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公开(公告)号：CN1604212B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200410092149.3
申请日：2004-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/149 , G11B13/00 , G11B2005/0021
Abstract: 提供一种使用探针技术在存储装置上写入数据的方法。在将数据写入到存储装置上的方法中，该存储装置包括一用于读写数据的阻性探针，一通过阻性探针将数据写到上面的铁电写介质和一个安置在铁电写介质下表面上的降低电极，通过在阻性探针和降低电极上施加一电压，同时将热量和电场施加到铁电写介质上用于写数据的区域。
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公开(公告)号：CN100568478C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN03810407.5
申请日：2003-05-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01Q60/40 , G11B9/02 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B11/08
Abstract: 提出一种具有电阻尖端的半导体探针、制作半导体探针的方法以及使用半导体探针来记录和复制信息的方法。半导体探针包括尖端和悬臂梁。尖端掺杂有第一杂质。尖端位于悬臂梁的端部上。尖端包括电阻区域和第一、第二半导体电极区域。电阻区域位于尖端顶点，且轻度掺杂有不同于第一杂质的第二杂质。第一和第二半导体电极区域重度掺杂有第二杂质且与电阻区域接触。
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公开(公告)号：CN101477969A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910002999.2
申请日：2005-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括形成晶体管薄层图案，形成保护层，形成光致抗蚀剂膜，形成彼此间隔开的像素电极和导电层，剥除光致抗蚀剂图案以使用剥除溶液除去导电层并溶解导电层。这种制造薄膜晶体管基板的方法能够提高薄膜晶体管基板的制造工艺的效率。此外，剥除溶液可以重复使用。
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公开(公告)号：CN100381920C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN02827158.0
申请日：2002-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/136295
Abstract: 首先，利用含有8-12%Ce(NH4)2(NO3)6、10-20%NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案，以形成包括多条栅极线、多个栅极、以及多个栅极衬垫的栅极布线。然后，顺次形成栅极绝缘层、半导体层、及欧姆接触层。利用含有8-12%Ce(NH4)2(NO3)6、10-20%NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案，以形成包括多条数据线、多个源极、多个漏极、及多个数据衬垫的数据布线。接着，沉积钝化层并制作布线图案以形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫的接触孔。沉积透明导电材料或反射性导电材料并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫电连接的多个像素电极、多个辅助栅极衬垫、及多个辅助数据衬垫。将具有低反射比的栅极线和数据线作为遮光层用于遮挡像素区域之间光泄漏，而不增加黑色亮度。因此，无需在滤色器面板上设置单独的黑阵，从而可获得像素的纵横比和高对比度。
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公开(公告)号：CN101159171A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710092110.5
申请日：2007-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种具有楔形电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括：掺杂有第一杂质的电阻性尖端，具有掺杂有极性与所述第一杂质相反的低浓度的第二杂质的电阻区，并在所述电阻性尖端的两侧斜面上具有掺杂有高浓度的第二杂质的第一和第二半导体电极区；和悬臂，在其边缘上具有所述电阻性尖端，其中所述电阻性尖端的端部具有楔形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100371809C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN02816648.5
申请日：2002-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136286
Abstract: 在制造TFT阵列基板的方法中，在绝缘基板上形成栅线路。栅线路含有栅线、栅电极和与栅线相连的栅垫。依次形成栅绝缘层和半导体层。形成包括多个与栅线交叉的数据线、多个与数据线相连并位于栅电极附近的源电极、多个依照栅电极与源电极正对的漏电极以及与数据线相连的数据垫的数据线路。沉积形成保护层，在保护层上形成图案以形成至少使漏电极暴露的接触孔。在保护层上沉积银或银合金导电层。用包括磷酸、硝酸、乙酸、过氧一硫酸钾和超纯水的蚀刻液或包括硝酸、乙酸、乙二醇和超纯水的蚀刻液在保护层上形成图案，因此形成反射层。反射层是通过接触孔与漏电极连接的。
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公开(公告)号：CN101118750A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710008044.9
申请日：2007-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/187
CPC classification number: G11B9/02 , Y10T29/49032
Abstract: 本发明提供一种电场读/写头及其制造方法、以及包括该电场读/写头的数据读/写装置。该数据读/写装置包括用于写数据在记录介质上且从其读数据的电场读/写头。该电场读/写头包括半导体基板、电阻区域、源极和漏极区域、以及写电极。该半导体基板包括具有邻接边缘的第一表面和第二表面。该电阻区域形成为从位于该第一表面一端的中心部分向该第二表面延伸。该源极区域和该漏极区域形成在该电阻区域两侧并与该第一表面分隔开。该写电极形成在该电阻区域上，绝缘层置于该写电极与该电阻区域之间。该数据读/写装置通过硬盘驱动器(HDD)驱动系统进行驱动。
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公开(公告)号：CN1979346A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610161859.6
申请日：2006-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴弘植
IPC: G03F7/42 , G03F7/32 , G03F7/26 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/321
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/263 , C11D7/3281
Abstract: 薄膜晶体管阵列面板的制造方法包括：在基板上沉积包含铝的第一薄膜、通过光刻法和蚀刻法对第一薄膜进行图案化、清洁包括第一薄膜的基板、以及在已清洁的基板上沉积第二薄膜。清洁是通过使用包含超纯水、环胺、焦酚、苯并三唑、以及乙二醇一甲醚的清洁材料进行的。该清洁材料包含大约85wt％至大约99wt％的超纯水、大约0.01wt％至大约1.0wt％的环胺、大约0.01wt％至1.0wt％的焦酚、大约0.01wt％至1.0wt％的苯并三唑、以及大约0.01wt％至1.0wt％的乙二醇一甲醚。
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公开(公告)号：CN1877448A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610067407.1
申请日：2006-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/004 , H01L21/027
CPC classification number: C23F1/30 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种蚀刻剂，一种使用该蚀刻剂制造布线的方法，以及使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。该蚀刻剂包括具有分子式1的材料、乙酸铵和余量的去离子水，其中，所述分子式1表示为：M(OH)XLY…(1)，M表示Zn、Sn、Cr、Al、Ba、Fe、Ti、Si或B，X表示2或3，L表示H2O、NH3、CN、COR或NH2R，Y表示0、1、2或3，以及R表示烷基。
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公开(公告)号：CN1808710A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510127641.4
申请日：2005-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴弘植
IPC: H01L23/482 , H01L23/52 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/283
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124 , H01L51/5228
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基板；栅极线，形成在绝缘基板上；栅极绝缘层，形成在栅极线上；漏电极和具有源电极的数据线，形成在栅极绝缘层上，其中，漏电极面对源电极，且在其间具有间隙；以及像素电极，连接至漏电极。栅极线、数据线、以及漏电极中的至少一个包括由导电氧化物制成的第一导电层和邻近第一导电层沉积的银的第二导电层。
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