成型、干压成型制备烧结体。

    超细碳化硼粉的制备方法

    公开(公告)号:CN101570438A

    公开(公告)日:2009-11-04

    申请号:CN200910049542.7

    申请日:2009-04-17

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硼粉的制备方法,包括下列步骤:A.将硼酸盐、镁粉、碳粉按照摩尔比钨酸盐∶镁粉∶碳粉=1~10∶6~70∶1~10的比例混合,然后压实装入碳毡制的直立环状筒或盘状容器中,装入高压容器中在氩气气氛中进行燃烧合成,燃烧合成后自然冷却;B.取出燃烧合成产物,进行物料破碎,在1~10mol/L的盐酸溶液中浸泡1~5小时,使合成副产物MgO杂质完全溶解于盐酸中,抽滤,加入去离子水洗涤,重复抽滤和洗涤多次,直到用AgNO3检测滤液中无Cl-为止,最后在烘箱中在100~110℃温度下将洗涤后的物料干燥1~5小时,得到终产物超细碳化硼粉,本发明原料成本低廉,工艺设备简单。

    一种大尺寸四硼酸锂压电晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN101377014A

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:CN200810200499.5

    申请日:2008-09-26

    Inventor: 徐家跃

    Abstract: 本发明涉及一种四硼酸锂压电晶体的制备方法特别是涉及一种大尺寸四硼酸锂压电晶体的制备方法。包括将先合成的四硼酸锂多晶料压成致密圆柱状料块,将料块装入事先已放入籽晶的Pt坩埚并入炉,炉温控制在950~1000℃,坩埚下降速率为0.1~0.6mm/h,可生长出厚度30~80mm、宽度大于120mm、长度150mm以上的优质大单晶,再通过侧向加工即沿尺寸大的一侧作为晶棒轴向,小的一侧作为晶棒厚度方向加工,即可得大尺寸的四硼酸锂压电晶体型材。与传统下降法相比,本发明克服了传统下降法生长大尺寸四硼酸锂晶体时遇到的难接种、易漏坩埚、晶体易开裂等技术瓶颈,采用侧向生长和扁型坩埚设计,可提高晶体生长速率,从而降低晶体生长难度,有利于实现大尺寸四硼酸锂晶体的工业化生长。

    一种全封闭气体雾化制粉装置

    公开(公告)号:CN202498209U

    公开(公告)日:2012-10-24

    申请号:CN201120564444.X

    申请日:2011-12-30

    Inventor: 江国健 徐家跃

    Abstract: 本实用新型公开了一种全封闭气体雾化制粉装置,它由保温坩埚、雾化器、雾化塔、可伸缩塑料管A、可伸缩塑料管B等组成,雾化器安装在可伸缩塑料管A内,可伸缩塑料管A分别与保温坩埚和雾化器的喷嘴上表面密封连接,雾化塔与喷嘴下表面通过可伸缩塑料管B密封连接,两个半卜金属圆柱形圆筒分别安放在喷嘴下表面和雾化塔上的内外两个金属槽内,形成全封闭系统结构。该结构可防止雾化器上形成氧化物和氮化物以及它们引起雾化器的堵塞。本实用新型的一种全封闭气体雾化制粉装置具有结构简单、安装方便、有效防止和解决堵塞、提高粉体质量等优点。

    一种解决喷嘴和导流管高熔点物质堵塞的雾化器

    公开(公告)号:CN202667659U

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:CN201220070066.4

    申请日:2012-02-29

    Inventor: 江国健 徐家跃

    Abstract: 本实用新型公开一种解决喷嘴和导流管高熔点物质堵塞的雾化器,由导流管、喷嘴、金属外套、陶瓷圆环、金属密封环、金属圆环、发热体A及垫圈等组成,导流管与金属外套之间留有的间隙安装发热体A,喷嘴的两个laval结构的出气管的间隙内都安装发热体B。金属外套内表面设有金属反射膜或喷涂而成的白色反射涂层,金属外套与导流管两者的下端部平齐,且与陶瓷圆环采用螺纹连接。喷嘴的两个laval结构的出气管的出气口处的端部都安装金属圆环,出气管的间隙的端部都采用金属密封环螺纹连接密封。本实用新型的一种解决喷嘴和导流管高熔点物质堵塞的雾化器,可有效解决高熔点物质堵塞问题,且具有结构简单、安装方便、节省材料等优点。

    一种解决喷嘴和导流管金属及合金堵塞的全封闭气体雾化制粉装置

    公开(公告)号:CN202498213U

    公开(公告)日:2012-10-24

    申请号:CN201220070423.7

    申请日:2012-02-29

    Inventor: 江国健 徐家跃

    Abstract: 本实用新型公开一种解决喷嘴和导流管金属及合金堵塞的全封闭气体雾化制粉装置,由保温坩埚、雾化器、雾化塔、可伸缩塑料管A、可伸缩塑料管B及真空泵等组成,雾化器安装在可伸缩塑料管A内,可伸缩塑料管A和B分别与保温坩埚和雾化器的喷嘴上表面、雾化塔与喷嘴下表面密封连接,形成全封闭系统结构。雾化器的导流管与金属外套之间留有间隙安装发热体A,且喷嘴的两个Laval结构的出气管的间隙内都安装发热体B,发热体A及发热体B同时通电可以避免雾化器的喷嘴和导流管管口氧化物和氮化物的产生和消除金属或合金形成的低熔点堵塞物,具有结构简单、安装方便、实现连续生产、降低了成本、提高了产品质量和生产效率等优点。

Patent Agency Ranking